葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

高性能碳化硅熱電偶保護(hù)管開發(fā)

碳化硅工程陶瓷材料具有優(yōu)異的高溫性能，能夠滿足高溫和嚴(yán)酷環(huán)境使用環(huán)境。碳化硅工程陶瓷在工業(yè)領(lǐng)域具有最廣泛的應(yīng)用前景、并可能在較短時(shí)間內(nèi)形成產(chǎn)業(yè)化規(guī)模，有巨大的市場(chǎng)潛力。國(guó)家科委在“九五”科技攻關(guān)項(xiàng)目“結(jié)構(gòu)陶瓷產(chǎn)品開發(fā)”中安排了“高性能碳化硅熱電偶保護(hù)管開發(fā)”的專題。通過產(chǎn)品開發(fā)牽引形成若干具有特色的高性能碳化硅陶瓷材料制備技術(shù)。

西安交通大學(xué) 2021-01-12

新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法

（專利號(hào)：ZL 201310038265.6） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開一種新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法，屬于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構(gòu)成，在所述襯底的硅面上有一層導(dǎo)電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導(dǎo)電類型的摻雜層，從內(nèi)到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側(cè)設(shè)置有開關(guān)的陽極

安徽工業(yè)大學(xué) 2021-01-12

一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體的制備方法

小試階段/n本發(fā)明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統(tǒng)制備方法相比，此工藝簡(jiǎn)單，成本低，具有較大的市場(chǎng)前景，為非氧化物耐火材料原料的生產(chǎn)提供了一個(gè)新的思路。

武漢科技大學(xué) 2021-01-12

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車輛、電動(dòng)汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國(guó)內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線

電子科技大學(xué) 2021-04-10

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)

本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。

電子科技大學(xué) 2021-04-10

采用激光選區(qū)燒結(jié)工藝制備碳化硅陶瓷件的方法

本發(fā)明公開了一種采用激光選區(qū)燒結(jié)工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預(yù)定質(zhì)量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結(jié) 劑及固化劑倒入球磨罐內(nèi)，并進(jìn)行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計(jì)算機(jī)對(duì)待制備的零件進(jìn)行三維數(shù)字建模，并將三維數(shù)字模 型信息輸入到激光選區(qū)燒結(jié)成型機(jī)，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區(qū)燒結(jié)快速成形工藝進(jìn)行粉末燒結(jié)成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對(duì)所述碳化硅素坯進(jìn)行加熱固化；將

華中科技大學(xué) 2021-04-14

一種碳化硅/二氧化硅同軸納米電纜的制備方法

本發(fā)明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域，具體為碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明中碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護(hù)，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時(shí)后自然降到室溫。利用本發(fā)明所說的方法生成產(chǎn)物均為碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/ 外層）同軸納米電纜，且長(zhǎng)度比現(xiàn)有的方法制備的提高了 2 個(gè)量級(jí)，是迄今為止報(bào)道的 最長(zhǎng)的納米電纜，且制備方法簡(jiǎn)單，原料便宜易得，設(shè)備要求簡(jiǎn)化，成本低，產(chǎn)率高。

同濟(jì)大學(xué) 2021-04-11

一種碳化硅橡膠耐磨材料及其制備方法

一般橡膠都采用炭黑進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng) , 所得到的產(chǎn)品耐磨性和拉伸強(qiáng)度有限 , 性能更好的采用碳纖維共混改性 , 但大大增加了橡膠產(chǎn)品的制造成本。尋找一種能夠滿足性能要求 , 又能夠降低成本的新補(bǔ)強(qiáng)材料成為必然。該成果采用具有高強(qiáng)度 , 高硬度 , 高耐氧化性能的碳化硅對(duì)天然橡膠共混改性 , 采用天然、合成橡膠作為基體材料，以碳化硅 ( 其它填充料 ) 作為填料進(jìn)行共混研究，設(shè)計(jì)并對(duì)比不同方案，以期使橡膠基體與碳化硅微粒間能產(chǎn)生一定的力學(xué)鍵合作用，從而使得橡膠耐磨性很大的提高，同時(shí)保證橡膠的其他力學(xué)和工藝性能。以獲得具有良好力學(xué)性能和廣闊的發(fā)展前景的復(fù)合材料。

西安科技大學(xué) 2021-04-11

碳化硅提純工藝信息化管理子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和研制

碳化硅微粉的提純工藝要求實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)提純罐中微粉溶液的溫度、液位、攪拌機(jī)時(shí)間等參量；如果分別選購(gòu)市場(chǎng)上已有的數(shù)字化測(cè)溫儀、液位計(jì)和攪拌機(jī)運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)（如轉(zhuǎn)速）儀表分別監(jiān)測(cè)相關(guān)參量，還需另外選購(gòu)工業(yè)控制計(jì)算機(jī)（車間環(huán)境溫度夏季高達(dá)50℃以上，普通PC機(jī)無法勝任），以便把測(cè)溫儀、液位計(jì)和（攪拌機(jī)）運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)的信號(hào)實(shí)時(shí)采集和存儲(chǔ)。此方案不僅成本高，而且占用車間生產(chǎn)、物流空間較多，將對(duì)車間正常生產(chǎn)帶來嚴(yán)重影響；為此（受連云港樂園磨料磨具有限公司委托）我們以增強(qiáng)型嵌入式微控制器AT89S52為核心，自行設(shè)計(jì)研制了集提純罐溶液溫度、液位、攪拌機(jī)監(jiān)測(cè)與提純工藝管理于一體的智能化多參量監(jiān)測(cè)儀。該儀器支持時(shí)下流行的在系統(tǒng)編程（In-SystemProgramming）下載技術(shù)，便于今后的程序升級(jí)；采用液晶顯示器和鍵盤作為人機(jī)接口；采用Flash存儲(chǔ)器AT29C010A作數(shù)據(jù)備份之用；采用一主多從的方式通過RS-485總線協(xié)議實(shí)現(xiàn)分布式結(jié)點(diǎn)與上位機(jī)的通信，具有良好的抗干擾能力。

東南大學(xué) 2021-04-10

大容量碳化硅電力電子產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

已有樣品/n在微電子所的技術(shù)支持和協(xié)助下，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司國(guó)內(nèi)首條6英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務(wù)、動(dòng)力、工藝、測(cè)試條件均已完備，可實(shí)現(xiàn)4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發(fā)與制造。與其他半導(dǎo)體材料相比，SiC 具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，以及高熱導(dǎo)率等優(yōu)異物理特點(diǎn)，是新一代半導(dǎo)體電力電子器件領(lǐng)域的重要發(fā)展趨勢(shì)。

中國(guó)科學(xué)院大學(xué) 2021-01-12