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液態(tài)烷烴回流包碳法制備納米碳化鈦

一種液態(tài)烷烴回流包碳制備納米碳化鈦粉體的方法，以廉價(jià)的水合二氧化鈦為鈦源和液態(tài)的烷烴混 合物(C11-C16)為碳源，工藝步驟依次為備料、回流、干燥、裝料、高溫?zé)崽幚?、取樣。控制原料的回?時(shí)間與回流溫度，可以制備得到不同碳含量的先驅(qū)體粉體，通過不同的熱處理工藝可調(diào)控有機(jī)碳轉(zhuǎn)變?yōu)闊o 機(jī)碳的碳量，從而制備出高純納米碳化鈦粉體。用此法制備的碳化鈦粉體分散性較好，平均粒度為20～ 40nm，平均晶粒度為10～20nm。此法工藝簡單，成本較低，較一般碳熱還原法節(jié)約能源，容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模 化制備。

四川大學(xué) 2021-04-11

通訊波段碳化硅色心的室溫自旋操控

郭光燦院士團(tuán)隊(duì)的李傳鋒、許金時(shí)、王俊峰等人與其合作者在國際上首次實(shí)現(xiàn)了碳化硅中氮-空位（NV）色心的室溫相干操縱，并且實(shí)現(xiàn)了單個(gè)NV色心的可控制備和光探測磁共振譜的探測。這種色心的發(fā)光波長在通訊波段，在量子通信和量子網(wǎng)絡(luò)中具有重要用途，基于這種色心自旋的量子器件十分適合光電集成以及產(chǎn)業(yè)化。該成果于2

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2021-01-12

碳化硅材料外延關(guān)鍵技術(shù)研究

小試階段/n本項(xiàng)目研究的碳化硅外延技術(shù)有其特殊性，不同于一般的半導(dǎo)體外延技術(shù)， SiC 外延生長技術(shù)在生長溫度、生長速率、缺陷和均勻性控制的具體指標(biāo)要求以及實(shí)現(xiàn) 途徑上都突出了電力系統(tǒng)應(yīng)用的特點(diǎn)。目前，國際上已經(jīng)形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產(chǎn)業(yè)體系。高質(zhì)量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎(chǔ)材料，目前的國內(nèi)外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發(fā)展趨勢都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發(fā)展。 目前，幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質(zhì)量的碳化硅

中國科學(xué)院大學(xué) 2021-01-12

一種碳化硅納米線的制備方法

本發(fā)明涉及一種碳化硅納米線的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備 方法如下：將不含氧的碳硅烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或剛玉舟放在耐高 溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性氣體保護(hù)，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－3 小時(shí)后自然 降到室溫。由本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備方法所得產(chǎn)物均為碳化硅納米線，長度 比現(xiàn)有的方法制備的碳化硅納米線提高了 2 個(gè)量級(jí)，且制備方法簡單，原料便宜易得， 設(shè)備要求簡化，成本低。

同濟(jì)大學(xué) 2021-04-11

碳化硅納米粉體分離分級(jí)方法與技術(shù)

項(xiàng)目成果/簡介:創(chuàng)新了一種納米顆粒的分離方法并實(shí)現(xiàn)了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗(yàn)證方法及其實(shí)現(xiàn)裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達(dá)到分離和分級(jí)的目的。技術(shù)方面涉及不同粒徑（質(zhì)量）納米顆粒的荷電狀態(tài)、在電場中的運(yùn)動(dòng)速度（及其分布）、給料時(shí)間間隔、顆粒落點(diǎn)以及收集周期等多種因素的復(fù)雜作用及其之間的優(yōu)化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統(tǒng)分離方法相比，本方法和技術(shù)不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調(diào)節(jié)，分離效果好，可使分離效率大幅提高。應(yīng)用范圍:本項(xiàng)目采用的方法和技術(shù)不是用于納米顆粒的制備，而是將已有的不同粒徑納米顆粒的混料進(jìn)行分離和分級(jí)。效益分析:可用于具有納米顆粒分離、分級(jí)需求的廣泛場合，如電子器件、集成電路制膜的原料準(zhǔn)備和光學(xué)、電子、醫(yī)療等精密部件的磨料準(zhǔn)備，應(yīng)用潛力巨大。知識(shí)產(chǎn)權(quán)類型:發(fā)明專利知識(shí)產(chǎn)權(quán)編號(hào):ZL201610401673.7技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平成果獲得方式:與企業(yè)合作獲得政府支持情況:無

蘭州大學(xué) 2021-04-10

碳化硅納米粉體分離分級(jí)方法與技術(shù)

創(chuàng)新了一種納米顆粒的分離方法并實(shí)現(xiàn)了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗(yàn)證方法及其實(shí)現(xiàn)裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達(dá)到分離和分級(jí)的目的。技術(shù)方面涉及不同粒徑（質(zhì)量）納米顆粒的荷電狀態(tài)、在電場中的運(yùn)動(dòng)速度（及其分布）、給料時(shí)間間隔、顆粒落點(diǎn)以及收集周期等多種因素的復(fù)雜作用及其之間的優(yōu)化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統(tǒng)分離方法相比，本方法和技術(shù)不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調(diào)節(jié)，分離效果好，可使分離效率大幅提高。

蘭州大學(xué) 2021-05-11

高性能碳化硅熱電偶保護(hù)管開發(fā)

碳化硅工程陶瓷材料具有優(yōu)異的高溫性能，能夠滿足高溫和嚴(yán)酷環(huán)境使用環(huán)境。碳化硅工程陶瓷在工業(yè)領(lǐng)域具有最廣泛的應(yīng)用前景、并可能在較短時(shí)間內(nèi)形成產(chǎn)業(yè)化規(guī)模，有巨大的市場潛力。國家科委在“九五”科技攻關(guān)項(xiàng)目“結(jié)構(gòu)陶瓷產(chǎn)品開發(fā)”中安排了“高性能碳化硅熱電偶保護(hù)管開發(fā)”的專題。通過產(chǎn)品開發(fā)牽引形成若干具有特色的高性能碳化硅陶瓷材料制備技術(shù)。

西安交通大學(xué) 2021-01-12

玉米秸稈水熱碳化制取水熱焦炭的研究

本項(xiàng)目組長期從事水熱制取炭基材料的研究，近三年在 Bioresource Technology、Applied thermal engineeringEnergy Conversion and Managements太陽能學(xué)報(bào)等期刊發(fā)表SCI、EI論文5 篇，授權(quán)發(fā)明專利《一種利用生物質(zhì)制備水熱焦的方法》（專利號(hào) ZL201510070287. X）,提出的處理方法與工藝以典型農(nóng)業(yè)廢物玉米秸稈 為原料，在高溫高壓反應(yīng)釜中，進(jìn)行反應(yīng)溫度為180~290°C,停留時(shí)間 為480min的水熱碳化實(shí)驗(yàn)研究，

南京工程學(xué)院 2021-01-12

一種納米級(jí)碳化釩粉末的制備方法

本發(fā)明提供了一種納米級(jí)碳化釩粉末的制備方法。其特征是:以粉狀釩酸銨、碳質(zhì)還原劑和微量稀土等催化劑為原料,按一定配比將它們?nèi)苡谌ルx子水或蒸餾水中,并攪拌均勻,制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥,最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末。將前驅(qū)體粉末置于高溫反應(yīng)爐中,真空或氣氛保護(hù)條件下,于800～950℃、30～60min條件下碳化得到平均粒徑<100nm,粒度分布均勻的碳化釩粉末。本方法具有反應(yīng)溫度低、反應(yīng)時(shí)間短、生產(chǎn)成本低、工藝簡單等特點(diǎn),適合工業(yè)化生產(chǎn)納米級(jí)碳化釩粉末。

四川大學(xué) 2021-04-11

新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法

（專利號(hào)：ZL 201310038265.6） 簡介：本發(fā)明公開一種新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法，屬于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構(gòu)成，在所述襯底的硅面上有一層導(dǎo)電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導(dǎo)電類型的摻雜層，從內(nèi)到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側(cè)設(shè)置有開關(guān)的陽極

安徽工業(yè)大學(xué) 2021-01-12