葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

產品詳細介紹主要特點：氣體容量法差壓式定碳、碘量法定硫；單片機控制電路，工作過程全自動操作、徹底消除人為誤差、性能穩(wěn)定可靠；進口精密傳感器檢測數(shù)據(jù)，測量準確，自動打印測量結果。啟動一次完成碳硫全部測定。操作簡單、維修方便。

硫化氫是一種有毒氣體，它的存在嚴重地威脅人身健康，濃度越高,對人體危害越大,當達到1000 mg/m3時,數(shù)秒鐘很快出現(xiàn)急性中毒,呼吸加快,麻痹而死亡[2-6]。我國對環(huán)境大氣、車間空氣中H2S的濃度也已有嚴格規(guī)定：居民區(qū)環(huán)境大氣中H2S的最高濃度不得超過0.01 mg/m3；車間工作地點空氣中H2S最高濃度不得超過10 mg/m3。尤其是地處低洼地帶的集輸站，通風不好，揮發(fā)氣體不宜擴散，很容易發(fā)生中毒事件，給國家財產和人民生命安全造成巨大的損失。 原油是多種物質的混和成份，多為烴類。主要分布于地層中的孔隙和裂縫中。目前在石油中所含有眾多硫化物中，H2S所占的比例較大，其它含硫物質在一定的條件下有時也可能轉化為H2S。原油成分中多為烴類物質，在其中H2S溶解能力比較強，地層中的H2S也就溶解在原油中或是在原油中形成。隨著原油的不斷開采，H2S也就隨著原油被遺棄帶出了地層。一般情況下，在不含水的原油中H2S幾乎不會析出，但是在油井酸化增產作業(yè)過程中以及生產工藝的要求加入了水，使H2S漸漸析出，當原油輸送到聯(lián)合站在儲運的過程中會產生硫化氫氣體逸出，通過儲油罐頂?shù)暮粑y、取樣孔等位置排入大氣。因此，對石油工業(yè)的生產過程，特別是原油儲運的生產過程進行監(jiān)控，及時發(fā)現(xiàn)并控制有毒有害氣體的排放已成為一項非常迫切的任務。

鄂式硫化機分胎面硫化機和擋邊帶硫化機兩種，其中，胎面硫化機配多層自動推拉模，專用于胎面膠硫化生產，產品全部采用自動控制，獲得國家專利。

項目背景：目前國內市場上生產的實心胎硫化機均采用 手動取胎結構，自動的設備現(xiàn)剛剛處于開發(fā)初級階段。目前 實心胎硫化機生產過程需要大量勞動力，其工作環(huán)境惡劣， 手動操作效率低下，勞動強度大，產品質量差，招工困難。 所需技術需求簡要描述：1.實心胎取放時輪胎機械手與 模具中心定位問題，機械手與模具中心定位差不應超過 3mm。 2.實心胎胎坯形狀不規(guī)則，抓取定位問題。實心胎內徑范圍 300-600mm，且在成型時內徑不光滑，重量在 50-260KG，機 械手許抓取牢靠與足夠大的支撐范圍。3.熟胎抓取機械手需 要抓取實心胎外徑，外徑范圍 600-1000mm，輪胎重量在 50-260KG。4.硫化好的胎型芯回拉時有 10000KG 會拉力，需 要熟胎抓取機械手承受力量。輪胎頂出需要有 15000KG 頂出 力。5.硫化好的輪胎擺放問題，多條輪胎擺放要穩(wěn)定。6.一 臺輔機多臺實心胎硫化機共用，輔機與硫化機定位問題。輔 機與主機對齊誤差不應超過 1mm，否則模具推拉會錯位，造 成模具不出拉出硫化機。7.模具規(guī)格在 600-1150mm 范圍內， 模具拉出至輔機時需要模具中心與輔機頂出機構同心，誤差 不能超過 1mm，否則輪胎無法順利頂出。8.模具推拉裝置與 模具結合定位，誤差不能超過 1mm，否則無法順利掛住模具 進行下一步動作。 對技術提供方的要求:擬與高校聯(lián)合開發(fā)，要求團隊具有類似經驗，具備液壓與控制技術相結合的實施案例。 

實心胎硫化機：開發(fā)出齊全系列產品，包括半自動、全自動控制共計4個系列。為輪胎（ATG）公司一次裝備24臺，越南公司一次裝備26臺，臺灣捷泰公司一次裝備32臺。 實心胎硫化機特點：采用PLC控制，觸摸屏設定，自動化程度高，操作方便，安全可靠。分段排氣，可任意設定排氣次數(shù)、時間、壓力等；每層配有進出模軌道，輔機可上升下降，校具可手動進出，上模與輪胎制品可液壓頂出，勞動強度低。

（專利號：ZL 201410557601.2） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的硫化銅(CuS)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為CuS納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述CuS納米顆粒內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將銅粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

（專利號：ZL 201410557604.6） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鎢(WS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為WS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述WS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將鎢粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極材料，

上海交通大學生命科學技術學院、微生物代謝國家重點實驗室吳更教授與武漢大學王連榮、陳實教授團隊合作，揭示了細菌DNA硫化修飾中催化第一步反應的半胱氨酸脫硫酶發(fā)生構象變化，使其活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動5.5埃以發(fā)起攻擊的催化機制。最新研究成果以“Structural Analysis of an L-Cysteine Desulfurase from an Ssp DNA Phosphorothioation System”為題發(fā)表在《mBio》雜志上。劉立瓊等為第一作者，吳更、王連榮為通訊作者，上海交通大學生命科學技術學院、微生物代謝國家重點實驗室為第一單位。本文是團隊自2018年Nature Communications上發(fā)表的細菌采用SBD結構域識別硫化修飾DNA的結構機理及2020年Nature Microbiology上發(fā)表的II型DNA硫化修飾系統(tǒng)的SspB、SspE晶體結構的延續(xù)和擴展。在細菌的DNA硫化修飾（不管是早先發(fā)現(xiàn)的Dnd修飾系統(tǒng)還是新近發(fā)現(xiàn)的Ssp修飾系統(tǒng)）途徑中，都由一個半胱氨酸脫硫酶催化第一步的反應，即半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸對底物半胱氨酸上的硫原子發(fā)起親核攻擊反應，將活化的硫原子轉移到半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸上，以進行后續(xù)的將硫原子加進DNA的反應。2020年4月初團隊在Nature Microbiology上發(fā)表的文章“SspABCD-SspE is a phosphorothioation-sensing bacterial defense system with broad antiphage activities”，從探索海洋弧菌的高頻單鏈磷硫酰化修飾入手，通過比較基因組學和分子遺傳學手段，鑒定出以SspABCD為修飾元、SspE為限制元的單鏈磷硫?；拗?修飾系統(tǒng)。該系統(tǒng)與之前發(fā)現(xiàn)的磷硫?；ㄒ訢ndABCDE為修飾元以產生雙鏈DNA磷硫酰化、DndFGH為限制元）的Dnd系統(tǒng)均迥然不同，并首次闡明了細菌磷硫酰化限制-修飾系統(tǒng)賦予宿主抑制噬菌體入侵的能力。同時，通過結構生物學和生物化學手段，解析了SspB蛋白的晶體結構，揭示其兩個保守motif的關鍵殘基對其DNA缺刻酶活性非常重要；解析了SspE蛋白的晶體結構，發(fā)現(xiàn)其N端結構域有依賴于DNA磷硫?；揎椀腘TP水解酶活性，而其C端結構域有DNA缺刻酶活性，從而闡明了該系統(tǒng)DNA磷硫?；揎椗c限制兩部分功能耦合的分子機理。研究還發(fā)現(xiàn)SspABCD作為修飾蛋白在宿主基因組DNA上產生磷硫酰化修飾，SspE作為限制元能夠感應基因組DNA上的磷硫?；揎棌亩鴧^(qū)別宿主自身與外源的遺傳物質，并利用其核酸酶活性對入侵噬菌體的DNA進行大范圍的缺刻，從而抑制噬菌體DNA的復制。本研究解析了新發(fā)現(xiàn)的II型DNA硫化修飾系統(tǒng)中的半胱氨酸脫硫酶SspA（來源于弧菌）與底物半胱氨酸的復合物晶體結構，分辨率為1.8埃。結構揭示SspA通過其天冬酰胺N150和精氨酸R340殘基來識別底物半胱氨酸，如果將這兩個殘基突變則會嚴重破壞細菌的DNA硫化修飾。在結構中，SspA的活性位點半胱氨酸C314與底物半胱氨酸的距離長達8.9埃，這就產生了一個有趣的問題——SspA是怎么催化脫硫反應的？通過計算機分子動力學模擬，作者發(fā)現(xiàn)SspA的活性位點半胱氨酸C314在催化過程中向底物半胱氨酸移動了5.5埃，從而把它們之間的距離縮短到便于發(fā)生反應的范圍內。本研究通過簡正模式分析，發(fā)現(xiàn)弧菌的SspA、大腸桿菌的IscS、鏈霉菌的DndA（這兩個都是I型DNA硫化修飾系統(tǒng)的）的活性位點半胱氨酸雖然處在不同的相對位置和不同的二級結構上，但都有著向各自的底物半胱氨酸的運動。本研究進一步通過在上海光源BL19U2生物小角X射線散射（簡稱SAXS）線站收集的數(shù)據(jù)，從頭搭建了SspA在溶液中結構的分子模型。發(fā)現(xiàn)SspA在溶液中的結構與分子動力學模擬后SspA的結構更為接近，它們之間的SAXS數(shù)據(jù)的χ2偏差只有1.04埃，遠低于從SspA的晶體結構推算出的SAXS數(shù)據(jù)之間的χ2偏差3.70埃。這從實驗上證實了前述的計算機分子動力學模擬和簡正模式分析的結果?；【鶶spA的活性位點半胱氨酸在催化過程中，活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動了5.5埃的距離（A）分子動力學模擬  （B）簡正模式分析  （C）小角X射線散射實驗數(shù)據(jù)與晶體結構經過分子動力學模擬后的結果和晶體結構的比較  本研究通過X射線晶體結構解析、分子動力學模擬、小角X射線散射等多種研究手段的結合，揭示了細菌DNA硫化修飾這一神奇現(xiàn)象中催化關鍵的第一步半胱氨酸底物脫硫反應的酶的催化機理，解答了半胱氨酸脫硫酶家族是如何克服活性位點半胱氨酸與底物半胱氨酸之間很長的距離這一長期懸而未決的問題，使人們對于細菌DNA硫化修飾的認識和理解又前進了一步。該研究獲國家自然科學基金（31872627、31670106）的支持。????