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一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米
晶
須的方法
本發明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法,所采取的技術方案 是:將清洗干燥后的木粉或竹粉 100~200g,于真空爐中在 500~700℃下碳化 1~2h 得到生 物質炭粉;將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5~3.0 機械混合均勻,得到預 混料;在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃,保溫 1~4h。保溫時間結束后, 以 5~20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃,然后關掉加熱電源,自然冷卻。本發明合成的一 維碳化硅納米晶須為鏈珠狀,晶須長徑比大;合成工藝簡單,成本低,生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
利用鉸鏈式六面頂壓機制備高性能聚
晶
金剛石的方法
本發明公開了利用鉸鏈式六面頂壓機制備高性能聚晶金剛石的方法,其特點是該方法采用金剛石或含部分金剛石的碳粉體為原料,不添加任何金屬或陶瓷粘結劑,經凈化除雜,粉體表面在真空度4x10-3~4x10-5Pa,溫度800~1500℃,凈化處理0.5h~5h。表面凈化的金剛石粉體預壓成型,放置于鉸鏈式六面頂壓機上,于溫度1400-2500℃,壓力為8~20GPa, 燒結1~30min,制得高性能聚晶金剛石塊體材料。
四川大學
2017-12-28
硫酸鈦液快速成核制
晶
種用于生產金紅石鈦白新工藝
對四種典型的晶種成核過程進行探索實驗,重點研究了其水解成核機理,探索酸度值等成核環境對晶種特性的影響機制
四川大學
2021-04-13
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米
晶
須的方法
本發明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法,所采取的技術方案是:將清洗干燥后的木粉或竹粉 100~200g,于真空爐中在 500~700℃下碳化 1~2h 得到生物質炭粉;將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5~3.0 機械混合均勻,得到預混料;在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃,保溫 1~4h。保溫時間結束后,以 5~20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃,然后關掉加熱電源,自然冷卻。本發明合成的一維碳化硅納米晶須為鏈珠狀,晶須長徑比大;合成工藝簡單,成本低,生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
基于
硅
基懸臂梁T型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發明的基于硅基懸臂梁耦合T型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換和液晶顯示三大模塊組成,傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、T型結直接加熱式微波功率傳感器和開關構成,襯底材料為高阻Si,功率通過輸入端口對應的CPW信號線終端的直接加熱式微波功率傳感器進行檢測;頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為90度的耦合信號的合成功率實現;相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為90度的耦合信號,分別同兩路等分后的參考信號合成,同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率,
東南大學
2021-04-14
硅
基未知頻率縫隙耦合式T型結直接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基未知頻率縫隙耦合式T型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、T型結功分器、T型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成,整個結構基于高阻Si襯底制作,一共有四個縫隙耦合結構,上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量,下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量,在前后縫隙之間有一個移相器;T型結功分器和T型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋組成;直接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和隔直電容所構成,熱電偶是由金屬臂和半導體
東南大學
2021-04-14
硅
基懸臂梁耦合T型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發明的硅基懸臂梁耦合T型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換和液晶顯示三大模塊組成,傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、T型結間接加熱式微波功率傳感器和開關構成,襯底材料為高阻Si,功率通過輸入端口對應的CPW信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進行檢測;頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為90度的耦合信號的合成功率實現;相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為90度的耦合信號,分別同兩路等分后的參考信號合成,同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率,從而
東南大學
2021-04-14
基于
硅
基懸臂梁T型結間接加熱式毫米波信號檢測器
本發明的基于硅基懸臂梁T型結間接加熱式毫米波信號檢測器,主要實現結構包括由懸臂梁耦合結構、T型結、間接加熱式微波功率傳感器和開關。懸臂梁耦合結構包括兩組懸臂梁,每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成,兩個懸臂梁之間CPW傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內的中心頻率35GHz處為λ/4。功率通過第一間接加熱式微波功率傳感器進行檢測;頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為90度的耦合信號的合成功率實現;相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為90度的耦合信號,分別同兩路等分后的參考
東南大學
2021-04-14
硅
基已知頻率縫隙耦合式T型結直接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式T型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、T型結功分器、T型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成,整個結構基于高阻Si襯底制作,一共有四個縫隙耦合結構,上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器,下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量,在前后縫隙之間設置有一個移相器;T型結功分器和T型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋所組成;直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和一個隔直電容所構成,每個熱電偶
東南大學
2021-04-14
硅
基已知頻率縫隙耦合式T型結間接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式T型結間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、T型結功分器、T型結功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成,整個結構基于高阻Si襯底制作,一共設置有四個縫隙耦合結構,上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個間接式熱電式功率傳感器,下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量,在前后縫隙之間設置有一個移相器;T型結功分器和T型結功合器是由共面波導、扇形缺陷結構和空氣橋所組成;間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個終端電阻以及熱電堆所構成,熱電堆是由兩種不同的半導體
東南大學
2021-04-14
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