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FEP薄膜
產品詳細介紹
南京瑞尼克科技開發有限公司
2021-08-23
密封真空光纖饋通法蘭真空室導光半導體和薄膜處理應用
北京錦正茂科技有限公司
2022-01-25
基于深度學習的光伏并網系統電能質量預測及調控策略研究
本成果圍繞光伏并網系統電能質量展開。基于深度學習算法，研究諧波等電能質量指標變化規律，運用特征提取技術處理時序數據，實現電能質量預測。研發基于態勢感知的電能質量調控裝置，總諧波補償率不小于 90%，補償次數 2 - 50 次。成果形式包括研究報告、調控裝置示范應用，申請發明專利 3 項，發表論文 3 篇。應用場景涵蓋光伏電站、配電網等，可提升電網可靠性與經濟性，減少設備損耗、優化調控策略、降低棄光率，為新能源消納提供支撐。
沈陽農業大學
2025-05-21
一種基于 SnO2的鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法
本發明涉及一種鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法。所述的鈣鈦礦薄膜光伏電池采用可低溫制備的 SnO2 作為電子傳輸層，用以取代傳統的需要高溫燒結的 TiO2 電子傳輸層。這種基于低溫制備的 SnO2 電子傳輸層的鈣鈦礦薄膜光伏電池取得了14.60%的高光電轉化效率，大大優于基于傳統高溫燒結的TiO2 電子傳輸層的鈣鈦礦太陽電池。SnO2 薄膜的化學性質穩定而且制備過程簡單，極大地簡化鈣鈦礦電池 的制備流程，有效地降低電池的制作成本，也能很好的改善鈣
武漢大學
2021-04-14
低輻射薄膜
已有樣品/n該項目提供了一種新型低輻射薄膜，分別采用金屬薄銀層來抑制長波長紅外波和短波長紫外波的透射，采用周期性結構來增強可見光波段的透射；對可見光的透射率達到70~96%，對紫外波段的透射率降低到15%、對780nm~1200nm 紅外波段的透射率降低到10%以下、對1200nm~3000nm 紅外波段的透射率降低到25%以下，層數顯著降低，很大程度上縮減了成本，簡化了工藝流程。該項目提供的薄膜具有防紫外線、透明和
華中科技大學
2021-01-12
薄膜萃取系統
產品特點：
· 整機功能集成化，外觀簡潔、大方
· 電氣化控制簡潔、實用
· 內部結構采用多分區、模塊化設計，滿足不同工藝下使用要求
· 設備可以整體移動、固定，對于需要在不同環境使用具有較高適用性。
· 操作、維護方便，性能安全可靠
· 可以通過不同的萃取時間、方案，完全模擬出萃取線的過程及其結果
產品應用：
· 開發新的薄膜配方和材料
· 測試新的薄膜表面/添加劑
· 驗證薄膜生產工藝條件
· 測試不同萃取方案對于材料的影響
· 萃取后薄膜樣品性能測試
· 小批量薄膜生產
技術參數：
· 萃取樣品尺寸規格——850mm×850mm
· 樣品薄膜厚度——20 - 5000 μm
· 內部分區——3區
· 萃取介質進出——雙泵單獨控制
· 輔助萃取（可選）——強力超聲波發生器
· 設備尺寸—— 1m×1m×1.3m （長×寬×高）
青島中科華聯新材料股份有限公司
2021-09-03
薄膜拉伸機
產品特點：
· 符合人體工程學設計
· 簡單、直觀的電氣化控制
· 通過循環空氣或紅外加熱，薄膜達到精確、可靠的溫度
· 通過精準的溫度平衡實現完美的工藝控制
· 調試維修方便簡單，使用性能可靠
· 可進行縱向、橫向或在任何位置的雙向同步或異步拉伸
· 可通過不同拉伸速度拉伸薄膜，完美模擬薄膜拉伸流水線工藝
產品應用：
· 開發新的薄膜配方和材料
· 測試新的薄膜表面/添加劑
· 驗證薄膜生產工藝條件
· 測試不同萃取方案對于材料的影響
· 萃取后薄膜樣品性能測試
· 小批量薄膜生產
技術參數：
· 設備配置——5鋏子配置
· 推薦的初始樣品膜尺寸——80mm×80mm
· 拉伸比率——10：10
· 最大拉伸尺寸——780mm×780mm（包含鋏頭區域）
· 拉伸樣品膜厚度——20 - 5000 μm
· 拉伸速度——500mm/S
· 最大夾緊力——1000N
· 每一軸拉伸力——2000N
· 設備尺寸——4m×2m×2m（長×寬×高）
· 拉伸樣品膜加熱系統可到300°C
青島中科華聯新材料股份有限公司
2021-09-03
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
薄膜材料生長系統
集成電路產業需要大量高端薄膜生長設備，上個世紀80年代，MBE作為一種尖端技術，國外就對中國進行了技術封鎖，禁運中國。甚至在今天，MBE仍然屬于美國對中國出口的管制類產品，每一臺都要經過復雜的審批過程。
南京大學
2021-04-10