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產(chǎn)品詳細介紹概述：多圈電位器使設(shè)定電壓值更容易，環(huán)型變壓器體積小，重量輕，四路LED數(shù)字顯示電壓、電流，雙路30V可調(diào)輸出，5V/5A固定輸出，有過流保護功能，恒壓、恒流、低紋波噪音，低漂移，可預設(shè)限流點，獨立模式各路電源相互隔離，串并連模式，自動跟蹤，串聯(lián)模式下可構(gòu)成正負電源輸出.輸入電壓：220V±10% 50~60Hz 輸出電壓：0~30V可調(diào) 輸出電流0~5A可調(diào) 輸出：兩路獨立輸出加一路固定5V/3A輸出 紋波及噪聲（P-P）：1mVrms（真有效值） 串聯(lián)：0~60V，0~5A 并聯(lián)：0~30，0~10A 負載穩(wěn)定度≤0.01%+2mV 穩(wěn)壓精度≤0.01%+2mV 顯示方式：LED數(shù)字顯示 顯示精度：±1%±1字 保護功能：恒流保護 外形尺寸：330×350×170mm 重量：8KG

本發(fā)明公開了一種配流冷卻機構(gòu)，包括依次相連接的進氣閥片、 閥板、出氣閥片、導流片及冷媒片。所述進氣閥片開設(shè)有第一通槽、 第二通槽、第三通槽及第四通槽，所述第一通槽、所述第三通槽、所 述第二通槽及所述第四通槽繞所述進氣閥片的中心軸均勻排布;所述 第一通槽、所述第二通槽、所述第三通槽及所述第四通槽內(nèi)分別設(shè)置 有一級進氣舌簧片、二級進氣舌簧片、三級進氣舌簧片及四級進氣舌 簧片，所述一級進氣舌簧片、所述二級進氣舌簧片、所述三級進氣舌簧片及所述四級進氣舌簧片分別通過彈性變形或者恢復彈性變形，以 控制進入斜盤壓

本實用新型的目的是克服上述裝置的不足，提供一種能夠創(chuàng)造良好的微觀混合條件、使反應(yīng)及反應(yīng)-沉淀和結(jié)晶等過程有效地進行，保證物料有足夠的停留時間、能適應(yīng)各種反應(yīng)體系要求，可以間歇、也可以連續(xù)操作，并能提供反應(yīng)所需換熱等條件的反應(yīng)技術(shù)裝備。 除具備傳統(tǒng)攪拌反應(yīng)釜的一切功能外，本反應(yīng)器還具有極佳的微觀混合性質(zhì)和全混流—無混合流串聯(lián)循環(huán)的特殊流動結(jié)構(gòu)，適合于在分子尺度上進行的液相或以液體為連續(xù)相的過程，特別是化學反應(yīng)—沉淀法制取超細粉體；撞擊流面附近產(chǎn)生波動現(xiàn)象還有利于促進動力學，消除微觀混合不良對過程速度的限制。在沉淀法制白炭黑、納米TiO2、納米銅粉等所有制備工藝實驗中，該反應(yīng)器都顯示出優(yōu)越性能—制得產(chǎn)品比傳統(tǒng)攪拌反應(yīng)釜產(chǎn)品更細、分布更窄；該反應(yīng)器中結(jié)晶成長速度比比傳統(tǒng)裝置中更快。是攪拌反應(yīng)釜理想的更新?lián)Q代產(chǎn)品。已完成不同規(guī)格工業(yè)反應(yīng)器的機械設(shè)計。

對于在液相和液固相體系中進行的反應(yīng)以及反應(yīng)-沉淀和結(jié)晶等過程，反應(yīng)器中的混合狀況，尤其是分子尺度上的混合即微觀混合有重要影響。工業(yè)上廣泛用于這類過程的傳統(tǒng)裝置是攪拌槽反應(yīng)器(簡記為STR)。這種反應(yīng)器通常是在一個高度與直徑大致相等的容器中，依靠轉(zhuǎn)動的單層或多層攪拌槳帶動流體旋轉(zhuǎn)運動，使流團之間和液固相之間產(chǎn)生相對運動，從而發(fā)生混合。由于這種方式產(chǎn)生的流團間和液－固相間相對運動不夠劇烈，混合、尤其是微觀混合狀況不理想，因而液相和液固相中進行的上述過程效率不夠高；同時，旋轉(zhuǎn)引起的離心力使得攪拌槳輸入的機械能大部分消耗在流體與器壁碰撞上，能量利用率也不高?；瘜W工程研究室伍沅研發(fā)了一種“浸沒循環(huán)撞擊流反應(yīng)器”，已獲得專利(ZL00 2 30326.4)。該反應(yīng)器具有下列重要特性和優(yōu)點： (1)全混流－無混合流串聯(lián)循環(huán)的特殊流動結(jié)構(gòu)； (2)撞擊流微觀混合強烈； (3)通過循環(huán)的安排，可以根據(jù)需要任意設(shè)置反應(yīng)時間，適應(yīng)大多數(shù)反應(yīng)體系的要求； (4)可以間歇、也可以連續(xù)操作； (5)可以提供換熱條件。 它在制取超細粉體等應(yīng)用中已顯示出優(yōu)越的性能；還具有動力消耗低的優(yōu)點。然而，該反應(yīng)器在工業(yè)應(yīng)用方面也存在一定的局限性。主要問題是反應(yīng)器側(cè)壁形狀有相當大的一部分平面，受力情況比較苛刻。當用于在加壓或真空下進行的過程時，器壁勢必做得很厚，大大增加設(shè)備重量、材料消耗和投資。本實用新型的目的是克服上述不足，通過改變結(jié)構(gòu)、提供一種既能保持浸沒循環(huán)撞擊流反應(yīng)器的優(yōu)點和性能，又便于設(shè)計和制造成能在受壓條件下工作的反應(yīng)技術(shù)裝備。它是浸沒循環(huán)撞擊流反應(yīng)器(ZL00230326.4)的改進型。由臥式改為立式圓筒形結(jié)構(gòu)，消除了所有平面壁，從而更容易制造加壓反應(yīng)器。其它性質(zhì)和功能與前者相同。 銷售專利售反應(yīng)器，也可轉(zhuǎn)讓專利權(quán)或入股聯(lián)合經(jīng)營企業(yè)。

研究小組首先利用激光分子束外延技術(shù)生長了具有原子級別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運的技術(shù)，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產(chǎn)生自旋壓，在另外一個鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測量自旋流的輸運（圖A）。實驗數(shù)據(jù)顯示在低溫下自旋輸信號出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，對應(yīng)著自旋導的飽和，也就是零自旋阻效應(yīng)；即自旋超流基態(tài)的最重要基本性質(zhì)之一（圖B）。在此基礎(chǔ)上，該研究小組又系統(tǒng)研究了不同自旋輸運距離下自旋超流的輸運現(xiàn)象，證明了自旋在該自旋超流基態(tài)可以進行長距離的輸運，并且其隨輸運距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運理論預言一致（圖C）。該工作是是自旋超導態(tài)領(lǐng)域研究的一項重大突破，勢必推動自旋超導態(tài)的快速發(fā)展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛因斯坦凝聚的基礎(chǔ)物理研究提供了實驗平臺，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結(jié)等，奠定了實驗基礎(chǔ)。圖：自旋超流基態(tài)的重要實驗證據(jù)。（A）非局域自旋輸運測量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測量自旋流的輸運。（B）自低溫下自旋輸信號出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，反映出自旋超流基態(tài)的零自旋阻效應(yīng)。（C）自旋信號隨其隨輸運距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運理論預言一致。

該裝置工作原理不同于已有產(chǎn)品，具有推流和曝氣雙重作用，利用葉輪的高速旋轉(zhuǎn)，在葉輪前端形成一定負壓吸入空氣，形成汽水混合物后在葉輪的強大推力下噴出，采用旋轉(zhuǎn)蝸殼噴水裝置，渦殼在水流反作用力下可以做 360 度旋轉(zhuǎn)，極大地提高曝氣面積。該裝置的特點是：使用獨特的高效無堵塞推流曝氣葉輪，提高了效率；采用水力自旋轉(zhuǎn)蝸殼噴水裝置，提高了服務(wù)面積；結(jié)構(gòu)緊湊，安裝維護方便。

挑流-射流聯(lián)合消能系統(tǒng)利用下泄的高速水流沖擊溢流堰上葉輪轉(zhuǎn)動，通過變速器加速發(fā)電機旋轉(zhuǎn)發(fā)電，為置于水墊塘中的增壓泵供電，增壓泵的矩形出水口向上噴射出的面狀水流與溢流壩面挑射后下泄的面狀水流在空中碰撞消能，沖擊葉輪過程進行底坎消能，在完成底坎消能和對沖消能后，余能將在水墊塘得到進一下的消減。

浙江大學聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關(guān)鍵核心技術(shù) 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 如何通過超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產(chǎn)高端半導體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機產(chǎn)品的產(chǎn)線應(yīng)用性能與市場競爭力。此外，作為各類半導體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場被美國、日本等國壟斷，使我國半導體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風險。浙江大學流體動力與機電系統(tǒng)國家重點實驗室啟爾團隊所承擔的高端半導體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來在國家863計劃和國家02專項支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測試，為半導體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時自主研發(fā)的半導體機臺核心超潔凈流控零部件實現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國外技術(shù)的封鎖，為我國半導體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。