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       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。    您也可以直接登錄淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯系更加方便！ 特點： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；  ※ 符合標準曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯系更加方便！ 參數： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標準曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達：75V； ※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。 ???????

（專利號：ZL 201410008976.3） 簡介：本發明公開了一種用于催化氧化NO的鈦基載體負載VPO催化劑及其制備方法，屬于大氣污染治理技術領域。該催化劑以N摻雜TiO2為載體，負載VPO活性組分，經以下方法制備得到：首先，取一定量的TiO2和氮源化合物加入蒸餾水中，經攪拌、干燥、煅燒等步驟后獲得載體；其次，將活性組分前驅體和還原劑按比例加入有機酸溶液中，經攪拌、水浴、干燥等步驟后得到VPO活性組分；最后，將載體和VPO活性組分按一

（專利號：ZL 201410008976.3） 簡介：本發明公開了一種用于催化氧化NO的鈦基載體負載VPO催化劑及其制備方法，屬于大氣污染治理技術領域。該催化劑以N摻雜TiO2為載體，負載VPO活性組分，經以下方法制備得到：首先，取一定量的TiO2和氮源化合物加入蒸餾水中，經攪拌、干燥、煅燒等步驟后獲得載體；其次，將活性組分前驅體和還原劑按比例加入有機酸溶液中，經攪拌、水浴、干燥等步驟后得到VPO活性組分；最后，將載體和VPO活性組分按一

將城市污水處理廠的脫水污泥利用中水調制到適當濃度，然后對污泥進行熱堿預處理，使污泥細胞破壁，充分釋碳。在中溫條件下進行堿性厭氧發酵生產VFAs（揮發性脂肪酸），發酵后污泥在利用木屑和氯化鎂聯合調理后通過板框壓濾機進行高干脫水實現發酵液的回收并去除發酵液中部分的氮和磷。回收得到的 富含 VFAs 的發酵液添加到城市污水處理廠的生物處理單元，作為補充碳源，強化污水的生物脫氮除磷，從而達到去除污染物的目的。具體技術內容包括污泥預處理、污泥厭氧發酵產酸、污泥深度脫水以及有機 酸強化污水脫氮除磷技術。

簡介：本發明公開了一種顯示中高牌號無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法，屬于金相檢驗分析技術領域。該侵蝕劑的成分及配比為：苦味酸1.5～2.0g，蒸餾水35～50ml，鹽酸0.4～0.6ml，無水氯化銅0.3～0.5g，十二烷基苯磺酸鈉0.5～1g。該侵蝕劑的侵蝕方法：先將已配好的侵蝕劑加熱至沸騰狀態，然后把已加工好的試樣拋光面朝下，懸置于侵蝕劑中，侵蝕時間8～15s；侵蝕結束后先對侵蝕表面進行清水沖刷和棉球擦拭處理；然后將試樣在拋光機1/2半徑處拋光5～10s。本發明侵蝕時間短，操作程序簡單；可快速觀察到中高牌號無取向硅鋼清晰的一次、二次凝固枝晶組織，從而能為優化其連鑄工藝，增加鑄坯等軸晶比例提供技術依據。  

本發明公開了一種三相混晶二氧化鈦材料的制備方法。包括以下步驟：1)將鈦前驅體加入堿溶液中，鈦前驅體與堿溶液的體積比為1:10~25，持續攪拌1~5h；2)將步驟1)的沉淀用100~300mL水分2~6次洗滌，在40~160mL酸溶液中重新分散，攪拌10~45min；3)將步驟2)的混合物置于100~200mL具四氟內膽的水熱反應釜中，150~200℃下水熱反應12~36h；4)將步驟3)的沉淀水洗至上清液呈中性，干燥，得到三相混晶二氧化鈦材料。本發明采用一步反應法制備晶型比例可控的三相混晶二氧化鈦材料，具有方法簡便、無需高溫煅燒等優點。

近日，由南京郵電大學信息材料與納米技術研究院、省部共建有機電子與信息顯示國家重點實驗室培育基地黃維院士、新加坡國立大學化學系劉小鋼教授（教育部長江講座教授）以及福州大學楊黃浩教授帶領的國際合作團隊在長期研究的基礎上，發現了一類含有銫和鉛重原子成分的全無機鈣鈦礦納米晶閃爍體，在X射線閃爍體研究領域取得突破性的重大進展。相關研究成果已發表在《自然》雜志。 　　X射線成像技術廣泛應用于醫學診斷、國防工業、核技術和輻射安全檢測等重要領域，X射線技術應用中的核心器件是閃爍體材料，它可將高能X光子轉化為低能量的可見光，以實現X射線檢測與成像，常用于輻射探測和安全防護。但是，目前絕大多數的閃爍體材料在高溫條件下煅燒合成，不僅價格昂貴，而且對X射線光子能量的轉化效率有限，同時其輻射發光波長也不易調控，此次黃維院士團隊的新發現使解決X射線檢測與成像技術中這一技術難題成為可能。 　　相較于傳統閃爍體，基于全無機鈣鈦礦納米晶制備而成的新型閃爍體在可見光區可調諧，對X射線具有非常高效的輻射發光響應，不僅實現了基于該新型閃爍體的彩色輻射發光顯示，還證實了該納米材料在超靈敏X射線檢測和高分辨X射線成像技術領域的應用。研究發現表明銫和鉛重原子成分能夠使閃爍體具有較強的X射線吸收能力、高效的三重態發光特征、可調控的電子能級結構以及較快的輻射發光速率。利用該類無機材料的本征特性以及簡易廉價的納米合成技術，黃維院士團隊實現了對X射線光子的高效轉化和發光顏色的精細調控，為多彩輻射發光顯示技術和超靈敏X射線檢測與成像技術發展提供堅實的基礎。此外，新型閃爍體的發現為制備大面積柔性閃爍體膜提供了可能性，可極大地提高X射線檢測與成像靈敏度，降低X射線在醫學診斷和X光機安全檢查等方面的輻射使用劑量，使得基于X光的應用更加安全。 　　該研究成果對X射線閃爍體材料的發展與應用具有極為重要的科學意義，為實現閃爍體材料的性能調控提供了全新思路和途徑。這類鈣鈦礦納米晶閃爍體的出現，不僅能夠大大促進X射線檢測技術與成像原理在醫學成像、國防工業、安全檢查和高能物理研究等眾多傳統領域的進一步發展，同時也在基于納米發光材料的新興領域如光動力療法具有廣闊的應用前景。 　　相關研究工作以“All-inorganic Perovskite Nanocrystal Scintillators”為題于8月27日于Nature雜志在線發表，我校信息材料與納米技術研究院黃維院士為本論文的共同通訊作者。該研究工作得到了國家重大科學研究（973）計劃（2015CB932200 鈣鈦礦型太陽電池的基礎研究）和國家自然科學基金（21635002, 21471109, 21210001、21405143）的支持。 　　據悉，2014年以來，黃維院士領銜的創新團隊已相繼在《自然》（Nature）《自然•材料》（Nature Materials）《自然•納米技術》（Nature Nanotechnology）《自然•光子學》（Nature Photonics）和《自然•通訊》（Nature Communications）等國際頂尖學術期刊上發表一系列重要學術成果。此次發現的全無機鈣鈦礦納米晶閃爍體實現多彩輻射發光和超靈敏X射線檢測，是該團隊在Nature系列期刊上的又一佳作，標志著該團隊在高端人才引育、科研成果體現、交叉學科建設和國際交流合作等方面取得突出成效，同時，進一步夯實了南京郵電大學建設世界一流學科的學術基礎。

本發明公開了一種油溶性Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３雙發射納米晶及其制備方法，其具體制備步驟包括：（１）微乳法合成全無機ＣｓＰｂＢｒ３鈣鈦礦納米晶前驅體；（２）鹵素離子交換輔助的Ｍｎ?ｔｏ?Ｐｂ的離子交換。該制備方法是在室溫下進行，過程簡單、容易操作、原料供給方便、原料價格低廉，在一般的化學實驗室均能完成，易于推廣；所制備的Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３納米晶，具有來自鈣鈦礦本征發射和Ｍｎ離子發射兩個發射峰；該制備方法獲得的Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３雙發射納米晶不僅具有高的５６％熒光量子產

小試階段/n樹脂基復合材料是以有機高分子材料為基體、高性能連續纖維為增強材料通過復合工藝制備而成的具有明顯優于原組分性能的一類新型材料。但樹脂具有脆性，其復合材料一般要引入具有一維特征的增強相，如纖維、晶須和納米管等。這種增強相有兩種引入方式：一種是外加引入，另外一種是原位生成。往樹脂基體中單獨添加碳晶須、碳納米管或氧化鋁晶須等一維增強相時，材料的性能在一定程度上有提高，但增強相在樹脂解題中的分散問題沒有解決；在樹脂基體中原位生成碳納米管等一維增強相時，有助于常溫性能的改善，但是僅有碳納米管的存在，

本發明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案 是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預 混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后， 以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發明合成的一 維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。