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碳納米管-硅太陽能電池將具有優(yōu)異透明導電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結合，工藝簡單，備受學術界關注。和目前光伏領域所研究的鈣鈦礦、半導體薄膜、量子點等材料相比，碳納米管 - 硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結合，有望成為下一代光伏候選技術。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備 p-n結的熱擴散工藝，小面積時無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導電性和載流子遷移率遠遠高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點。目前， 該領域的典型結構，無論是碳納米管 - 硅還是石墨烯 - 硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實際應用還比較遙遠。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；  ※ 符合標準曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標準曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達：75V； ※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????

1. 成果簡介預制缸套然后鑄造或裝配是采用鋁合金制造汽車發(fā)動機缸體的一種主要成形工藝。傳統(tǒng)的缸套都是用鑄鐵制造，鑄鐵耐磨性好，但熱導率較低，鋁合金導熱率是鑄鐵的 4 倍，采用鋁合金制造缸套的優(yōu)勢是迅速將發(fā)動機燃燒產(chǎn)生的熱量傳遞出去，避免機油焦化，從而顯著提高發(fā)動機的升功率（功率密度）。過共晶 Al-Si 合金具有熱膨脹系數(shù)小、耐磨性好、熱導率高、高溫性能好等特點，是制造發(fā)動機缸套的理想材料。圖 1 擠壓鑄造件              圖 2 機加工后零件                 圖 3 初生硅和共晶硅分布 采用常規(guī)鑄造方法成形過共晶鋁硅合金，疏松傾向大，強度和韌性低，而且顯微組織中初生硅的尺寸難以控制。擠壓鑄造是液態(tài)金屬在較高外加壓力（百兆帕）作用下凝固成形的一種先進鑄造工藝，鑄件在低速下充型，高壓下凝固，內部致密，組織細小，并能通過熱處理強化。 清華大學成功開發(fā)了過共晶鋁硅合金缸套擠壓鑄造成形技術，具有非常好的發(fā)展?jié)摿彤a(chǎn)業(yè)化應用前景。2 應用說明采用鋁合金制造發(fā)動機缸套甚至全鋁發(fā)動機缸體是國外主要汽車企業(yè)開發(fā)高性能發(fā)動機的重要技術之一。采用噴射沉積加擠壓或鍛造工藝已有相關產(chǎn)品，但由于工序多、流程長造成生產(chǎn)率低、成本高。清華大學開發(fā)的過共晶鋁硅合金缸套擠壓鑄造成形技術具有短流程、近凈成形、優(yōu)質、高效、節(jié)能等優(yōu)點，目前正在與汽車發(fā)動機制造企業(yè)合作，進行技術評價與應用。 申請國家發(fā)明專利 1 項。3 效益分析缸套作為汽車發(fā)動機生產(chǎn)中的一個重要配件，其用量大，產(chǎn)品和技術相對獨立，原材料充足，設備投資小，適于中小企業(yè)給發(fā)動機廠配套，特別是適合于已經(jīng)在給發(fā)動機廠配套鋁合金活塞等部件的企業(yè)發(fā)展這一技術和產(chǎn)品，易于在現(xiàn)有客戶渠道基礎上豐富產(chǎn)品種類，同時較高的技術含量可以避免被簡單模仿和惡性競爭。

本發(fā)明的基于硅基懸臂梁耦合Ｔ型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結直接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的直接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率，

本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和隔直電容所構成，熱電偶是由金屬臂和半導體

本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結間接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率，從而

本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測器，主要實現(xiàn)結構包括由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結、間接加熱式微波功率傳感器和開關。懸臂梁耦合結構包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過第一間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考

本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和一個隔直電容所構成，每個熱電偶

本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個終端電阻以及熱電堆所構成，熱電堆是由兩種不同的半導體

本發(fā)明的硅基微機械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測器，實現(xiàn)結構包括懸臂梁耦合結構、功率合成／分配器和間接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結構中，兩個結構相同的懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，用于耦合部分待測信號，通過錨區(qū)與功率合成器相連，耦合信號的功率相等，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學短路。參考信號通過功率分配器分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到間接加熱式微波功