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一種表面缺陷電磁超聲檢測方法，屬于無損檢測技術(shù)，解決現(xiàn) 有電磁超聲檢測方法中提離距離的變化影響檢測準(zhǔn)確度的問題。本發(fā) 明通過改變電磁超聲傳感器檢測探頭的提離距離，測量不同提離距離 下標(biāo)準(zhǔn)試樣的信號，并進行信號處理，得到提離斜率，利用不同缺陷 深度下提離斜率與缺陷深度的關(guān)系，建立相應(yīng)的擬合函數(shù)；將檢測待 測缺陷所得到的提離斜率代入所述擬合函數(shù)，達到定量檢測缺陷的目 的。本發(fā)明簡單易行，與現(xiàn)有的采用峰峰值強度和透射系數(shù)定量檢測 缺陷的方法相比，本發(fā)明可以減少檢測探頭提離距離的影響，而且不 用在檢測過程中

供水管網(wǎng)是城市重要的基礎(chǔ)設(shè)施，其穩(wěn)定運行對于保障居民供水安全十分重要。供水管道的腐蝕與結(jié)垢對管網(wǎng)運行危害很大。首先，腐蝕使得管道變薄，降低使用年限，容易發(fā)生管網(wǎng)漏損；其次，管垢發(fā)育降低了過水截面積，增大了泵站能耗；此外，管垢鈍化層的破壞導(dǎo)致內(nèi)容物的大量釋放，是導(dǎo)致北京市2008年“黃水”問題的主要原因。因此，深入研究管道腐蝕變化過程，揭示腐蝕與結(jié)垢產(chǎn)物組成及變化、探尋維持管道穩(wěn)定的控制因素，對于保障供水管網(wǎng)安全運行十分重要。該論文基于課題組開發(fā)的供水管道管垢生長與破裂電化學(xué)模擬測試平臺，對不同次氯酸鈉濃度作用下的球墨鑄鐵材質(zhì)供水管道的早期腐蝕和結(jié)垢特性開展了連續(xù)研究。利用極化曲線和交流阻抗技術(shù)對管道的電化學(xué)腐蝕過程進行了監(jiān)測，分析了腐蝕動態(tài)變化過程；并對管道表面的腐蝕結(jié)垢產(chǎn)物進行形貌、成分分析，利用電容轉(zhuǎn)化參數(shù)對管道表面的腐蝕與結(jié)垢產(chǎn)物的附著情況進行表征，提出了表征管垢狀態(tài)的定量化指標(biāo)，實現(xiàn)了電化學(xué)指標(biāo)與管垢狀態(tài)指標(biāo)之間的關(guān)聯(lián)分析。該研究結(jié)果表明，與傳統(tǒng)的游離氯消毒不同，投加次氯酸鈉消毒劑可影響碳酸鈣在管壁的附著傾向和沉積量，進而影響球墨鑄鐵的腐蝕過程和腐蝕產(chǎn)物的轉(zhuǎn)化過程，并在此基礎(chǔ)上提出了投加次氯酸鈉消毒劑對管網(wǎng)腐蝕和管垢發(fā)育的三階段概念模型。該研究對于供水、排水、再生水管道研究和工程實踐有很好的指導(dǎo)價值。投加次氯酸鈉影響管道腐蝕和結(jié)垢過程的概念模型?論文鏈接：https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0043135420302797

本實用新型涉新穎性、創(chuàng)造性在于研發(fā)了一種對燃?xì)夤艿赖谋O(jiān)測裝置。管道于地下，易導(dǎo)致燃?xì)庑孤?為此沿管道上方地表處埋設(shè)具有內(nèi)置滑道的多孔篩細(xì)管，細(xì)管內(nèi)沿滑道設(shè)置傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點.每個傳感器節(jié)點同這三線相連且密封接點.當(dāng)氣敏傳感器檢測到燃?xì)夂螅盘柦?jīng)過555送往單片機。每個節(jié)點擁有唯一的地址碼存于內(nèi)存之中，知道地址碼就可以判定傳感器的位置.當(dāng)單片機接到555送來的信號，立即通過信號線發(fā)送具有地址碼的報警信息.

本發(fā)明公開了一種管道彎頭脈沖渦流檢測裝置，主要包括脈沖 渦流傳感器、第一導(dǎo)向桿、第二導(dǎo)向桿、轉(zhuǎn)軸及扭簧、信號激勵電路、 信號處理電路、A/D 轉(zhuǎn)換裝置和計算機系統(tǒng)，脈沖渦流傳感器包括激 勵單元和接收單元。計算機通過電纜連接信號激勵電路，控制激勵單 元產(chǎn)生信號，在管道彎頭中激勵出電磁場，當(dāng)激勵停止時，接收單元 接收激勵磁場在管道彎頭中擴散產(chǎn)生的二次磁場，并將其轉(zhuǎn)換為電信 號，經(jīng)過信號處理電路和 A/D 轉(zhuǎn)換裝置后輸入計算機，通過計算機處 理獲得管道彎頭的缺陷信息。由于在使用過程中，激勵與接收單元始 終

1. 項目背景（1）壓力容器設(shè)計及制造技術(shù):A1級，指超高壓容器、高壓容器（包括單層、多層）；A2級，指第三類低、中壓容器；A3級，指球形儲罐；A4級，指非金屬壓力容器；C1級，指鐵路罐車；C2級，指汽車罐車、長管拖車；C3級，指罐式集裝箱；D1級，指第一類壓力容器；D2級，指第二類壓力容器；SAD級，指壓力容器應(yīng)力分析設(shè)計。（2）壓力管道設(shè)計及制造技術(shù)：GA類（長輸管道）；GB類(公用管道)；GC類（工業(yè)管道）；GD類(動力管道)。2. 技術(shù)優(yōu)勢提供質(zhì)量體系文件及相關(guān)產(chǎn)品圖紙，負(fù)責(zé)人員培訓(xùn)及取證許可咨詢；質(zhì)量體系文件及相關(guān)產(chǎn)品圖紙均符合現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范要求。3. 技術(shù)水平質(zhì)量體系文件及相關(guān)產(chǎn)品圖紙均符合現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范要求。

本發(fā)明涉及一種科研實驗系統(tǒng)，尤其是一種管道泄漏檢測定位實驗系統(tǒng)及其檢測方法，用于實現(xiàn)不同泄漏檢測方法對長距離輸送氣體、液體管道的泄漏檢測及定位實驗。本發(fā)明包括輸送管道、介質(zhì)（水、油、氮氣）輸送裝置、負(fù)壓波檢測裝置和聲發(fā)射檢測裝置。為了模擬實際泄漏場景，該管道泄漏檢測定位實驗系統(tǒng)提供一種泄漏模擬方式，即將帶有控制閥的一段直管道換在管道中的任意可替換管節(jié)處，控制閥后端上安裝有渦輪流量計，這樣可以模擬管道在不同位置泄漏的情況，達到對多點泄漏的模擬結(jié)果。其

本發(fā)明涉及一種科研實驗系統(tǒng)，尤其是一種管道泄漏檢測定位實驗系統(tǒng)及其檢測方法，用于實現(xiàn)不同泄漏檢測方法對長距離輸送氣體、液體管道的泄漏檢測及定位實驗。本發(fā)明包括輸送管道、介質(zhì)（水、油、氮氣）輸送裝置、負(fù)壓波檢測裝置和聲發(fā)射檢測裝置。為了模擬實際泄漏場景，該管道泄漏檢測定位實驗系統(tǒng)提供一種泄漏模擬方式，即將帶有控制閥的一段直管道換在管道中的任意可替換管節(jié)處，控制閥后端上安裝有渦輪流量計，這樣可以模擬管道在不同位置泄漏的情況，達到對多點泄漏的模擬結(jié)果。其次，通過調(diào)節(jié)控制閥的開度可以模擬不同大小的泄漏孔，泄

本實用新型公開了一種管道彎頭脈沖渦流檢測裝置，主要包括脈沖渦流傳感器、第一導(dǎo)向桿、第二導(dǎo)向桿、轉(zhuǎn)軸及扭簧、信號激勵電路、信號處理電路、A/D 轉(zhuǎn)換裝置和計算機系統(tǒng)，脈沖渦流傳感器包括激勵單元和接收單元。計算機通過電纜連接信號激勵電路，控制激勵單元產(chǎn)生信號，在管道彎頭中激勵出電磁場，當(dāng)激勵停止時，接收單元接收激勵磁場在管道彎頭中擴散產(chǎn)生的二次磁場，并將其轉(zhuǎn)換為電信號，經(jīng)過信號處理電路和 A/D 轉(zhuǎn)換裝置后輸入計算機，通過計算機處理獲得管道彎頭的缺陷信息。由于在使用過程中，激勵與接收單元始終與管道接觸面

本發(fā)明公開了一種管道彎頭脈沖渦流檢測裝置，主要包括脈沖渦流傳感器、第一導(dǎo)向桿、第二導(dǎo)向桿、轉(zhuǎn)軸及扭簧、信號激勵電路、信號處理電路、A/D 轉(zhuǎn)換裝置和計算機系統(tǒng)，脈沖渦流傳感器包括激勵單元和接收單元。計算機通過電纜連接信號激勵電路，控制激勵單元產(chǎn)生信號，在管道彎頭中激勵出電磁場，當(dāng)激勵停止時，接收單元接收激勵磁場在管道彎頭中擴散產(chǎn)生的二次磁場，并將其轉(zhuǎn)換為電信號，經(jīng)過信號處理電路和 A/D 轉(zhuǎn)換裝置后輸入計算機，通過計算機處理獲得管道彎頭的缺陷信息。由于在使用過程中，激勵與接收單元始終與管道接觸面相切

石墨烯中電子除了自旋這個內(nèi)秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質(zhì)。單原子缺陷是材料體系中最簡單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對材料性質(zhì)的影響和調(diào)控。物理學(xué)系何林教授課題組長期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發(fā)現(xiàn)缺陷可對石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關(guān)的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實現(xiàn)了對其自旋磁矩調(diào)控，實現(xiàn)了三種自旋量子態(tài)；觀測到石墨烯中單原子缺陷引入的對稱性破缺態(tài)，并系統(tǒng)地測量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結(jié)構(gòu)，有A和B兩套子格，因此波函數(shù)數(shù)學(xué)形式上類似于自旋。對于電子自旋有很多有意思的可觀測物理現(xiàn)象，那么對應(yīng)石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測的物理現(xiàn)象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發(fā)現(xiàn)石墨烯中的單原子缺陷可以使準(zhǔn)粒子在石墨烯手性不同的兩個谷之間發(fā)生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉(zhuǎn)，在缺陷附近產(chǎn)生一個原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數(shù)直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測量需要借助于外加磁場，因為磁場可以驅(qū)動準(zhǔn)粒子沿閉合的軌跡絕熱運動，所以這一的結(jié)果提供了一個簡單的方法測量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實空間中增加的額外波前條紋數(shù)直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數(shù)，從而可直接測量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對雙層石墨烯進行了詳細(xì)的研究，并將相關(guān)結(jié)果推廣到多層石墨烯體系。進一步他們還研究了相同和相反繞數(shù)的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結(jié)果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現(xiàn)象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。