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一種半剛性基層與粒料柔性基層的過渡結構
本實用新型公開了一種半剛性基層與粒料柔性基層的過渡結構，其特征在于半剛性基層為水泥穩定碎石基層和低劑量水泥穩定碎石底基層的基層結構，粒料柔性基層為級配碎石上基層；過渡結構包括鋪設在面層和基層之間的玻纖格柵過渡層、水泥穩定碎石斜坡式過渡結構和鋪筑在斜坡上的粒料柔性基層結構三部分；柔性基層下方是水泥穩定碎石下基層和底基層；基層上方均為相同結構的瀝青面層，底基層下方均為路基。本實用新型實現了半剛性基層和粒料柔性基層之間剛度和強度的連續過渡，減少了差異沉降、裂縫和變形等破壞問題，也方便了后期彎沉指標驗收。
安徽建筑大學
2021-01-12
有機染（顏）料清潔生產及濃鹽水處理關鍵技術
染（顏）料及醫藥中間體是國民經濟和國計民生密切相關的重要產業，我國染（顏）料生產能力、產量及出口量已遠超其他國家。然而生產技術的相對滯后、生產效率低下及污染嚴重等問題已成為嚴重影響行業發展、危害人體健康和生態安全的瓶頸問題。我國“十一五”至“十三五”發展規劃、天津市中長期發展規劃以及2015年國務院最新發布的《水污染防治行動計劃》均把染（顏）料行業清潔生產以及加快行業結構調整，向綠色化、高端化發展提升到國家經濟發展戰略高度。在這一背景下，本項目組以天津城建大學和天津大學研發、天津煒杰科技有限公司和山
天津城建大學
2021-01-12
高溫固體散料自均衡熱量蓄存及余熱分級提取技術
工業中大部分高溫固體散料是寬粒徑分布（0.1-20mm）的混合物料，微細粉體填充在塊料的空隙，冷卻氣體既吹不起散料，也穿不透散料，難以直接從散料取走熱量；移動床內間接換熱過程中管間距過大換熱不充分，管間距過小顆粒易堵塞，熱回收效率低；高溫散料的粒度覆蓋范圍寬、產率及溫變跨度大，余熱回收難度大、效率低，技術不成熟。針對現有的余熱回收工藝適用性差、回收效率低，對于含微細粉體且粒度分布寬、產率及溫變跨度大的余熱散料難以有效回收的現狀，設計開發適應粒度、產率和溫度寬范圍變化的高溫散料均勻布料裝置和自均衡連續出料裝置；研發以散料側多頻喘動及流體側強化換熱為特征的間壁式換熱技術；提出適用于粒度、溫度和產率寬閾度變化的熱質自均衡蓄存技術與熱量分級提取方法，形成組合式散料蓄存與余熱分級提取工藝。
北京科技大學
2021-04-13
應力吸收層瀝青混合料貫入試驗數值分析與試驗評價
采用灰關聯分析法，提出了瀝青高溫黏度和軟化點是影響應力吸收層瀝青混合料高溫抗剪變形能力的兩個主要因素。 明確了粗細集料分布均勻的應力吸收層混合料級配范圍；提出了破壞荷載、破壞模量等評價應力吸收層瀝青混合料抗剪性能的主要指標；可進行應力吸收層瀝青混合料的級配設計和應力吸收層復合式路面結構高溫抗剪性能的評價。
天津城建大學
2021-01-12
粉煤灰等固體廢棄物的塑料填料/母料技術
上海交通大學
2021-04-13
超聲引發溶液聚合制備納米鐵聚合物復合材 料
本發明涉及超聲引發溶液聚合制備納米鐵聚合物復合材料的方法。將三氯化鐵、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、甲苯和偶氮二異丁腈混合均勻，在氮氣保護條件下超聲輻射，得到反應后溶液；向反應后溶液中加入無水甲醇進行沉淀，過濾得到沉淀物，將沉淀物洗滌、真空烘干并研磨得納米鐵聚合物復合材料，聚合物復合材料為灰黑色固體粉末。本發明在使用氮氣保護、不加入還原劑的條件下，超聲輻射，鐵離子被還原成納米鐵顆粒，同時 MMA、St原位聚合，一步直接合成了納米鐵聚合物復合材料，這是一種相對綠色、節能又環保的方法。
安徽理工大學
2021-04-13
一種基于光學天線的片上無線光通信系統
本發明公開了一種基于光學天線的片上無線光通信系統，現有關于光學頻段天線的發明與研究多是基于諸如透鏡、反射鏡等傳統光學器件，這些設計只適用于較大的光學范圍。本發明利用金屬光學天線自身的定向輻射特性，采用片上系統集成的方式，將光學天線發射基站、反射單元、光學天線中繼單元以及光學天線接收終端構成基于光學天線的片上無線光通信系統。該系統能夠大大降低通信網絡中器件的串擾與功耗，同時使得系統空間響應大大減小達到亞波長量級，進而提高整個光纖通信網絡的傳輸帶寬與響應速度。
浙江大學
2021-04-11
借助石墨烯實現Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長
北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。
北京大學
2021-04-11
提高金屬零件上耐蝕性能的高溫鎰系磷化技術
該項目針對 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四種含銘、線合金鋼難磷 化及磷化膜耐蝕性能低的實際生產難題，深入研究磷化膜的形成過程和磷化機理, 探討含銘、線合金鋼難磷化的內在原因；通過工藝優化，開發出了解決上面4 種合金難磷化問題的高溫鎰系黑色磷化新技術，開發了新工藝，應用于某廠，建 成了年處理各類零件1200萬件的磷化生產線一條，使廢品率由原來的8~10%降 低為現在的0.5%以內。每年產生直接經濟效益近600萬元，節約成本150萬元。
重慶大學
2021-04-11
植物乳桿菌產細菌素研究及其在發酵香腸上的應用
一、成果簡介 該課題受北京市自然科學基金項目“植物乳桿菌素對肉源李斯特氏病原菌作用機理研究”的資助，鑒于化學防腐劑在食品防腐應用中的不安全性，重點開展了新型生物防腐劑乳酸菌細菌素產生菌株的篩選，活性細菌素的分離純化，細菌素及其產生菌株的應用研究。二、技術指標 從傳統宣威火腿中分離篩選出一株高產
中國農業大學
2021-04-14