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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過(guò)程的方程并行計(jì)算方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過(guò)程的方程 并行計(jì)算方法：將基于 XOR 的 RAID-6 編碼的校驗(yàn)規(guī)則用校驗(yàn)方程組 表示，把每個(gè)校驗(yàn)方程在編解碼過(guò)程中的求解分解為兩個(gè)階段——“預(yù) 計(jì)算階段”以及“遞歸求解階段”；每個(gè)校驗(yàn)方程由一個(gè)獨(dú)立的線程 實(shí)施求解，多個(gè)校驗(yàn)方程的預(yù)計(jì)算階段被并行執(zhí)行；使用一個(gè)全局共 享的數(shù)據(jù)塊狀態(tài)表記錄數(shù)據(jù)塊的狀態(tài)以協(xié)調(diào)所有線程的執(zhí)行。本發(fā)明 方法利用編碼的潛在并行能
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實(shí)體材 料的密度分布，同時(shí)得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場(chǎng)；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對(duì)不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于真空吸鑄的非晶合金微細(xì)零件的制備方法及裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種非晶合金微細(xì)零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內(nèi)；準(zhǔn)備用于制備非晶合金微細(xì)零件的硅模具，將該硅模具置于內(nèi)部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護(hù)氣，對(duì)非晶合金原材料進(jìn)行熔煉，并通過(guò)降低銅模具內(nèi)的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過(guò)所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內(nèi)；脫模即可得到非晶合金微細(xì)零件。本發(fā)明還公開(kāi)一種非晶合金微細(xì)零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非
華中科技大學(xué)
2021-04-14
獨(dú)立無(wú)刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)無(wú)速度傳感器直接電壓控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種獨(dú)立無(wú)刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)無(wú)速度傳感器直接 電壓控制方法，將無(wú)刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)的功率繞組 PW 電壓矢量分解 為同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系中的 d 軸和 q 軸分量，調(diào)節(jié)控制繞組 CW 電流幅值 使 PW 電壓的 d 軸分量收斂至 PW 電壓的參考幅值，調(diào)節(jié) CW 電流頻 率使 PW 電壓的 q 軸分量收斂至 0，當(dāng)系統(tǒng)穩(wěn)定時(shí) PW 電壓矢量與同 步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系的 d 軸重合，于是同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì) PW 電壓幅值和頻率的 控制。該控制方法省去了速度傳感器，降低了發(fā)電系統(tǒng)的硬件成本， 提高了運(yùn)行可靠性，并增
華中科技大學(xué)
2021-04-14
利用 Xeon Phi 協(xié)處理器提升布隆濾波器處理性能的系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種利用 Xeon-Phi 協(xié)處理器提升布隆濾波器處理 性能的系統(tǒng)及方法，包括：性能采樣模塊、任務(wù)調(diào)度模塊、通信模塊 和任務(wù)處理模塊。性能采樣模塊用于獲取宿主端和協(xié)處理器端的處理 能力，決定兩端分配的任務(wù)比例；任務(wù)調(diào)度模塊控制宿主端和協(xié)處理 器端之間整體的任務(wù)調(diào)度；通信模塊管理宿主端和協(xié)處理器端的通訊； 任務(wù)處理模塊負(fù)責(zé)任務(wù)的查詢與計(jì)算。系統(tǒng)將每個(gè)任務(wù)分配給相應(yīng)的 線程，每個(gè)線程在一個(gè)私有的子向量進(jìn)行處理
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗(yàn)裝置及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗(yàn)裝置及方法，裝置包括：瀝青混合料圓柱體試件、圓形鋼墊塊、鋼套筒、半圓環(huán)形壓頭、凹形底座、螺栓和剪式千斤頂；方法具體為采用萬(wàn)能材料試驗(yàn)機(jī)，通過(guò)半圓環(huán)形壓頭對(duì)作用有軸向局部荷載的瀝青混合料圓柱體試件進(jìn)行勻速加載，由試件變形測(cè)定裝置LVDT及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)自動(dòng)繪制和記錄試件的荷載?變形曲線，根據(jù)讀取
東南大學(xué)
2021-04-14
一種 APD 像元塊輸出電壓四通道選擇電路及其輸出方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種 2×2APD 像元塊四通道選擇電路，每個(gè)獨(dú)立 的 APD 單元包括地址選擇控制電路和四通道選擇電路，地址選擇控制 電路通過(guò)光檢測(cè)產(chǎn)生的控制信號(hào)，與四通道選擇電路開(kāi)關(guān)相連，其中， 每個(gè)單元的控制信號(hào)與自身的通道 1 連接，并分別連到 2×2 像元塊中 另外三個(gè) APD 單元的通道 2、通道 3 和通道 4 上。每次光照，只有像 元塊首地址輸出控制信號(hào)有效，從而保證像元塊電壓依次從四個(gè)通道 輸出
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于低分辨率氣象云圖生成高分辨率云圖的方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于低分辨率氣象云圖生成高分辨率云圖的方法，包括以下步驟：（1）對(duì)原始低分辨率云圖進(jìn)行降級(jí)處理；（2）分別對(duì)原始低分辨率云圖和降級(jí)后的云圖進(jìn)行分塊操作并編號(hào)；（3）（4）計(jì)算值域塊中的每個(gè)子塊與(3)中仿射變換后的子塊匹配誤差，并保存匹配誤差最小的子塊序號(hào)、灰度變換對(duì)比度因子及灰度變換的亮度因子；（5）根據(jù)計(jì)算得出的變換因子參數(shù)矩陣及云圖局部與整體基于統(tǒng)計(jì)學(xué)的自相似性，對(duì)輸入圖像進(jìn)行分形迭代；（6）得
華中科技大學(xué)
2021-04-14