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一種二硒化鈷/碳納米材料及其制備方法與應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為 1 μm～2μm 的 CoSe2 層以及厚度為 1nm～10nm 的無定形碳層，所述 CoSe2 層生長于所述基底表面，呈現(xiàn)三維片狀結(jié)構(gòu)，所述無定形碳層 附著于所述 CoSe2 層表面，且所述 CoSe2 層與所述無定形碳層的質(zhì)量 比為 90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發(fā)明通過將無定形碳 層附著于 CoSe2 材料表面，從而提高了納米材料的循環(huán)穩(wěn)定性，從而
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種柴油機微粒捕集器DPF碳累積量估計方法
本發(fā)明公開了一種柴油機微粒捕集器DPF碳累積量估計方法，通過壓差傳感器測得DPF前后總壓力差，根據(jù)DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據(jù)灰分質(zhì)量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產(chǎn)生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產(chǎn)生的流阻即可得到積碳所產(chǎn)生的流阻，根據(jù)積碳產(chǎn)生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質(zhì)量通過廢氣質(zhì)量流量和發(fā)動機轉(zhuǎn)速經(jīng)過積分計算得到。本發(fā)明提出了碳積累量增量估計方法，可以基于當前總流阻、當前灰分質(zhì)量和當前廢氣體積流量計算出碳積累量的增量，然后得到當前的碳積累量。本發(fā)明方法得到的DPF碳累積量估計精度更高，而且避免了使用現(xiàn)有估計方法中物理意義不明確的參數(shù)，估計過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時機的準確性。
西南交通大學(xué)
2018-09-19
一種 MnO2/多孔碳膜/鎳復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明公開了一種 MnO2/多孔碳膜/鎳復(fù)合材料的制備方法，屬于 MnO2 薄膜技術(shù)領(lǐng)域。其包括：S1 將潔凈干燥的鎳片置于加熱爐中，通入惰性氣體；S2 將加熱爐升溫至 600℃～1100℃，通入氫和碳氫化合物混合氣體，以形成滲透層和覆蓋在滲透層的石墨烯層；S3 取出表面具有滲透層和石墨烯層的鎳片，并浸漬在腐蝕液中，浸漬時間為0.5h～24h，以使鎳片上的滲透層變?yōu)槎嗫滋寄樱籗4 在常溫常壓下，鎳片置于高錳酸鉀和硫酸的混合溶液中，浸漬 2h～48h。以上方法使得 MnO2 薄膜和多孔碳層結(jié)合牢固，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種高飽和磁化強度磁性納米碳材料的制備方法
本成果來自有重大應(yīng)用前景的橫向項目，它以現(xiàn)有的碳納米管、活性炭等碳材料為原材料，通過化學(xué)的方法成功的制備了碳-鐵合金納米粒子的復(fù)合材料，飽和磁化強度均在50 emu/g以上，最高可達90 emu/g，其穩(wěn)定性和磁性能均高于現(xiàn)有的碳-Fe3O4復(fù)合材料，達到國際領(lǐng)先水平。具有優(yōu)異的電磁屏蔽、微波吸收等性能。主要應(yīng)用：電磁屏蔽、介電材料、吸波隱身、高分子材料添加劑、醫(yī)學(xué)上造影劑、藥物載體等。具有非常廣闊的應(yīng)用前景和市場前景。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法
本發(fā)明公開了一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法，包括如下步驟：S1 粉碎固體垃圾；S2 對所述經(jīng)粉碎的固體垃圾執(zhí)行化學(xué)鏈燃燒處理，所述化學(xué)鏈燃燒溫度范圍為 800℃～1000℃，該化學(xué)鏈燃燒采用經(jīng)過吸附劑修飾的氧載體，該經(jīng)過吸附劑修飾的氧載體粒徑為 0.1mm～0.3mm，所述吸附劑能吸附并固定氣態(tài)氯元素，冷凝并捕獲化學(xué)鏈燃燒獲得的二氧化碳。本發(fā)明方法解決了目前固體垃圾焚燒過程中碳排放量高、同時易產(chǎn)生二噁英的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種碳包覆納米銻復(fù)合材料、其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種碳包覆納米銻復(fù)合材料的制備方法，包括： 將水溶性高分子溶于水中，配成水溶性高分子水溶液，以作為碳源； 將鹵化銻，磷酸銻和硫酸銻中的一種或幾種溶于有機溶劑中，形成銻 化物有機溶劑；將上述銻化物有機溶劑逐滴加入到所述水溶性高分子 水溶液中；將上述混合液冷凍干燥，并在還原性氣氛中燒結(jié)，即可獲 得碳包覆納米銻復(fù)合材料。本發(fā)明還公開了利用上述方法制備的碳包 覆納米銻復(fù)合材料，以及其作為電池負極材料的應(yīng)用。本發(fā)明
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種高性能低碳含Mo貝氏體鋼及其制備方法
小試階段/n一種低碳高強度含Mo貝氏體鋼的制備方法，其特征在于向Fe-C-Mn-Si低碳鋼的冶煉成分中添加Mo，經(jīng)真空冶煉后鑄成鋼坯，將鋼坯軋制成板材；將軋制后的板材以5～10℃/s的升溫速度加熱至880～920℃,保溫10～20 min，水冷至410～430℃，接著空冷至340～360℃，保溫30～40min，水冷至室溫，制得低碳高強度含Mo貝氏體鋼；。所述的低碳高強度含Mo貝氏體鋼的化學(xué)成分及其含量是：C為0.15～0.22 wt%，Si為1.48～1.55 wt%，Mn為1.95～2.04 w
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
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超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設(shè)計技術(shù)
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優(yōu)勢已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機、航空電子、雷達等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學(xué)
2021-04-10
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設(shè)計技術(shù)
本團隊利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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適用于陶瓷PTC裝配技術(shù)的發(fā)熱芯穿管裝置
本發(fā)明公開了一種適用于陶瓷PTC裝配技術(shù)的發(fā)熱芯穿管裝置。包括機架以及安裝在機架上的送管機構(gòu)和發(fā)熱芯夾裝機構(gòu)，機架包括機架上面板、機架下面板和面板撐桿，機架上面板和機架下面板的四角之間通過面板撐桿支撐連接，機架上面板的底面裝有用于裝夾發(fā)熱芯的發(fā)熱芯夾裝機構(gòu)，發(fā)熱芯夾裝機構(gòu)的側(cè)方設(shè)有將套管傳送的送管機構(gòu)。本發(fā)明采用發(fā)熱芯自動穿管技術(shù)，相比手工穿管技術(shù)，極大提高了生產(chǎn)效率。
浙江大學(xué)
2021-04-11