碳化硅材料外延關(guān)鍵技術(shù)研究
小試階段/n本項(xiàng)目研究的碳化硅外延技術(shù)有其特殊性,不同于一般的半導(dǎo)體外延技術(shù), SiC 外延生長(zhǎng)技術(shù)在生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)速率、缺陷和均勻性控制的具體指標(biāo)要求以及實(shí)現(xiàn) 途徑上都突出了電力系統(tǒng)應(yīng)用的特點(diǎn)。目前,國(guó)際上已經(jīng)形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產(chǎn)業(yè)體系。高質(zhì)量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎(chǔ)材料,目前的國(guó)內(nèi)外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發(fā)展趨勢(shì)都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發(fā)展。 目前,幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質(zhì)量的碳化硅
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12