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芯片熱設計自動化系統
TDA（芯片熱設計自動化）軟件是清華航院曹炳陽教授團隊全自主研發的國際首個芯片跨尺度熱仿真與設計系統。TDA軟件可實現芯片從納米至宏觀尺寸的熱設計與仿真，支持芯片微納結構內部熱輸運過程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結溫預測準確度，進而提高芯片性能、壽命和可靠性。
清華大學
2025-05-16
一種基于多模波導的新型光調制器
本實用新型公開了一種基于多模波導的新型光調制器。其結構是具有多模調制結構的電致吸收調制器、具有多模調制結構的相位調制器或者具有多模調制結構的馬赫澤德干涉儀調制器，多模調制結構包含模式復用器、模式解復用器、第一多模連接波導、多模波導光調制區、第二多模連接波導，多模調制結構是以模式復用器的輸入端作為多模調制結構的輸入端，以模式復用器的輸入端或者模式解復用器的輸出端作為多模調制結構的輸出端。本實用新型利用多模波導光調制區以及模式復用?解復用技術，使得光能夠以不同模式的方式多次經過光調制區，顯著增強對光場的調控效果，可降低驅動電壓，并提升消光比和調制速度等性能，適用于各種光調制結構和原理。
浙江大學
2021-04-13
基于自主北斗芯片的高速導航定位定時接收機
項目簡介： 發展自主知識產權的北斗衛
西華大學
2021-04-14
多晶硅太陽能光伏電池成套設備
該項目針對多晶硅太陽能光伏電池成套設備中太陽能光伏電池絲網印刷、自動光學檢測系統、燒結系統、自動分揀系統等高端設備進行研發和產業化，形成了晶硅太陽能光伏電池生產線和成套設備的產業化生產能力，打破了國外相關高端設備的壟斷局面，為我省相關產業的良性發展提供技術支撐。該成套設備具有完全自主知識產權,聯合體已擁有發明專利8件,實用新型專利21件。 該項目的特色與創新之處主要體現在如下幾個方面：1）基于視覺的高速精密定位理論與技術；2）有效降低破損率的高速、高精度印刷技術；3）均勻熱場形成技術
華南理工大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長分辨監測方法
本發明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內的光信號實現分析與監測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發明元件少，系統結構簡單緊 湊，對光路的準直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態無關的特性，在分辨出波長 的同時，還能對入射光束的偏振態進行測量，適用范圍更廣。
華中科技大學
2021-04-14
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術可以有效的解決集成電路進一步發展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸的速度和頻率。Si基光子集成是實現集成電路光互聯的核心技術和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優良的光電轉換效率已經在光電子器件領域得到廣泛的應用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長分辨監測方法
本發明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內的光信號實現分析與監測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發明元件少，系統結構簡單緊 湊，對光路的準直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態無關的特性，在分辨
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長選擇開關
一種基于硅基液晶的波長選擇開關，屬于光交換器件，解決現 有基于硅基液晶的波長選擇開關輸出端口數量受到限制的問題。本發 明由設置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調制器、自聚焦準直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構成。本發明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調制器實現二維偏轉，使波長選擇開關輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉化，能夠大幅度增加波長選擇開關輸出端
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長選擇開關
一種基于硅基液晶的波長選擇開關，屬于光交換器件，解決現 有基于硅基液晶的波長選擇開關輸出端口數量受到限制的問題。本發 明由設置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調制器、自聚焦準直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構成。本發明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調制器實現二維偏轉，使波長選擇開關輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉化，能夠大幅度增加波長選擇開關輸出端
華中科技大學
2021-04-14
高性能非制冷紅外探測器芯片
技術成熟度：技術突破
研發團隊以設計制備寬光譜超材料吸收器和像元級集成紅外探測器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設計與制備方面取得了突破性進展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無損與損耗型介質結合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測器像元級集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測的非制冷紅外探測器，NETD降低3倍，研究成果已在中國兵器北方夜視廣微科技應用轉化。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16