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采用試驗(yàn)檢測(cè)與理論分析相結(jié)合、宏觀測(cè)試與微觀結(jié)構(gòu)分析相結(jié)合氣固還原反應(yīng)基本原理與分子動(dòng)力學(xué)模擬相結(jié)合的方法，研究了氣固還原過程中的鐵氧化物顆粒表面鐵晶須的形成、生長(zhǎng)形態(tài)；研究還原氣體組成、溫度、脈石成分或添加劑、表面改質(zhì)預(yù)處理等對(duì)顆粒表面新生鐵晶須生長(zhǎng)狀態(tài)、生長(zhǎng)速度的影響和作用機(jī)理，重點(diǎn)探明鐵礦粉顆粒表面鐵晶須的形成、長(zhǎng)大的機(jī)理，以及鐵礦粉顆粒間鐵顆粒間的粘結(jié)、橋接方式和相互作用規(guī)律；為揭示流態(tài)化還原中鐵礦粉粘結(jié)失流問題及其控制奠定理論基礎(chǔ)和參考依

本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對(duì)于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進(jìn)一步開發(fā)，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進(jìn)一步提升器件的光溢出效率。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 成果源于國(guó)家自然科學(xué)基金“異價(jià)摻雜量子點(diǎn)的合成、聚合物基復(fù)合塊體3D打印制造與性能研究”，項(xiàng)目編號(hào)51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對(duì)于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進(jìn)一步開發(fā)，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進(jìn)一步提升器件的光溢出效率。傳統(tǒng)發(fā)光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內(nèi)部向空氣傳播時(shí)，部分光會(huì)在器件的內(nèi)表面發(fā)生全反射，從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報(bào)道的塊體熒光器件內(nèi)部發(fā)出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內(nèi)部微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑為基礎(chǔ)，通過微結(jié)構(gòu)在器件內(nèi)部的全反射界面構(gòu)筑，改變光在材料內(nèi)部的傳輸路徑，實(shí)現(xiàn)器件正面的光溢出效果增強(qiáng)。 本專利的高光溢出效果可以廣泛的應(yīng)用于激光器、LED照明領(lǐng)域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側(cè)約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計(jì)將此技術(shù)用于實(shí)際器件中，可以實(shí)現(xiàn)2倍以上的提升，這就意味著對(duì)于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據(jù)統(tǒng)計(jì)2021年，全球照明市場(chǎng)總市值達(dá)到8089億元。照明技術(shù)是任何一個(gè)國(guó)家與地區(qū)都不可或缺的，高效的照明技術(shù)不僅可以為解決全球的能源危機(jī)提供有效解決途徑，同時(shí)為減少碳排放作出巨大貢獻(xiàn)，產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益。

本發(fā)明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進(jìn)行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進(jìn)行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup

中國(guó)是凹凸棒石粘土礦的資源大國(guó)，但是由于成礦條件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在著一定的礦物學(xué)局限性。比如氣候條件、地質(zhì)環(huán)境與礦床成分的不同，都會(huì)影響凹凸棒石粘土的形成、晶體發(fā)育、元素組成等，所以，含量較高、單晶體發(fā)育良好的礦床很少，極大部 分的天然凹凸棒石粘土礦物中凹凸棒石粘土的含量都低于 50%，通常，在凹凸棒石粘土礦物開采之后，都要對(duì)其進(jìn)行提純處理，將其中的伴生礦物與之分離，同時(shí)，在提純過程中減小礦物粒徑，提高分散性， 使包含于凹凸棒石粘土聚集體中以及晶體束中間的雜質(zhì)去除，獲得均勻、完整的凹凸棒石

安徽青軟晶芒微電子科技有限公司，位于安徽省合肥市國(guó)家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)面向集成電路人才培養(yǎng)的實(shí)體企業(yè)，青軟晶芒攜手擁有5000顆芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的集成電路產(chǎn)教融合和設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)——青軟晶尊微電子，共同打造面向國(guó)內(nèi)提供集成電路領(lǐng)域產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。 青軟晶芒致力于打造集成電路人才培養(yǎng)新模式，通過集成電路產(chǎn)業(yè)學(xué)院共建/專業(yè)共建，產(chǎn)教融合平臺(tái)共建，集成電路大賽，師資培共建，實(shí)驗(yàn)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)訓(xùn)，工信部培訓(xùn)認(rèn)證，新工科優(yōu)訓(xùn)營(yíng)，課程改革等多種合作模式，推動(dòng)集成電路教育與產(chǎn)業(yè)的無(wú)縫銜接，為客戶創(chuàng)造價(jià)值。 青軟晶芒擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)集成電路設(shè)計(jì)專利證書，軟件著作權(quán)等十余項(xiàng)，愿通過校企合作和院校一起為集成電路人才培養(yǎng)做出貢獻(xiàn)。

青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國(guó)內(nèi)面向集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域提供產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。具有五千顆芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)與教育培訓(xùn)公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長(zhǎng)三角經(jīng)濟(jì)帶，形成東部沿海發(fā)展網(wǎng)絡(luò)，打造國(guó)內(nèi)一流的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)與教育培訓(xùn)基地。同時(shí)借助臺(tái)灣業(yè)務(wù)平臺(tái)，開拓國(guó)際業(yè)務(wù)，積極部署國(guó)際化發(fā)展戰(zhàn)略。 青軟晶尊集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)始于1996年，為國(guó)內(nèi)最早從事集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)的企業(yè)，公司擁有20余年的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，向客戶提供高速DDR存儲(chǔ)類芯片、固態(tài)射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅(qū)動(dòng)、AD/DA轉(zhuǎn)換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設(shè)計(jì)服務(wù)。為客戶累計(jì)完成5000余顆芯片的設(shè)計(jì)。公司依據(jù)高品質(zhì)的設(shè)計(jì)服務(wù)能力，在美國(guó)、日本、臺(tái)灣及國(guó)內(nèi)積累了長(zhǎng)期、穩(wěn)定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業(yè)，并通過國(guó)際DNV信息安全風(fēng)險(xiǎn)管理體系認(rèn)證。

大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價(jià)格低廉等方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機(jī)、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國(guó)內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測(cè)試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段

本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國(guó)內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。