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激光三維動態聚焦振鏡系統開發及應用
北京工業大學
2021-04-14
新型全光纖便攜式納秒脈沖激光系統
北京工業大學
2021-04-14
大功率半導體激光器外延與芯片制備
成果簡介本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎上，跟蹤國際趨勢，形成9**nm 大功率單發光條半導體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時。主要優勢：（1 ）填補國內空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長可選。應用簡介所處研發階段：中試階段適合應用領域：直接光加工、
北京工業大學
2021-04-14
一種雙波長可調諧半導體激光器
本發明公開了一種雙波長可調諧半導體激光器，該激光器包括 有源區、相位區和光柵區；從下往上依次附著有第一緩沖層、有源層 和第一覆蓋層，第一緩沖層、有源層和第一覆蓋層構成了有源區；從 下往上依次附著有第二緩沖層、波導層和第二覆蓋層，第二緩沖層、 波導層和第二覆蓋層構成了相位區；從下往上依次附著有第三緩沖層、 光柵層和第三覆蓋層，第三緩沖層、光柵層和第三覆蓋層構成了相位 區；在第一覆蓋層的上表面設有第一電極，在第二覆蓋層的
華中科技大學
2021-04-14
一種激光觸發真空開關及開關系統
本發明公開了一種激光觸發真空開關及其觸發系統裝置。激光 觸發真空開關包括密閉殼體、第一電極主件、第二電極主件。第一電 極主件包括燃弧電極、第一電極法蘭、第一電極平臺、聚焦鏡。第二 電極主件包括燃弧電極、第二電極法蘭、第二電極平臺、靶電極。觸 發系統裝置主要包括計算機、轉換器、開關電路板、激光器和激光觸 發真空開關。激光觸發真空開關的工作電壓高達 30kV，工作電流高達 500kA，不存在以往電脈沖觸發高壓隔離困難、觸發穩定性差、使用壽 命短等問題，能有效降低激光觸發能量，改善開關器件的延時與抖動。觸
華中科技大學
2021-04-14
一種曲面打印激光實時燒結固化裝置和方法
本發明屬于柔性電子制造、激光加工領域，具體設計一種曲面 打印激光實時燒結固化裝置和方法，該裝置包括打印模塊，觀測模塊 和激光輸出模塊;所述打印模塊包括高精度微納圖案打印系統、噴印 頭和曲面基板，所述觀測模塊包括觀測相機和相機移動裝置，所述激 光輸出模塊包括一臺激光器和激光調節裝置。本發明還公開了一種曲 面打印激光實時燒結固化的方法。本發明利用激光實時燒結工藝可以 完成打印結構的瞬間燒結、固化，同時可以通過激光能量密度等工藝 參數調節固化程度，得到可控的截面形狀，從而在曲面上得到理想的 微納結構圖案，
華中科技大學
2021-04-14
基于激光誘導的 3D 生物打印系統及方法
本發明公開了一種基于激光誘導的 3D 生物打印系統及方法，包括激光陣列產生系統、固定件、三 維移動平臺、實時監控系統和控制中心，其中:激光陣列產生系統，用來產生單束或多束的激光陣列， 且產生的激光陣列照射至透明基板上表面;固定件，用來將透明基
武漢大學
2021-04-14
星載激光測高儀在軌檢校方法及系統
本發明提出一種星載激光測高系統在軌檢校方法及系統，在現有的在軌檢校方法的基礎上，根據已 知地表先驗模型，建立星載激光測高儀的測距模型；基于測距模型，建立系統誤差與測距殘差的關系； 利用實測距離值與測距模型計算距離值生成測距殘差，利用測距殘差實現了對測高系統系統誤差中的裝 配誤差及測距誤差的在軌檢校。本發明技術方案能夠很好地檢校系統誤差，避免了姿態機動。
武漢大學
2021-04-14
面向5G前傳的高速半導體激光器
5G新基建是國家的重要發展戰略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當前5G建設的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對解決光通信“空芯化”問題，推進“中國芯”國家重大戰略實施，保障我國通信基礎設施安全具有重要的經濟和社會效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規的DFB激光器面臨嚴重的高溫高帶寬瓶頸。面對5G應用要求的-40~85℃的寬溫應用場景，常規DFB激光器芯片往往是超頻運行，嚴重影響可靠性。因此，研制全國產寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時兼顧低成本高可靠需求對推進“中國芯”國家重大戰略實施具有重要意義。
本成果創新性地提出一種溝中溝脊波導DFB激光器結構，相比較常規DFB激光器，在脊兩側對稱的刻蝕兩個溝槽。此結構可抑制注入載流子的橫向擴散，提高對光場的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實測寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達到商用需求。同時，相比較常規芯片，其制作過程只需多加一步簡單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時的老化試驗，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。
圖1（a）常規DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖
圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應曲線對比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應帶寬對比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線
圖3（a）（b）25℃和85℃下常規芯片與溝中溝脊芯片2000小時老化實驗結果，功率變化小于0.5%
華中科技大學
2022-10-11
采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
本發明公開了一種采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數字建模，并將三維數字模 型信息輸入到激光選區燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將
華中科技大學
2021-04-14