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西安科技大學從 1988 年開始就對煤層自燃火災預測及防滅火新技術的研究與應用。對煤的結構特點和煤層自燃的特點，通過對煤自燃預測理論和防滅火新理論的系統研究，開發出了煤層自燃火災預測技術和防滅火新技術，并重點在煤礦井下煤層自燃火災的預測和防治中進行了廣泛推廣和應用，較好地解決了制約我國煤炭工業科技進步的關鍵問題之 ——— 煤層自燃火災的預測和防治問題，取得明顯的社會和經濟效益，于 2002 年獲得了國家科學技術進步二等獎。目前該技術已在全國 20 多個省得到應用。

本發明公開了一種用于脆性材料尤其適用于質子交換膜燃料電池的氣體擴散層的拾放控制方法及系統，該方法包括：通過多自由度機械手的末端拾放機構來執行對材料的拾放操作，同時利用力傳感器檢測接觸力；對所檢測的力信號經過調理和 A/D 處理后作為反饋信號，同時將力期望值作為控制信號由此構建閉環控制并獲得力偏差信號；獲得用于驅動末端拾放機構的伺服電機的實際位置信號，將該信號作為反饋信號同時將電機期望位置值作為控制信號來構建閉環控制并獲得位置偏差信號；將所述偏差信號相疊合以獲得綜合位置偏差信號，并經由伺服放大器相應驅動伺服電機。按照本發明，能夠精確控制拾放接觸力，防止接觸力過大而損壞材料，由此實現脆性材料的可靠拾放。

本發明公開了一種具有車削區溫度解耦功能的刀具，包括車削刀桿和安裝在車削刀桿上的刀片，在刀片內有二個測試微細盲孔，分別用于布置高溫光纖光柵，一個盲孔位于刀具前刀面正下方，另一個盲孔亦位于刀片內部，盲孔底部緊靠刀尖位置。所述一個盲孔的軸線垂直于切削刃，盲孔底部距離切削刃 0.2 至 0.8mm，盲孔距離前刀面為 0.5 至 1.2mm，并偏出刀尖 1 至 1.5mm 位置，用于測試刀屑接觸面的溫度分布。所述另一個盲孔距離刀尖外表面 0.2 至 0.5mm，盲孔軸線與前刀面夾角為 20 至 30°，并指向刀片內部。本發明可以在車削微區域內實現多點測量，動態特性好，能較好的對切削微區生熱進行解耦，具有較強的微區域測試特性，較好的溫度動態顯示特性，以及較高的測試精度。

本發明公開了一種基于局部二值模式的紙幣鑒偽方法，它通過 采用局部二值模式的方法，將采集到的樣本圖像分塊并計算每塊圖像 的特征向量，從而訓練出特征向量模板，再計算出特征向量模板與樣 本的特征向量的余弦值，從而得到這個特征值的取值范圍，當采集到 任一張紙幣圖像，計算出每塊區域的特征向量，再求得兩個向量的余 弦值，看這個值是否在訓練的范圍之內即可判斷真假。本發明方法不 需要人工參與尋找特征，提取出的圖像紋理特征明顯、穩定，適于鑒 偽；不僅能識別各種假幣以及污損幣，并且能返回在鑒別過程中是紙 幣的哪一部分出現了問題，在很好的滿足點鈔機、清分機、自動取款 機、監偽儀等金融設備的需求。

利用大規模集成硅基納米光量子芯片技術，實現對高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調控和量子測量。 （圖一）基于硅納米光波導的大規模集成光量子芯片(可實現對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量)       集成光學量子芯片技術，基于量子力學基本物理原理，使用半導體微納加工工藝實現單片集成光波導量子器件（包括單光子源、量子操控和測量光路，以及單光子探測器等），可以實現對量子信息的載體單光子進行處理、計算、傳輸和存儲等。集成光學量子芯片具有集成度高、穩定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優點。因此，該技術被普遍認為是一種實現光量子信息應用的有效技術手段。      利用硅基納米光波導技術實現的光量子芯片具有諸多獨特優點，例如與傳統微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強、以及工作波長與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復雜度僅限于小規模的演示，如集成少數馬赫-曾德干涉儀對光子態進行簡單操控。因此，我們迫切需要擴大集成量子光路的復雜性和功能性，增強其量子信息處理技術的能力，從而推進量子信息技術的應用。       相干且精確地控制復雜量子器件和多維糾纏系統是量子信息科學和技術領域的一項難點。相對于目前普遍采用的二維體系量子技術，高維體系量子技術具有信息容量大、計算效率高、以及抗噪聲性強等諸多優點。最近，多維度量子糾纏系統已分別在光子、超導、離子和量子點等物理體系中實現。利用光子的不同自由度，如軌道角動量模式、時域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態。然而，實現高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態操控和量子測量，依然面臨很多困難和挑戰。       針對上述問題，英國布里斯托爾大學、北京大學、丹麥技術大學、德國馬普研究所、西班牙光學研究所和波蘭科學院的科研人員密切合作，并取得了突破性進展。研究團隊提出并實現了一種新型的多路徑加載高維量子態方式，即每個光子以量子疊加態的形式同時存在于多條光波導路徑，從而實現了一個高達15×15的高維量子糾纏系統。通過可控地激發16個參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復系數的高維度量子糾纏態。通過單片集成通用型線性光路，可對高維量子糾纏態進行任意操控和任意測量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時，團隊充分利用集成光路的高穩定性和高可控性，實現了高保真度的高維量子糾纏態，如4、8和12維度糾纏態的量子態層析結果分別為96、87% 和 81%保真度，遠超其他方式制備的高維量子糾纏態性能。       更重要的是，團隊通過硅基納米光子集成技術，實現了目前集成度最復雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個光量子元器件，包括16個全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個光學移相器、122個光束分束器、256個波導交叉結構以及64個光柵耦合器，從而達到對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量。       研究進一步利用該高維光量子芯片技術，驗證高維度量子糾纏系統的強量子糾纏關聯特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導引不等式等，證明量子物理和經典物理定律的重要區別。例如，對4維度量子糾纏態，實驗觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數，不僅成功違背經典物理定律61.9個標準差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達值的2.8個標準差。研究還首次實現高維量子系統的貝爾自檢測和量子隨機放大等新功能，例如，對3維度最大糾纏態和部分糾纏態的自檢測保真度約為76%，對14維以下糾纏態均實現了量子隨機放大功能。

首次制備出了基于非鉛雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6的高質量薄膜及其太陽能電池。對于傳統的鉛基鈣鈦礦材料，其結構為APbX3, 如果用一個一價金屬和三價金屬來代替兩個鉛，即可形成結構式為A2M+M3+X6的雙鈣鈦礦，又名冰晶石。雙鈣鈦礦是一個非常龐大的家族，理論計算可以形成這種組合的有超過9000種，目前有350種已經被合成。根據計算，有11材料有潛力用于光伏器件。目前已經被合成的有5種左右，但是鮮有雙鈣鈦礦電池報到。其主要原因在于很難制備高質量的雙鈣鈦礦薄膜。通過自己搭建的低壓輔助設備首次制備出了高質量的雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6薄膜，研究發現，該薄膜的熱穩定性遠遠好于傳統的鉛基有機－無機雜化鈣鈦礦材料。將其用做吸光層，制備出了平面異質結太陽能電池。基于該薄膜的電池在空氣中有很好的穩定性，對于無空穴傳輸層的器件在空氣中放置超過4個月其效率沒有衰減。說明雙鈣鈦礦在太陽能電池的應用中有非常大的潛力。相關成果發表在《Advanced Science》 （The Dawn of Lead-Free Perovskite Solar Cell: Highly Stable Double Perovskite Cs2AgBiBr6 Film, Adv. Sci. 2018, 5(3), 1700759）。

北京大學“極端光學創新研究團隊”發展了一種高精度的暗場光學成像定位技術(位置不確定度僅21 nm)，并結合電子束套刻工藝，實現了片上量子點微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導的精確、并行、無損集成。這種微盤-銀納米線復合結構同時具有介質激光器與表面等離激元波導的優勢，因此不僅具有介質激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導的深亞波長場束縛特性?；谶@種靈活、可控的制備方法，他們實現了片上微盤激光器與表面等離激元波導間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復雜集成，并且對量子點無任何加工損傷；進一步，通過同時集成多個片上微盤激光器與多個銀納米線表面等離激元波導，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復合光子回路中具有重要應用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來光子芯片的實現提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點報道。文章的第一作者為北京大學物理學院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國家自然科學基金委、科技部、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、量子物質科學協同創新中心和極端光學協同創新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導的精確、并行、無損集成。