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密封真空光纖饋通法蘭真空室導(dǎo)光半導(dǎo)體和薄膜處理應(yīng)用
北京錦正茂科技有限公司
2022-01-25
PT100鉑電阻溫度傳感器低溫測量薄膜型鉑熱電阻
北京錦正茂科技有限公司
2022-02-10
PT100鉑熱電阻低溫溫度計(jì)薄膜型溫度傳感器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-05
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一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的系統(tǒng)及其方法，所述系統(tǒng)沿著薄膜輸送方向依次包括開卷裝置、第一檢測裝置、上料裝置、壓合裝置、第二檢測裝置、裁切裝置、第三檢測裝置、下料裝置以及收卷裝置。其中開卷和收卷裝置分別用于將薄膜展開和纏繞收卷，上料和壓合裝置分別用于真空吸附片材和將片材在薄膜上疊合，裁切裝置用于對復(fù)合疊層執(zhí)行斷點(diǎn)切斷，第一、第二和第三檢測裝置用于檢測柔性薄膜的輸送、疊合對位和裁切效果予以檢測和反饋，下料裝置用于對復(fù)合疊層執(zhí)行下料及分類處理。通過本發(fā)明，能夠保證薄膜的穩(wěn)定輸送及其與片材之間的精確定位，防止片材出現(xiàn)彎曲和脆裂現(xiàn)象，而且便于對復(fù)合疊層進(jìn)行裁切和分類處理。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法
本發(fā)明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時(shí)間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應(yīng)，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時(shí)，明暗電流比為5.5×103，提高了一個(gè)數(shù)量級，同時(shí)具有更快速的響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間，分別是0.883和0.956s。
東南大學(xué)
2021-04-11
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摻鋁氧化鋅薄膜的退火真空度和氬離子濺射清洗工藝控制
摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無毒環(huán)保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優(yōu)點(diǎn)，而后續(xù)處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵。為此我們研究 105 到 10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)：電阻率的降低集中在相對狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa 到 10 Pa 之間，電阻率陡降了 2 個(gè)數(shù)量級。電阻率在 10 Pa 退火時(shí)達(dá)到最小值，繼續(xù)提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續(xù)降低。這一研究結(jié)果不僅澄清了以往對溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續(xù)工藝處理的模糊認(rèn)識，而且對實(shí)際生產(chǎn)工藝具有重要的指導(dǎo)意義，例如以此為根據(jù)，選擇合適的真空度退火，達(dá)到既滿足產(chǎn)品的性能指標(biāo)，又能節(jié)能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS 的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+ 對 Zn2+ 離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用 Ar+ 離子對退火后的樣品進(jìn)行反濺射清洗，能進(jìn)一步提高電導(dǎo)率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結(jié)構(gòu)，能將入射太陽光分散到各個(gè)角度。用作太陽能電池電極時(shí)，能有效增強(qiáng)太陽能電池內(nèi)的光吸收材料對入射太陽光的捕獲，提高光能利用率。
遼寧大學(xué)
2021-04-11
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個(gè)外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽電極間所激勵(lì)的陣列化納電場驅(qū)控，向各納電場中電場強(qiáng)度最強(qiáng)部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽電極間所激勵(lì)的電場驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種小容量薄膜電容永磁同步電機(jī)直軸電流給定控制方法
本發(fā)明公開了一種小容量薄膜電容永磁同步電機(jī)直軸電流給定控制方法，采用小容量的薄膜電容，代替?zhèn)鹘y(tǒng)功率電路中的大容量電解電容，相比傳統(tǒng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，小容量薄膜電容變頻系統(tǒng)體積得到減小，重量得到減輕。本發(fā)明不需要考慮波動(dòng)的母線電壓對交直軸參考電流的影響，相比于傳統(tǒng)的直軸電流給定方式更簡單有效；交直軸電壓給定經(jīng)過陷波器，濾除特定次諧波分量，電流控制器采用內(nèi)
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種基于 SnO2的鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法
本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法。所述的鈣鈦礦薄膜光伏電池采用可低溫制備的 SnO2 作為電子傳輸層，用以取代傳統(tǒng)的需要高溫?zé)Y(jié)的 TiO2 電子傳輸層。這種基于低溫制備的 SnO2 電子傳輸層的鈣鈦礦薄膜光伏電池取得了14.60%的高光電轉(zhuǎn)化效率，大大優(yōu)于基于傳統(tǒng)高溫?zé)Y(jié)的TiO2 電子傳輸層的鈣鈦礦太陽電池。SnO2 薄膜的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定而且制備過程簡單，極大地簡化鈣鈦礦電池 的制備流程，有效地降低電池的制作成本，也能很好的改善鈣
武漢大學(xué)
2021-04-14