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太陽能薄膜電池一種關鍵技術：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。
大連理工大學
2021-04-14
一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法
一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法，其步驟是：A、將外觀為白色粉狀的四針狀氧化鋅晶須加入到酒石酸鉀鈉的水溶液中形成糊狀或懸濁液，攪拌10～30分鐘，所述的酒石酸鉀鈉和四針狀氧化鋅晶須的摩爾比為0.1～1∶100，；再在攪拌狀態下緩慢加入與酒石酸鉀鈉等摩爾量氯化銅的水溶液；之后，繼續攪拌30～60分鐘；最后，經過濾、洗滌、烘干，得表面原位沉積有納米酒石酸銅的四針狀氧化鋅晶須復合物粉末；B、將復合物粉末在氫氣氣氛中升溫至270～300℃保溫15～60分鐘，冷卻至室溫，即得。該方法得到的粉末抗菌力強，4小時殺菌率為98.5％～99.9％；且成本低廉，使用中不變色、易于推廣。
西南交通大學
2016-10-20
一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續變化的方法
本發明公開了一種通過施加低電平脈沖實現微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續變化的控制方法，包括控制非晶化率連續單調增大 和連續單調減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應變化精確控制焦耳熱產生，繼而實 現 GST 相變材料晶化率的連續變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續脈沖；在連續脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學
2021-04-14
清華團隊提出多孔膜中催化劑取向生長策略，制備堿性電解水的有序化膜電極，將1m3氫氣電耗降至3.83度
清華大學王保國教授團隊從事膜分離和電化學工程的交叉領域科學研究，迄今已有近 20 年時間。他們從降低能耗角度出發，提出了“一體化”膜電極的概念，其核心是通過在多孔膜中，電催化劑原位取向生長策略，降低電子/氣體/離子的傳遞阻力，從而提高電解水產氫速率。
清華大學
2023-08-09
一種超雙親多孔膜材料及其制備方法和應用
一種超雙親多孔膜材料及其制備方法和應用，步驟如下：（1）室溫下，先將碳納米管粉體和表面活性劑分散于水中，形成均一混合溶液；（2）向上述混合溶液中加入水性三聚氰胺甲醛樹脂溶液，混勻制得所需反應液；（3）將上述反應液刷涂或噴涂在干凈的多孔基材上，80~120℃干燥固化10~30min，即可制得超雙親油水分離用多孔膜材料。本發明所述的多孔膜材料既保持了原有泡沫銅基底良好的機械性能，同時又具有很好的超雙親性，即可截留水讓油通過，也可截留油讓水通過，從而具有雙重分離效果。
東南大學
2021-04-11
大面積高質量金剛石自支撐膜的制備技術
本項目是國家863計劃”85” 和”95”重大項目的階段性研究成果(合作單位:河北省科學院)。 包含”大面積高功率DC Arc Plasma Jet CVD金剛石膜高速沉積設備”和”大面積高質量金剛石自支撐膜制備工藝”兩部分。其目標是向國內外市場提供大面積高質量廉價金剛石自支撐膜。技術基本成熟, 設備和工藝已在廣東、北京和天津的一些工廠和研究院所應用。目前已開發兩種不同功率級別, 100千瓦級和30千瓦級的設備, 工具級金剛石膜沉積速率: 40～50mm/h, 沉積面積: ?110mm (100千瓦級), 或?60mm (30千瓦級)。利用本項目技術生產的工具級金剛石膜可達到的指標: 面積: ????mm (100千瓦級), 或 ???mm (30千瓦級); 厚度: 最大2mm; 維氏硬度: 8000～11000 kg/mm2; 抗彎強度: > 300 MPa。光學級金剛石自支撐膜目前最大面積為?60mm, 厚度約0.6mm, 從紫外(0.22?m)到遠紅外(>20?m, 直至微波)透明, 8～12?m波段透過率～70%, 熱導率～19W/cm.k, 各項物理化學性能均與天然Ⅱa型寶石級金剛石單晶接近。 該項目適用于光學級金剛石自支撐膜: 工業CO2激光器窗口, 需要在極端惡劣工業環境(高溫、腐蝕、幅射、磨損、沖刷等)下工作的光學裝置窗口、軍事窗口等。也可用于中高檔耐用裝飾品制作。 熱沉級金剛石自支撐膜: 半導體二極管激光器熱沉、功率半導體器件(Power IC)的金剛石封裝、MCMs (大規模集成電路的三維立體組裝技術)用大面積金剛石熱沉、高功率微波器件熱沉。 工具級金剛石自支撐膜: 金剛石拉絲模模芯、金剛石自支撐膜釬焊工具、各種抗極度摩擦磨損工具和模具及儀器零件。
北京科技大學
2021-04-11
紫外光固化法制備電控調光膜的技術及材料的開發
本項目所研究的電控調光膜材料即為聚合物分散液晶（Polymer dispersed liquid crystal，簡稱PDLC）薄膜材料，其主要應用領域為電控智能玻璃、大面積柔性液晶顯示等。PDLC薄膜材料是將向列相液晶微滴均勻分散在高分子網絡中而形成的復合材料，當未對PDLC薄膜施加電場時，在高分子網絡的作用下液晶分子的指向矢呈無規分布，薄膜呈強烈光散射狀態；當對PDLC薄膜施加電場時，液晶分子的長軸平行于電場排列（通常PDLC中所使用的液晶的各向介電常數為正），薄膜呈透明狀態。 目前，國外的PDLC薄膜生產廠家均采用熱固化法制備PDLC薄膜，而課題組所采用的為紫外光固化法，是世界上首家可以使用紫外固化法制備PDLC薄膜的科研單位，紫外光固化法相對于熱固化法，其固化速度快、節能環保、成品率高。并且所制備的PDLC薄膜電-光性能優異，綜合電-光性能優于其它國外PDLC薄膜生產廠家所生產的PDLC薄膜。
北京科技大學
2021-04-11
大面積高質量金剛石自支撐膜的制備技術
本項目是國家863計劃”85” 和”95”重大項目的階段性研究成果(合作單位:河北省科學院)。 包含”大面積高功率DC Arc Plasma Jet CVD金剛石膜高速沉積設備”和”大面積高質量金剛石自支撐膜制備工藝”兩部分。其目標是向國內外市場提供大面積高質量廉價金剛石自支撐膜。技術基本成熟, 設備和工藝已在廣東、北京和天津的一些工廠和研究院所應用。目前已開發兩種不同功率級別, 100千瓦級和30千瓦級的設備, 工具級金剛石膜沉積速率: 40～50mm/h, 沉積面積: ?110mm (100千瓦級), 或?60mm (30千瓦級)。利用本項目技術生產的工具級金剛石膜可達到的指標: 面積: ????mm (100千瓦級), 或 ???mm (30千瓦級); 厚度: 最大2mm; 維氏硬度: 8000～11000 kg/mm2; 抗彎強度: > 300 MPa。光學級金剛石自支撐膜目前最大面積為?60mm, 厚度約0.6mm, 從紫外(0.22?m)到遠紅外(>20?m, 直至微波)透明, 8～12?m波段透過率～70%, 熱導率～19W/cm.k, 各項物理化學性能均與天然Ⅱa型寶石級金剛石單晶接近。 該項目適用于光學級金剛石自支撐膜: 工業CO2激光器窗口, 需要在極端惡劣工業環境(高溫、腐蝕、幅射、磨損、沖刷等)下工作的光學裝置窗口、軍事窗口等。也可用于中高檔耐用裝飾品制作。 熱沉級金剛石自支撐膜: 半導體二極管激光器熱沉、功率半導體器件(Power IC)的金剛石封裝、MCMs (大規模集成電路的三維立體組裝技術)用大面積金剛石熱沉、高功率微波器件熱沉。 工具級金剛石自支撐膜: 金剛石拉絲模模芯、金剛石自支撐膜釬焊工具、各種抗極度摩擦磨損工具和模具及儀器零件。
北京科技大學
2021-04-11
一種槲皮素包合物電紡絲納米膜、其制備方法
其他成果/n一種槲皮素包合物電紡絲納米膜、其制備方法及應用。制備方法包括步驟：1)將槲皮素與β-環糊精溶于甲醇中，再加入助溶劑，回流攪拌，再持續加熱，減壓蒸餾除去溶劑，機械攪拌，自然降溫靜置過夜，過濾，沉淀依次用蒸餾水、甲醇洗滌，干燥，得到槲皮素-β-環糊精包合物；2)將槲皮素-β-環糊精包合物和玉米蛋白溶解到DMF中，得到電紡溶液；3)電紡絲納米膜的制備。通過本發明得到的槲皮素包合物電紡絲納米膜抑菌的同時有緩釋功能，可以用于野外擦傷碰傷等極端條件下，在長期得不到有效治療時的防止感染、病情惡化的有效治療手段；還可以用于極易腐敗或需要高保鮮度的食品保鮮抗菌膜的研制。
武漢輕工大學
2021-04-11
一種多功能單分散納米復合成膜液的制備方法
本發明公開了一種多功能單分散納米復合成膜液的制備方法，屬納米材料應用技術領域。其特征是 利用納米TiO2、ZnO、SiO2功能互補性能把納米TiO2、ZnO、SiO2粉體按比例分散在水中，并調節體系的 pH值，加入助成膜劑和成膜劑，使之成膜。采用長時間的超聲振蕩使之呈單分散穩定狀態。用該方法制得 的納米復合成膜液顆粒呈單分散狀態，穩定性優良，可直接作為分散液使用，也可在多種基材上涂覆成膜 且涂膜具有降解有機物、滅菌、耐老化、耐水洗和粘附牢固等優異性能，可廣泛應用于涂料、光催化、環 境凈化等領域，使納米材料的優異性能得以充分發揮。本方法具有工藝過程簡單，易控制，適用于規?；?制造等特點；產品應用廣泛。
四川大學
2021-04-11