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鍺硅納米低維結構的可控制備方法及產品
本發明公開了一種鍺硅納米低維結構可控制備方法及產品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結構圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結 構圖形轉移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環境下進行氧化和退火，使得氧氣優先與硅反應形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮氫混合氣氛下
華中科技大學
2021-04-14
微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法
本發明公開了一種微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結構。本發明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法
本發明公開了一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法，所述 偏振檢測系統包括檢偏器、光探測器、硅基液晶驅動模塊、控制單元 和用于相位調制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅動模塊的驅動下 對待測光進行相位調節，獲取一系列偏振光，通過對這一系列偏振光 的分析獲取待測光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發明的系統在精確可編程控制下，進行偏振態檢測與控制， 不受類似于波片的波長敏感性制約；且本發明采用硅基液晶進
華中科技大學
2021-04-14
耐超低溫有機硅密封膠生產技術
航空航天器、飛機、導彈、火箭、超低溫冷凍機、極寒冷地區工程機械和高速列車等設備，在極低溫度條件下運行時，對密封材料要求很高，一旦出現密封效果不佳或不可靠情況，會出現嚴重后果，極端情況會造成機毀人亡等重特大事故，形成嚴重的財產和人員損失。密封材料大多采用有機高分子材料，在低溫條件下，密封材料中分子熱運動減少，分子鏈段會變得僵硬甚至凍住，使之失去彈性，導致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應用于上述設備和地域時，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設備的穩定運行。這就要求密封材料必須具備
山東大學
2021-04-14
新一代硅烷法電子級晶體硅生產技術
上海交通大學
2021-04-13
承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網、羽球場
產品詳細介紹承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網、羽球場
廣州市奧力生體育設施有限公司
2021-08-23
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學
2021-04-11
淺色導電納米晶須及白色復合導電纖維的制備技術
成功開發具有自主知識產權的新型淺色導電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導電填料加入纖維基體中，具有比導電超細顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結構，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導 電。淺色導電晶須的開發研究對白色導電纖維的制備提供了理論和實踐基礎，葛 明橋教授團隊開發的白色導電纖維經檢測達到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達到導電纖維要求，是國內導電纖維領域的一項重大突破，可提高白色導 電纖維自產率，應用前景廣闊。 2 關鍵技術 （1）將高速攪拌與化學共沉積法結合，制備出的淺色導電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復合導電纖維，315 該種纖維的電阻達到了 106?。 （3）與企業合作制備導電母粒，進而通過熔融紡絲方法制備出各種復合結 構的導電纖維，該種纖維的電阻達到了 109?。 3 知識產權及項目獲獎情況 發表學術論文 9 篇；申請專利 6 項 4 項目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應釜，實現產業化生產 5 投資期望及應用情況 目前已與部分企業合作，成功制備該導電材料并應用于化纖、纖維素等。
江南大學
2021-04-13