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非平衡等離子體產生裝置及顆粒狀粉末表面改性處理系統
本發明公開了一種非平衡等離子體產生裝置及顆粒狀粉末表面 改性處理系統，包括腔體、屏蔽網以及設置在腔體內的高壓電極單元 和低壓電極單元；高壓電極單元設置在高壓電極絕緣蓋板的下表面， 高壓電極單元包括多個均勻陣列排布的高壓線電極，在高壓電極絕緣 蓋板上設置有多個均勻陣列排布的第一通孔；各個高壓線電極的一端 與高壓電極引線的一端固定；高壓線電極的另一端通過高壓電極固定 螺栓固定，高壓電極引線的另一端通過第一通孔引出；并將各個高壓 電極引線連接后作為非平衡等離子體產生裝置的脈沖高壓輸入端。本 發明采用了高壓
華中科技大學
2021-04-14
一種 3D 音頻空間參數全方位非均勻量化編碼系統及方法
本發明提供一種 3D 音頻空間參數全方位非均勻量化編碼系統及方法，包括基于雙聲道輸入信號進 行預處理、聲道信號下混、下混信號量化編碼；按子帶提取空間參數，所述空間參數為聲道間強度差異 參數 ICLD；根據全方位角度 JND 得到全方位角度量化表；根據輸入的揚聲器的空間位置信息，建立在 兩揚聲器所夾區域之間所形成虛擬聲像的方位角與空間參數的映射表，從全方位角度量化表映射得到空 間參數量化表；進行空間參數全方位的非均勻量化壓縮編碼，對輸入的揚聲器空
武漢大學
2021-04-14
基于非均相類 Fenton 聯合脫除煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的系統及 方法
本發明提供了一種非均相類 Fenton 技術聯合脫除煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的系統及方法，屬煙氣污染物控制領域，主要用于解決電廠煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的問題。包括反應塔身、噴淋裝置、催化劑床層、雙氧水填料塔、反應液分離塔和循環泵；燃煤煙氣經電除塵器后引入反應塔由下而上流過催化劑表面，H2O2 溶液由循環泵通過噴淋裝置流經催化劑層，在催化劑表面發生分解反應產生<sup>.</sup>OH，
華中科技大學
2021-04-14
一種產生大氣壓彌散放電非平衡等離子體的系統
本發明公開了一種產生大氣壓彌散放電非平衡等離子體的系統， 包括：直流電源、諧振充電電路、Tesla 變壓器諧振升壓電路、脈沖陡 化電路、限流電阻、線型電極，諧振充電電路包括充電晶閘管、充電 電感、濾波電容、原方電容，Tesla 變壓器諧振升壓電路包括放電晶閘 管、Tesla 變壓器、副方電容，脈沖陡化電路包括三電極火花開關和觸 發極電阻，直流電源的正極連接到充電晶閘管的陽極，直流電源的負極接地，充電晶閘管的陰極連接到充電電感的一端，充電電感的另一 端連接到放電晶閘管的陽極，濾波電容直接與直流電源并聯
華中科技大學
2021-04-14
一種非接觸式一維納米材料陣列的大面積組裝方法
本發明公開了一種非接觸式一維納米材料陣列的大面積組裝方 法，將一維納米材料分散到易揮發性溶劑中，通過刮墨工具的運動， 利用刮墨工具與液體的表面張力引導分散液進行涂布；同時加熱襯底 加速分散液的揮發，分散液中的一維納米材料會在運動、揮發過程中 受到剪切力的作用，使得一維納米材料向涂布方向上轉動，待分散溶 劑完全揮發，納米材料則有取向性地附著在襯底上。本發明方法可以 適用于易分散于醇、水、苯及氯仿等易揮發性溶劑中的一維納
華中科技大學
2021-04-14
基于非接觸式掃描二維碼的電動汽車充電系統和方法
本發明公開了一種基于非接觸式掃描二維碼的電動汽車充電系統和方法，包括充電樁、設于各充電 樁的第一信息采集裝置、第二信息采集裝置、信息處理模塊、通信模塊和顯示模塊；第一信息采集裝置、 第二信息采集裝置、通信模塊、顯示模塊均與信息處理模塊信號連接；信號處理模塊通過通信模塊與云 服務器信號連接。本發明實現了非接觸式的充電樁控制，簡化了電動汽車的充電操作，方便了運營商對 充電樁的管理，并可實現無人值守情況下充電費率的自動調節，從而促進城市智能充電網絡的
武漢大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14
一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化的測量方法
本發明公開了一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化測量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測對象處；(2)對所述鐵磁性粒子所在區域施加直流磁場使所述鐵磁性粒子達到飽和磁化狀態；(3)獲得待測對象在常溫下的穩態溫度 T1，根據所述穩態溫度 T1 計算出鐵磁性粒子的初始自發磁化強度 M1；(4)當待測對象發生溫度變化后，測量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強度變化信號的幅值 A，根據所述磁化強度變化信號的幅值 A 計算得到
華中科技大學
2021-04-14
一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14