|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應用
本發明公開了一種硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應用。該硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料主要由二氧化鈦納米管陣列、硅烷偶聯劑、有機溶劑和冰醋酸混合后反應得到，可應用于處理含有機污染物和/或重金屬污染物的廢水中。本發明的硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料氧化還原能力強，可同時去除有機污染物和重金屬污染物，且去除效果好，可反復使用。
湖南大學
2021-02-01
關于組織申報2023年度山西省重點研發計劃（半導體與新材料領域）項目的通知
為全面深入學習貫徹習近平新時代中國特色社會主義思想，黨的二十大精神，以及習近平總書記關于新時代科技創新的重要論述重要指示精神，圍繞重點產業鏈部署創新鏈，瞄準攻關半導體與新材料領域關鍵核心技術與共性理論問題，為我省重點產業鏈和特色專業鎮建設提供創新支撐。根據《山西省科技計劃項目管理辦法》（晉政辦發〔2021〕42號），現將凝練形成的2023年度山西省重點研發計劃（半導體與新材料領域）重點支持方向予以發布，請根據要求組織項目申報工作。
山西省科技廳半導體與新材料科技處
2023-08-08
一種提高厭氧發酵體系產氣速率的高分子材料及其制備方法和應用
我國每年排放巨量的城市垃圾、畜禽糞便等低劣生物質，而厭氧發酵產生沼氣是解決低劣生物質污染的主要方法，兼具減排、治污意義。我國從90年代始建立了若干畜禽養殖場大中型沼氣工程，但由于厭氧發酵產氣速率低、成本高等導致企業基本靠政府補貼才能維持正常運行。 厭氧發酵過程中產酸菌和產甲烷菌之間既相互依存又相互制約，產甲烷菌在pH 6.8-7.2時活性最高，而產酸菌在pH 5-6時有旺盛的活力。本作品以聚丙烯腈為原料，在材料表面修飾羧基和胺基，構筑適合不同菌群的微環境，同時有利
南京工業大學
2021-01-12
鈦酸鉀晶須改性高分子耐磨復合材料及其在機械與汽車上的應用
該成果采用鈦酸鉀晶須、碳纖維改性聚醚醚酮等聚合物，獲得高強、高耐磨聚合物復合材料（耐磨墊片），或以其為內襯、金屬為外層，通過特殊結構設計和預處理在高溫高壓使兩者結合，得到所需金屬/聚合物復合材料制品（復合軸承）。相關產品實現高強、高耐磨、防抱死、免維護功能，與國外產品相比，具有部分功能（耐磨性、耐熱性等）與成本優勢。 該成果在科技部國家國際合作專項、湖南省國際合作重點項目的支持下取得一系列創新性成果，包括2個發明專利，并于2013年獲得湖南省科技進步二等獎（主持）。通過與長沙精達高分
長沙理工大學
2021-01-12
安徽大學李丹丹老師課題組在高階多光子激發熒光材料領域取得新進展
物質科學與信息技術研究院李丹丹老師課題組提出利用MOF組裝及修飾，調節材料的電子離域能力、電荷轉移能力及偶極矩等以優化H-MPEF性能，并進一步通過表面功能修飾，以實現材料對腫瘤細胞的特異性靶向能力。
安徽大學
2022-06-13
鄭州大學材料科學與工程學院在碳復合能源催化方面取得新進展
研究團隊以硼(B)摻雜碳為載體，通過電子供體硼(B)對銥 (Ir) 的“原子束縛工程”以及對Ir活性中心電子結構的調控，獲得高活性HER催化劑Ir@NBD-C，且Ir的用量僅占商用催化劑的1/4。
鄭州大學
2022-06-08
東南大學楊洪教授課題組在拓撲學和智能材料交叉領域取得重要進展
近日，東南大學智能材料研究院、化學化工學院楊洪教授課題組在光控軟驅動器研究領域取得重要進展，將拓撲學設計與液晶彈性體材料相結合，開發了一種具有多模態、自維持、可調諧運動的軟驅動器。研究成果發表在國際頂級期刊《德國應用化學》上，并被選為VIP論文。
東南大學
2023-05-19
一種硫化銅與二氧化鈦納米管復合材料的制備方法
專利申請時，成果處于研發階段，技術處于國內空白。
西南交通大學
2016-06-28
一種BiOBr/RGO納米復合材料的制備方法及其在降解羅丹明反應中的應用
（專利號：ZL 201410690807.2） 簡介：本發明公開了一種BiOBr/RGO納米復合材料的制備方法及其應用，屬于光催化劑領域。該復合材料的活性組分是BiOBr/RGO，特點是花狀的BiOBr與層狀RGO交織在一起，形成獨特的三維立體結構，其制備方法是：量取一定量的甲苯，十六烷基三甲基溴化銨和油酸，恒溫攪拌，加入氧化石墨烯，獲得溶液A；再量取一定量H2O，加入HNO3和Bi(NO3)3·5H2O，得到溶液B；在攪拌狀態下把溶液B
安徽工業大學
2021-01-12
銅基量子自旋液體的候選者和銅基高溫超導材料母體在摻雜后的電子結構
劉奇航及其合作者以最近由中科院物理所領銜的研究團隊發現的ZnCu3(OH)6BrF為例，采用修正后的單體平均場密度泛函理論方法，對這一體系的本征和摻雜行為進行了詳盡的模擬。研究發現，ZnCu3(OH)6BrF摻雜后，摻入的電子并沒有成為期待的“自由載流子”，而是局域在一個銅原子周圍，引起了局域形變。這種電子與束縛它的晶格畸變的復合體稱為極化子（如圖一所示）。本征材料的帶隙中形成新的電子態。因此，電子摻雜后，ZnCu3(OH)6BrF并沒有實現半導體到導體的轉變。相比之下，具有類似CuO4局部環境的銅氧化物高溫超導體的母體材料Nd2CuO4顯現除了不同的隨摻雜濃度變化的導電性。研究發現，低摻雜濃度時，銅原子附近形成較為擴展的極化子，因此在高摻雜濃度時，這些極化子之間的躍遷可以使系統導電性大大增加，實現半導體到導體的轉變，與實驗觀測很好地吻合。? 該研究圓滿地解釋了最近實驗上觀測到的Kagome晶格的鋅銅羥基鹵化物在摻雜后并不導電的現象，指出要在量子自旋液體實現超導，僅僅找到量子自旋液體體系是遠遠不夠的，還必須實現有效摻雜，注入一定濃度的“自由載流子”，為耕耘在該領域的實驗工作者提出了新的挑戰和實驗方向。
南方科技大學
2021-04-13