一種單相α-Si3N4超細粉體及其制備方法
本發明涉及一種單相α?Si3N4超細粉體及其制備方法。其技術方案是:先將5——30wt%的單質硅粉、15——45wt%的固態氮源和40——80wt%的鹵化物粉混合均勻,制得混合物;再將所述混合物置入管式電爐內,在氮氣氣氛下以2——10℃/min的升溫速率升至1000——1300℃,保溫2——6小時;然后將所得產物用去離子水反復清洗,直至分別用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出現白色沉淀為止;最后在110℃條件下干燥10——24小時,即得單相α?Si3N4超細粉體。本發明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產率高和產業化前景大的特點;所制備的單相α?Si3N4超細粉體粒度為100——500nm,無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。
(注:本項目發布于2015年)
武漢科技大學
2021-01-12