|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種用于芯片倒裝的多自由度鍵合頭
本發明公開了一種用于芯片倒裝的多自由度鍵合頭，包括安裝立板、對準機構和調平機構，其中對準機構包括縱向設置在安裝立板上部的 Z 向模組和橫向設置在 Z 向模組上的支架，并在 Z 向電機和旋轉電機的配合驅動下實現鍵合頭相對于 Z 軸方向的對準運動；調平機構包括固定設置在支架下側的上平臺、帶有吸嘴的下平臺和設置在上下平臺之間的三個支鏈結構，其中調平中心鏈的兩端分別通過轉動副與上下平臺相連，分布在中心鏈兩側的兩個調平側鏈各自配備有作為調節動力輸入的移動副，且其上下端分布通過多個轉動副與上下平臺相連。通過本發
華中科技大學
2021-04-14
一種面向柔性芯片的多頂針剝離裝置及剝離方法
本發明公開了一種面向柔性芯片的多頂針剝離裝置，包括固定 座、雙真空腔室、多頂針機構和凸輪旋轉驅動機構，其中：雙真空腔 室由分設在內、外側的真空內腔室和真空外腔室共同組成，并且真空 內腔室還可獨立發生上下滑動；多頂針機構由同軸安裝且彼此獨立操 控的內外圈頂針機構共同組成，它們沿著豎直方向整體設置在真空內 腔室下部，并各自包括頂針、支撐架和從動子；凸輪旋轉驅動機構用 于實現內外圈頂針機構上下動作時序的控制，同時實現單頂針與多頂 針之間的靈活切換。本發明還公開了相應的剝離工藝方法。通過本發 明，能夠顯著提
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于芯片轉移的倒裝鍵合控制方法
本發明屬于芯片貼裝工藝相關領域，并公開了一種適用于芯片 轉移的倒裝鍵合控制方法，主要包括：基于大轉盤仰視相機和晶元盤 斜視相機的觀測和配合，對芯片從晶元盤至大轉盤單元的吸附轉移執 行角度及位置控制；基于大轉盤俯視相機和小轉盤側視相機的觀測和 配合，對芯片從大轉盤單元至小轉盤單元的拾取轉移執行角度及位置·108·控制；以及基于小轉盤仰視相機和小轉盤俯視相機的觀測和配合，對 芯片至基板的貼合過程執行相應控制。通過本發明，不僅能夠實現芯 片高效倒裝鍵合整個過程中芯片在位置及角度
華中科技大學
2021-04-14
一種用于承載芯片的定位平臺的旋轉中心標定方法
一種用于承載芯片的定位平臺的旋轉中心標定方法本發明公開了一種基于 LED 芯片掃描的旋轉中心標定方法，具 體包括以下步驟:步驟一，芯片掃描，獲取同一次裝夾后不同旋轉角 度下的兩組掃描坐標數據;步驟二，掃描數據預處理，去除兩組數據 中僅被識別一次的芯片坐標;步驟三，獲取初步旋轉中心;步驟四， 以旋轉中心為參考，規劃兩個的區域 A、B，旋轉前其芯片序列為 PA、 PB，旋轉后為 P′A、P′B;步驟五，求 PAP′A，P
華中科技大學
2021-04-14
電路板及BGA芯片焊點虛焊紅外無損檢測儀
本成果功能全面，一機在手可實現電路板上常見的各類貼插焊點及QFP、BGA等芯片焊點的質量檢測，確保出廠焊點完美無缺。QFP及貼插焊點可編程掃描檢測；BGA芯片焊點可實現紅外成像檢測，智能篩選，無需逐個焊點比對（一塊BGA芯片焊點通常在幾十至幾千個）。
一、項目分類
顯著效益成果轉化
二、成果簡介
成果依據熱傳導學原理，開創性地將紅外無損檢測技術應用于電路板焊點虛焊檢測領域，基于先進的檢測原理和方法，本產品可準確檢測出以往無論是AOI還是最高端的5aDAXI皆無法判明的焊點內部缺陷，且可定性定量。
歷經十余年潛心研究，本成果不僅可對電路板上“可視“（看得見）類焊點（常規貼插焊點、DIP、QFP芯片等）進行檢測，更一舉突破了非可視（焊點在芯片下面）類BGA芯片焊點的質量檢測難題。
BGA類芯片由于不可替代的先進性，正在得到廣泛應用，但由于其焊點隱藏于芯片與電路板之間，焊點質量檢測問題也同時成為電子行業的痛點。廠家即使擁有價值幾百萬的3D-5DAXI也只能用來數焊點里的氣孔，無法確定是否有虛焊（X光適用于檢測氣孔等體積類缺陷，對裂紋、虛焊無效）。
本成果功能全面，一機在手可實現電路板上常見的各類貼插焊點及QFP、BGA等芯片焊點的質量檢測，確保出廠焊點完美無缺。QFP及貼插焊點可編程掃描檢測；BGA芯片焊點可實現紅外成像檢測，智能篩選，無需逐個焊點比對（一塊BGA芯片焊點通常在幾十至幾千個）。
本成果還有操作簡單，無需操作者專業背景，檢測過程快速安全無輻射，實現對產品原位無損檢測等優點。
毫無疑問，本成果可填補市場空白，技術水平處于國際領先地位。
哈爾濱工業大學
2022-08-12
基于電控液晶紅外發散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片
本發明公開了一種基于電控液晶紅外發散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發散平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外發散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成；圖形化電極層由其上布有 m×n
華中科技大學
2021-04-14
中國科大在InGaAs單光子探測芯片設計制造領域取得重要進展
研究團隊通過設計金屬—分布式布拉格反射器優化單光子探測器芯片的光學性能，完成低本征暗計數的單光子探測器芯片的全自主化設計與制備，實現了單光子探測器芯片的全國產化，為解決國家亟需的前沿科技問題邁進了重要一步。
中國科學技術大學
2022-06-02
低 C/N 比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
針對國內外低 C/N 城市污水處理中氮磷難以達標及能耗高的技術難題，本成果經過 10 余年的潛心研究與工程實踐，提出了 1 個原創理論與方法，突破了 3 項新技術應用的瓶頸，開發并集成了 4 個低 C/N 比城市污水脫氮除磷改良工藝及過程控制技術，共獲得 28 項授權的發明專利，發表論文 100 余篇 (SCI50 余篇 )，出版 2 本專著，獲 2 次全國優秀博士學位論文提名獎，2 項國家級火炬計劃項目。本成果為低 C/N 比城市污水連續流脫氮除磷提供了多角度、全方位的綜合性解決方案，填補了我國在此項技術研究領域的空白，形成了具有我國自主知識產權的污水脫氮除磷技術。
北京工業大學
2021-04-13
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
低C/N比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
北京工業大學
2021-04-14