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一種光功率分束器
本發(fā)明公開了一種光功率分束器，包括襯底以及在襯底上自下 而上依次排列的包層、下導(dǎo)波層和上導(dǎo)波層；上導(dǎo)波層為圖形層，沿 水平面上向右方向依次刻蝕有輸入波導(dǎo)、準(zhǔn)直透鏡、光束整形透鏡組、 相移光柵、傅里葉變換透鏡、第一相位補(bǔ)償結(jié)構(gòu)、直流分量相移器、 第二相位補(bǔ)償結(jié)構(gòu)和輸出波導(dǎo)陣列；其中，準(zhǔn)直透鏡、光束整形透鏡 組、相移光柵、傅里葉變換透鏡、第一相位補(bǔ)償結(jié)構(gòu)、直流分量相移 器和第二相位補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的厚度相同；輸入波導(dǎo)和輸出波導(dǎo)陣
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多光束分束器
本發(fā)明公開了一種多光束分束器，其特征在于，所述多光束分 束器為柱狀光波導(dǎo)，所述光波導(dǎo)的橫截面為等邊多邊形，邊數(shù)為 L； 工作時(shí)，待分束的光束與光波導(dǎo)的主軸呈銳角，從光波導(dǎo)的一端入射， 入射后的光束在所述光波導(dǎo)內(nèi)經(jīng)光波導(dǎo)不同的側(cè)面多次全部反射，最 終均勻分成多束子光束從光波導(dǎo)另一端出射。本發(fā)明提供的多光束分 束器，結(jié)構(gòu)簡單，分束均勻，尤其是能實(shí)現(xiàn)奇數(shù)份均勻分束，光損耗 小，可實(shí)現(xiàn)分光器復(fù)用，并可應(yīng)用于光通信、光檢測等領(lǐng)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多光束分束器
本發(fā)明公開了一種多光束分束器，其特征在于，所述多光束分 束器為柱狀光波導(dǎo)，所述光波導(dǎo)的橫截面為等邊多邊形，邊數(shù)為 L； 工作時(shí)，待分束的光束與光波導(dǎo)的主軸呈銳角，從光波導(dǎo)的一端入射， 入射后的光束在所述光波導(dǎo)內(nèi)經(jīng)光波導(dǎo)不同的側(cè)面多次全部反射，最 終均勻分成多束子光束從光波導(dǎo)另一端出射。本發(fā)明提供的多光束分 束器，結(jié)構(gòu)簡單，分束均勻，尤其是能實(shí)現(xiàn)奇數(shù)份均勻分束，光損耗 小，可實(shí)現(xiàn)分光器復(fù)用，并可應(yīng)用于光通信、光檢測等領(lǐng)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
VKV型真空有載分接開關(guān)
VKV 型真空有載分接開關(guān)(以下簡稱分接開關(guān)）是一種典型的復(fù)合式分接開關(guān)，它把切換開關(guān)和分接選擇器的功能合二為一，分接開關(guān)借助于開關(guān)頭部法蘭安裝于變壓器箱蓋上。分接開關(guān)上還可加裝轉(zhuǎn)換選擇器，有載分接開關(guān)不帶轉(zhuǎn)換選擇器時(shí)，分接工作位置最多為12 個(gè)，帶轉(zhuǎn)換選擇器時(shí)，分接工作位置最多為23 個(gè)。
VKV 型真空有載分接開關(guān)適用于設(shè)備最高電壓40.5～126kV，最大額定通過電流600A，頻率為50Hz～60Hz，三相接法為D接或Y接中性點(diǎn)調(diào)壓的電力或工業(yè)變壓器，在帶負(fù)載的情況下變換變壓器接頭，來改變變壓器的輸出電壓，以達(dá)到輸出端電壓穩(wěn)定在規(guī)定范圍之內(nèi);或根據(jù)載荷要求來達(dá)到增加或減少輸出電壓，以實(shí)現(xiàn)調(diào)整線路上的電壓的目的。
山東泰開變壓器有限公司
2021-08-26
32003分子結(jié)構(gòu)模型
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
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發(fā)現(xiàn)太陽大氣中磁通浮現(xiàn)時(shí)期的磁繩形成機(jī)制
利用磁場外推發(fā)現(xiàn)90%的事件在耀斑發(fā)生前存在磁繩結(jié)構(gòu)，并且磁繩的三維結(jié)構(gòu)比理論模型復(fù)雜得多。進(jìn)一步的研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)磁繩的torus不穩(wěn)定性參數(shù)（即衰減因子）大于1.3或者kink不穩(wěn)定性參數(shù)（即磁力線纏繞度）大于2時(shí)，90%以上的事件是爆發(fā)型耀斑；而且在所有事件中，利用以上兩個(gè)參數(shù)可以成功判斷70%耀斑事件的類型。因此，這兩個(gè)參數(shù)及其閾值可以為預(yù)報(bào)耀斑是否爆發(fā)提供重要參考。? 大氣科學(xué)學(xué)院周振軍副研究員及合作者通過分析2010年7月至2013年2月的16個(gè)失敗太陽暗條爆發(fā)的磁場和三維爆發(fā)形態(tài)，給出了控制磁繩爆發(fā)的關(guān)鍵參量，除了經(jīng)典的衰減因子以外，暗條頂部的旋轉(zhuǎn)也是其中的一個(gè)重要影響因素。通過構(gòu)建衰減因子和旋轉(zhuǎn)角度的相空間分布，他們發(fā)現(xiàn)達(dá)到或超過衰減因子之后，所有的爆發(fā)都具有強(qiáng)的旋轉(zhuǎn)（50°到130°）。這種旋轉(zhuǎn)可能引發(fā)內(nèi)部或者外部的磁場重聯(lián)，進(jìn)而破壞磁繩的結(jié)構(gòu)，并最終導(dǎo)致失敗爆發(fā)。這一成果說明磁場重聯(lián)在決定磁繩是否爆發(fā)中起到了重要作用，突破了原有的單一控制因素決定磁繩爆發(fā)的理論。
中山大學(xué)
2021-04-13
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具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料
本項(xiàng)目將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域，以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料，是一個(gè)全新的技術(shù)，取得了多項(xiàng)具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果，進(jìn)一步推進(jìn)了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域的應(yīng)用。相關(guān)成果已獲國家發(fā)明專利授權(quán)九項(xiàng)。 納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點(diǎn)，在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。
南開大學(xué)
2021-04-14
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一種核殼結(jié)構(gòu)軟磁復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明公開了一種核殼結(jié)構(gòu)軟磁復(fù)合材料的制備方法。它的步驟如下：1）選取粒徑為100-400目高純鐵粉進(jìn)行粒度配比；2）通入高純氫氣進(jìn)行還原反應(yīng)；3）通入氨氣和氫氣的混合氣體進(jìn)行表面滲氮；4）滲氮過程結(jié)束，最終生成表面包覆Fe4N薄膜的核殼結(jié)構(gòu)鐵粉，F(xiàn)e4N膜厚為0.5-10um；5）將制備好的鐵粉在800-1300MPa的壓強(qiáng)下壓制成環(huán)形的軟磁復(fù)合材料，采用有機(jī)粘結(jié)劑進(jìn)行粘結(jié)；6）將環(huán)形軟磁復(fù)合材料在真空退火爐中進(jìn)行熱處理。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)階段鐵粉芯電阻率低，在中高頻電流中渦流損耗大的缺點(diǎn)，通過表面熱處理工藝對(duì)鐵粉進(jìn)行核殼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高了粉芯的電阻率，較大幅度降低了鐵粉芯的損耗。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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微米級(jí)磁載型TiO2催化劑的制備方法
本發(fā)明提供了一種微米級(jí)磁載型TiO2催化劑，其制備方法包括以下步驟：載體的預(yù)處理、微米級(jí)磁核的制備、微米級(jí)磁載型TiO2催化劑的制備。本發(fā)明以微米級(jí)MCM-41介孔分子篩為載體，首先將納米Fe3O4沉積在MCM-41分子篩孔道內(nèi)，制成微米級(jí)磁核；然后采用溶膠-凝膠法在微米級(jí)磁核的表面原位生成納米TiO2。將微米級(jí)磁核與TiO2耦合后制備成太陽光響應(yīng)高活性微米級(jí)磁載型TiO2催化劑。通過引入Fe3O4，不僅有效擴(kuò)展TiO2光激發(fā)響應(yīng)波長，使催化劑吸收波長紅移，提高太陽光利用率。而且，微米級(jí)磁特性使其更
天津城建大學(xué)
2021-01-12
一種基于微流控通道的磁分離方法及裝置
本發(fā)明公開了一種基于微流控通道的磁分離方法和裝置，所述方法包括：控制樣品液流入微流控通道；對(duì)所述微流控通道中的樣品液施加垂直于微流控通道方向的梯度磁場，使所述樣品液中的不同粒子分離；對(duì)所述微流控通道中的樣品液施加靜態(tài)均勻磁場；對(duì)所述微流控通道中的樣品液施加周期均勻磁場，所述梯度磁場、周期均勻磁場以及靜態(tài)均勻磁場共同作用產(chǎn)生振蕩復(fù)合式梯度磁場，避免所述樣品液中不同的粒子團(tuán)聚；其中，所述微流控通道、所述梯度磁場以及所述靜態(tài)均勻磁場位于 xy 平面內(nèi)，所述周期均勻磁場垂直于 xy 平面。本發(fā)明中涉及的磁分
華中科技大學(xué)
2021-04-14