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CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.6$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構成淺埋式p-n結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被p-n結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速

場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導體電荷傳輸層和絕緣電介質層三部分組成。近年來，電氣設備和電子產品小型化、輕量化、智能化的發展趨勢對FET等基礎電學元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發展的需求。進入21世紀后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導體材料的優良電荷傳輸特性已被較為充分地發掘，分子結構創新的匱乏導致半導體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升?；谶@種現狀，西安交通大學魯廣昊教授課題組將研究重點轉向絕緣電介質層，通過充分挖掘絕緣介質帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現FET半導體層電荷傳輸的調控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學院李盛濤教授課題組、理學院張志成教授課題組、中科院長春應用化學研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，FPS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩定性和疏水性，可實現高度穩定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導體層制備的有機場效應晶體管具有高達11.2 cm2·V-1·s-1的場效應遷移率，高達107的開/關比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，FPS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環境中大于一個月的存儲穩定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發表在國際材料領域權威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學院李盛濤教授和中科院長春應化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學基金、陜西省自然科學基礎研究計劃、國家博士后基金、電力設備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及?；究蒲袠I務費的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

本發明公開了一種多層結構柔性薄膜的連續層合方法，包括(1)對第一柔性薄膜和第二柔性薄膜分別進行模切及廢料剝離處理，使得各薄膜的一側面上的保護層被剝離，且在中間的有用層上切出呈陣列布置的矩形切口；(2)以第三柔性薄膜作為層合的中間膜層，首先剝離其中一側面的保護層，然后與準備階段中的第一柔性薄膜進行層合，得到具有四層結構的柔性膜；(3)對第三柔性薄膜的另一側面的保護膜進行剝離處理，再將該經剝離后的表面與準備階段中的第二柔性薄膜層合，得到具有五層結構的復合膜。本發明還公開了一種多層結構柔性薄膜的連續層合的設備。本發明的層合設備及其工藝方法，可以有效地實現多層結構柔性薄膜的半斷模切和精確對位層合。

本發明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進行熱處理，以消除界面應力和器件的壓應力；（7）沉積有機半導體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨率。

本發明涉及光致發光材料技術領域，具體公開了一種配位聚合物閃爍體、柔性閃爍體薄膜及其應用，本發明所制備得到的配位聚合物閃爍體在360nm的激發光源下和X射線光源輻照下均發射綠光，并且對X射線展現處優異的線性響應性，并且表現出明顯的熱活化增強發光，當信噪比為3時，該閃爍體的最低檢測限達到29.6nGy/s，這一數值較典型醫學成像系統所需的檢測限(5500nGy/s)低約186倍，同時，本發明所制備的閃爍體薄膜可對不同物體實現X射線成像效果，本發明所制備得到的閃爍體薄膜完全可以替代目前商用的閃爍體。

本發明提供了一種新方法，通過超分子交聯聚合物網絡在油?水界面上促進金納米顆粒（Au NPs）的自組裝。這種技術有效地生產出大面積的金納米顆粒聚合物膜，適用于表面增強拉曼散射（SERS）傳感應用。與傳統方法制備的金納米顆粒膜相比，這些聚合物網絡交聯的金納米顆粒膜表現出顯著提高的機械強度，不易破裂，可以附著在水產品表面進行活體檢測。優異的SERS性能、低成本以及高靈活性和穩定性使其成為實時檢測溶液或食品中有毒殘留物的有前途的候選材料。

本發明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進行升溫處理使其達到600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳氫化合物，使得經過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳氫化合物裂解后生長非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本發明制備方法對環境溫度要求不高，制備得到的非晶碳薄膜具有多孔結構和自支撐結構，可以很方便轉移至任何襯底。

本發明公開了一種面向物聯網的硅基固支梁可重構SIW帶通濾波器，包括SIW帶通濾波器、轉接結構(3)和MEMS固支梁結構。SIW帶通濾波器包括相互級聯的SIW諧振腔(9)，相鄰的SIW諧振腔之間存在耦合窗口(14)，MEMS固支梁結構設置于耦合窗口中。在一些特定的需要控制無源濾波器通帶中心頻率頻繁切換的電路中，本發明通過MEMS固支梁結構很好的避免了需要依靠增加濾波器數量去控制電路的問題，并且MEMS固支梁結構的閉合所需要的電壓較小也基本不會影響電路的正常工作，能夠有效地降低電路控制的功耗。MEMS固支梁(6)可以實現快速的DOWN態和UP態的轉換，可以有效地實現微波電路中對濾波器濾波范圍的控制。

一種磷硅鎘單晶體的制備方法，以富磷CdSiP2多晶粉末為原料，工藝步驟為：（1）生長容器的清洗與干燥；（2）裝料；（3）將裝有生長原料并封結的雙層坩堝放入三溫區管式晶體生長爐，然后將生長爐的高溫區和低溫區以30~60℃/h的速率分別升溫至1150~1180℃、950~1050℃，并保持該溫度，繼后調節梯度區的溫度，使溫度梯度為10~20℃/cm，當所述生長原料在高溫區保溫12~36h后，控制雙層坩堝以3~6mm/day勻速下降，當雙層坩堝下降到低溫區并完成單晶生長后，使其停止下降，在低溫區保溫24~72h，保溫時間屆滿，將高溫區、梯度溫區、低溫區的溫度同時以20~60℃/h降至室溫。一種單晶體生長容器，由內層坩堝和外層坩堝組成，內層坩堝與外層坩堝之間的環形腔室內加有調壓用CdSiP2多晶粉末。

本發明公開了一種硅太陽電池表面等離子體增益的方法，采用將金屬納米顆粒分散在醇溶劑中形成金屬納米顆粒膠體溶液，在硅太陽電池片迎光面上，絲網印刷或噴淋或旋涂金屬納米顆粒膠體溶液，烘烤使醇溶劑從電池片表面揮發完全，在保護氣體氛圍下進行快速熱處理退火溫度，再進行二次常規熱處理退火，實現硅太陽電池表面等離子體增益。本發明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特點，具有較大的應用前景。