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PCS-C型高級過程控制綜合實驗裝置
模仿現代工業生產過程中常見的物理量，諸如溫度、壓力、流量、液位等參數，對其進行測量、控制，分析。參數變化特性，研究過程控制規律，集合多種控制方式，再現實際工業現場使用的控制手段，采用聲光報警系統，并提供用戶更友好的二次開發接口。
浙江高聯檢測技術有限公司
2021-02-01
ALTERA 2C5 CYCLONE-II FPGA實驗箱
該設備以ALTERA CYCLONE-II FPGA為主處理器，配以存儲器、ADC/DAC、RS232/RS422/I C/SPI/PS2等串行通信總線、LCD/LED/數碼管/VGA接口等顯示設備以及音頻/蜂鳴器/日歷/溫度/紅外等電路。
同時，設備配備了EMOD擴展接口，增加了實驗的多樣性與創新性。
上海皮賽電子有限公司
2021-02-01
ALTERA 2C5 CYCLONE-II FPGA學習板
EMOD擴展模塊是由上海皮賽電子有限公司設計、生產的一系低速外圍應用電路模塊。
上海皮賽電子有限公司
2021-02-01
C-V2X硬件系列產品 一 OBU
亮點一 支持CAN、V2X、LTE通信、Wifi等多模式通信亮點二 內置高精度定位模組、高精度IMU，支持高精定位系統、慣導系統亮點三 提供以太網、串口、CAN多種接囗，支持多種場景應用亮點四 可獲取車輛狀態、運行數據，分析駕駛行為，提示車輛信息亮點五 車規級，抗干擾能力強，穩定性高
LTE LTE-FDD/LTE-TDD/WCDMA/TD-SCDMA/EVDO/CDMA/GSMV2X 符合3GPP Rel.14標準，頻率范圍：5.905-5.925GHzGNSS 支持北斗/GPS/GLONASS/Galileo/QZSSWifi 支持IEEE802.1b/g/n協議，工作頻段：2.4G通信能力 直連通信距離不低于500m接口 RJ45網絡*1、26Pin*1HSM 支持高性能高安全性的國密算法
沈陽啟云智網科技有限公司
2022-07-06
Epson LW-C410 家用辦公標簽打印機
指導價格：899元
藍牙直連，即時可用
機身小巧便攜，隨處可用
豐富多彩的家用色帶圖案
支持條形碼、二維碼打印輸出
Epson專屬移動端標簽制作APP，令輸出更智能
打印方式：熱轉印
支持打印寬度：18mm
打印速度：最快9mm/s
打印精度：180dpi
切刀：內置
尺寸（長*寬*高）：54(W)x134(D)x145(H)(mm)
連接方式：藍牙
剪切方式：自動全切
供電方式：5號堿性電池6節
愛普生（中國）有限公司
2022-09-27
新華三（H3C）8K云屏
1.新華三8K云屏實現了8K全鏈路技術突破，搭載行業首創的可插拔8K攝像頭，實現了8K超高清顯示、8K視訊等功能，X86雙系統架構下（Android12、Windows11）性能強悍亦能提供良好的交互體驗。同時，集8K超高清顯示、8K視訊、白板書寫等功能于一體的8K云屏，結合場景定制化軟件，推出8K會議、8K醫療、8K教育、8K金融專業解決方案，實現了多場景的數字化重塑，讓企業會議簡單高效，醫療服務精準把控，優質教學資源有效共享，金融業務高效便捷。
2.新一代8K云屏，真正實現了8K技術下全鏈路創新突破，囊括了8K超高清顯示、8K可插拔攝像頭、8K視訊以及8KUI等，做到了真正意義上的商顯技術變革。過往部分商顯企業提及的8K交互式一體機產品，并未實際落地，新華三8K云屏是能夠走進各個企業實際應用場景的真8K產品。
3.新華三8K云屏的8K超高清顯示分辨率是7680×4320個像素點，像素高達3300萬，相較于行業常規4K顯示交互屏提升四倍，圖像細節能夠在最大程度范圍內完美還原，甚至可以清晰呈現發絲紋理，細膩的畫質有效協助辦公人群處理業務，并帶來身臨其境的視覺盛宴。
新華三技術有限公司
2022-08-31
一種表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料及其制備和應用
本發明公開了一種表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料及其制備和應用。所述表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料的制備方法包括以下步驟：1)將金屬鹽溶解于有機溶劑中，形成透明溶液、2)將步驟1)中的透明溶液與軟膜板劑混合，得到二者充分均勻分散的分散液，充分混合形成金屬鹽凝膠、3)將步驟2)中得到的金屬鹽凝膠制備成干凝膠、4)將步驟3)中得到的干凝膠高溫煅燒，所得灰分即為表面氧缺陷多孔金屬氧化物、本方法能夠同步合成出表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料。制備方法相對簡單，在形成多孔結構的同時增加了材料表面的氧空穴濃度，改變了材料的電子結構，可應用于吸附、光電催化及電池領域。
清華大學
2021-04-10
層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路
通過溶劑熱方法，成功制備出一種層間距寬化并富有缺陷的1T-VS 2 納米片，展現出優異的電催化析氫性能。由于有機溶劑分子以及在反應過程中產生的銨離子等的插層作用，該溶劑熱法制備出的VS 2 納米片層間距寬化至1.0 nm，比塊體VS 2 材料的層間距（0.575 nm）增加了74%。層間距的寬化引起晶格的畸變而引入眾多的缺陷，豐富的缺陷賦予VS 2 納米片更多的活性位點，層間距的寬化還進一步改變了VS 2 材料的電子結構，從而使得該VS 2 納米片具有更加優化的氫吸附自由能（? G H ）。HER測試結果表明，該VS 2 納米片呈現出優異的電催化性能，具有較小的塔菲爾斜率（36 mV dec ?1 ）、具有較低的過電位（-43 mV@10 mA cm ?2 ）和良好的穩定性（60 h）。此外，通過第一性原理計算的結果表明，層間距寬化的VS 2 具有更優化的? G H （-0.044 eV），媲美貴金屬Pt(如圖3 ). 。并且，層間距的寬化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。這里，理論計算結果和實驗相一致，較好地證明了通過層間距和缺陷的精細調控，可以有效提升二維材料的電催化析氫反應活性, 揭示了層間距和缺陷結構調控對提升電催化析氫的基本原理。此項研究工作為層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路，為開發高性能電催化析氫材料研究打開了一扇新窗戶。
南方科技大學
2021-04-13
一種基于稀疏的微小缺陷高頻超聲顯微成像超分辨的方法
本發明屬于稀疏超分辨檢測領域，并公開了一種基于稀疏的微 小缺陷高頻超聲顯微成像超分辨的方法。該方法包括如下步驟:執行 過采樣高頻超聲顯微 C-掃成像;根據過采樣時的采樣步長與超聲探頭 分辨率，計算出探頭點擴散函數 k;由點擴散函數根據進行稀疏超分 辨計算，獲得最終高分辨圖像。本發明方法實現了高頻顯微成像對現 微小缺陷進行超分辨顯微成像，增強圖像信噪比和分辨率，提高微小缺陷檢測的準確性，同時對于微觀缺陷的檢測有著重要的意義，有效 地推動微器件可靠性的發展。
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于線型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝置
本發明公開了一種適用于線型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝 置，該裝置包括磁敏感元件部分，磁感應部分及磁軛式局部微磁化部 分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引線端、磁引導芯和引導芯套 筒，磁引導芯由長短不一的長方體形引導芯構成；磁感應部分由繞制 在引導芯套筒外側的磁感應線圈和引線端組成；由引導芯套筒支撐固 定的磁軛式局部微磁化部分，包括方形導磁構件、磁軛式雙磁鐵以及 斜向雙導磁構件，該部分將磁場量導入待檢測金屬體內，達到局部微 磁化的效果，通過與磁引導芯連接的磁敏感元件和引導芯套筒外的磁 感應線圈，傳遞
華中科技大學
2021-04-14