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軟硬件協(xié)同管理的 DRAM-NVM 層次化異構(gòu)內(nèi)存訪問方法及系 統(tǒng)
本發(fā)明提出了一種軟硬件協(xié)同管理的 DRAM-NVM 層次化異構(gòu) 內(nèi)存系統(tǒng)。該系統(tǒng)把 NVM 作為大容量的非易失內(nèi)存使用，而 DRAM 視為 NVM 的緩存。有效利用 TLB 和頁表結(jié)構(gòu)中的一些預(yù)留位，消除 了傳統(tǒng)硬件管理的層次化異構(gòu)內(nèi)存架構(gòu)中的硬件開銷，將異構(gòu)內(nèi)存系 統(tǒng)中緩存管理問題轉(zhuǎn)移到軟件層次，同時(shí)降低了最后一級 cache 缺失 后的訪存時(shí)延。考慮到大數(shù)據(jù)應(yīng)用環(huán)境中，很多應(yīng)用數(shù)據(jù)局部性比較 差，在 DRAM 緩
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種順應(yīng)撓度曲線的旋轉(zhuǎn)軸系的軸承孔系布置方法
本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)軸系中軸承孔系的布置方法，通過對支 撐旋轉(zhuǎn)軸系各軸承的軸承孔軸線的位置和偏轉(zhuǎn)角度進(jìn)行布置，使單個(gè) 軸承沿周向同一位置、軸向的不同位置所受應(yīng)力或壓強(qiáng)基本一致，從 而實(shí)現(xiàn)對旋轉(zhuǎn)軸系的支撐并消除軸系軸承自身的偏磨，其特征在于， 所述各軸承按照順應(yīng)軸承的軸承孔型心處的軸系撓度曲線安裝布置。 本發(fā)明的方法針對軸承孔有 3 個(gè)或 3 個(gè)以上、軸系的撓度曲線在軸承 孔型心處的撓度值和轉(zhuǎn)角值超過制造公差和回轉(zhuǎn)使用公差的工作狀況 的旋轉(zhuǎn)軸系，在穩(wěn)定負(fù)載的條件
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點(diǎn)鋁基釬料及其制備方法
所屬行業(yè)領(lǐng)域 鋁及鋁合金的釬焊材料 成果介紹 本研究成果是涉及一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點(diǎn)鋁基釬料及其制備方法，釬料合金中主要添加元素為Si、Ge、Zn，旨在解決當(dāng)前鋁基釬料所面臨的兩個(gè)關(guān)鍵問題：1、熔化溫度低的加工成型性差（如Al-Si-Cu、Al-Ag-Cu等）；2、加工成型性好的熔化溫度高（如Al-12Si）。這兩大關(guān)鍵問題直接制約著釬料合金的制備和使用，到目前為止，大量的性能
北京科技大學(xué)
2021-04-14
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大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。
上海理工大學(xué)
2021-04-11
大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。
上海理工大學(xué)
2021-04-13
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
一種合歡葉片中的內(nèi)生菌H6菌株分離方法及其應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種合歡葉片中的內(nèi)生菌H6菌株分離方法及其應(yīng)用，該分離方法包括：采用75%（體積分?jǐn)?shù)）酒精浸泡2min，再用10%次氯酸鈉溶液浸泡3min，無菌水沖洗2?3次，可達(dá)到合歡葉片表面最佳的消毒效果和內(nèi)生菌H6分離的最適條件。本發(fā)明經(jīng)試驗(yàn)證明H6菌株、發(fā)酵液、無菌株發(fā)酵液及其從H6發(fā)酵液中分得的活性組分對供試的植物病原菌蘋果腐爛病菌，葡萄黑痘病菌、西瓜枯萎病菌、小麥赤霉病菌等均具有較強(qiáng)的抑制作用。本發(fā)明采用液?液萃取法對內(nèi)生菌H6的代謝液提取，得10個(gè)組分，其中活性高的組分1、2和8樣品硅烷化衍生后進(jìn)行GC?MS檢測，鑒定出其中脂肪酸、芳香酸、環(huán)二肽、甾醇類等25種具抗菌活性的物質(zhì)。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-13
簇生朝天椒可育胞質(zhì)的分子鑒定標(biāo)記及保持系選育方法
本發(fā)明提供了簇生朝天椒可育胞質(zhì)的分子鑒定標(biāo)記及保持系選育方法，本發(fā)明首先利用種子培育簇生朝天椒優(yōu)良品種的黃化苗，提取線粒體DNA，然后依據(jù)本發(fā)明的分子標(biāo)記Mt_InDel10，篩選具有可育胞質(zhì)基因型N的品種；最后以100%雄性不育系材料與入選的具有可育胞質(zhì)基因型N的品種，花期雜交，根據(jù)雜交后代育性分離情況，快速選育具有優(yōu)良表觀性狀的雄性不育系和保持系，為雄性不育三系配套雜交育種提供母本儲備。本發(fā)明所述的選育方法將分子標(biāo)記篩選和常規(guī)雜交育種結(jié)合，減少了常規(guī)選育的盲目性，縮短選育年限，提高定向選擇效果，加快育種進(jìn)程，對加快簇生朝天椒優(yōu)良地方品種的改良和提升具有重要應(yīng)用價(jià)值。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-13
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提高 700MPa 強(qiáng)度級高合金化 7000 系鋁合金抗腐蝕性能的方法
項(xiàng)目簡介 一種提高 700MPa 強(qiáng)度級高合金化 7000 系鋁合金抗腐蝕性能的方法，其特征是它由 預(yù)回復(fù)（ 250 ℃×24 h+300 ℃×6 h+350 ℃×6 h+400 ℃×6 h ）、 固 溶 （450℃×2h+460℃×2h+470℃×2h 保溫后室溫水淬）、預(yù)變形（2%的塑性變形）和時(shí)效 （121℃×24h）組成。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) 本發(fā)明能在不降低合金強(qiáng)度的情況下，顯著提高合金的抗晶間腐蝕和抗剝落腐蝕性158 能。 合作方式
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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酶法拆分生產(chǎn)（S）-萘普生
萘普生是一種傳統(tǒng)的非處方消炎、鎮(zhèn)痛藥物。作為一種手性藥物，其（S）-構(gòu)型化合物的消炎活性是（R）-構(gòu)型的28倍。對化學(xué)法合成的消旋萘普生進(jìn)行拆分，得到光學(xué)純的（S）-萘普生，可以有效地提高藥效，減少毒副作用。 我們采用自行開發(fā)的重組酯酶催化消旋萘普生甲酯的立體選擇性水解，（S）-萘普生甲酯水解生成相應(yīng)的（S）-萘普生，未反應(yīng)的（R）-萘普生甲酯在強(qiáng)堿環(huán)境下進(jìn)行消旋，得到消旋萘普生甲酯，回收后與新鮮底物混合，重新用于拆分反應(yīng)。 由于萘普生甲酯在水中溶解性差，與酶接觸面積小，反應(yīng)時(shí)底物濃度通常比較低，本項(xiàng)目中，我們采用簡單的機(jī)械破碎的方法，對底物進(jìn)行粉碎，獲得細(xì)微的底物顆粒，極大地增加了萘普生甲酯顆粒的表面積，從而有效地提高了純水相反應(yīng)介質(zhì)中萘普生甲酯的酶促反應(yīng)速率，底物濃度可達(dá)到5%，并且反應(yīng)結(jié)束后通過簡單過濾即可實(shí)現(xiàn)底物與產(chǎn)物的分離，工藝簡單。
華東理工大學(xué)
2021-02-01
酶法拆分生產(chǎn)（S）-萘普生
萘普生是一種傳統(tǒng)的非處方消炎、鎮(zhèn)痛藥物。作為一種手性藥物，其（S）-構(gòu)型化合物的消炎活性是（R）-構(gòu)型的28倍。對化學(xué)法合成的消旋萘普生進(jìn)行拆分，得到光學(xué)純的（S）-萘普生，可以有效地提高藥效，減少毒副作用。我們采用自行開發(fā)的重組酯酶催化消旋萘普生甲酯的立體選擇性水解，（S）-萘普生甲酯水解生成相應(yīng)的（S）-萘普生，未反應(yīng)的（R）-萘普生甲酯在強(qiáng)堿環(huán)境下進(jìn)行消旋，得到消旋萘普生甲酯，回收后與新鮮底物混合，重新用于拆分反應(yīng)。由于萘普生甲酯在水中溶解性差，與酶接觸面積小，反應(yīng)時(shí)底物濃度通常比較低，本項(xiàng)目中，我們采用簡單的機(jī)械破碎的方法，對底物進(jìn)行粉碎，獲得細(xì)微的底物顆粒，極大地增加了萘普生甲酯顆粒的表面積，從而有效地提高了純水相反應(yīng)介質(zhì)中萘普生甲酯的酶促反應(yīng)速率，底物濃度可達(dá)到5%，并且反應(yīng)結(jié)束后通過簡單過濾即可實(shí)現(xiàn)底物與產(chǎn)物的分離，工藝簡單。相關(guān)技術(shù)已申請中國發(fā)明專利，申請?zhí)?01010114462.8
華東理工大學(xué)
2021-04-13