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一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料
本發(fā)明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領(lǐng)域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設計所需成分配比，預先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對應無鉛焊點的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。
江蘇師范大學
2021-04-11
一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維 進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對彎曲運動機械 能的捕獲效果。
華中科技大學
2021-04-11
一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件及其加工方法
本發(fā)明公開了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過陽極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個以上，均勻設置在玻璃襯底一側(cè)，金屬電極通過金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結(jié)構(gòu)；每個金屬電極正上方的SOI蓋帽上設有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對應。本發(fā)明具有全解耦、質(zhì)量小、結(jié)構(gòu)精巧、成本低和便于批量生產(chǎn)等優(yōu)點，在單個器件內(nèi)同時實現(xiàn)了對三軸的加速度和角速度的檢測，應用范圍廣，有著良好的市場前景。
東南大學
2021-04-11
一種用于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置
本發(fā)明屬于電子元器件的封裝設備技術(shù)領(lǐng)域，并公開了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺、熱壓 機構(gòu)、驅(qū)動機構(gòu)和調(diào)距機構(gòu)等，其中熱壓機構(gòu)被設計為雙路結(jié)構(gòu)，并 用于實現(xiàn)料帶的封合，保證壓力的一致性，進而完成料帶的良好熱封； 驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動熱壓機構(gòu)實現(xiàn)垂直方向的上下運動；調(diào)距機構(gòu)用于 調(diào)節(jié)工作臺兩側(cè)的間距以及兩側(cè)壓頭的間距，進而實現(xiàn)適應不同寬度 的料帶的熱封。通過本發(fā)明，能實現(xiàn)單側(cè)壓頭的溫度均勻分布，兩側(cè) 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時具備 結(jié)構(gòu)緊湊，便
華中科技大學
2021-01-12
基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅(qū)動方法
本發(fā)明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅(qū)動方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導體量子點，作為光電轉(zhuǎn)換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉(zhuǎn)印等方法，沉積可傳感紅外信號的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點層；在量子點光電轉(zhuǎn)換層上利用濺射方法制備對紅外吸收較少的公共導電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點光電轉(zhuǎn)換層，以及透明電極構(gòu)成紅外光敏電阻結(jié)構(gòu)，該光敏電阻吸收紅外信號后，產(chǎn)生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發(fā)明提出的紅外探測器件成像面積大，
東南大學
2021-04-14
有機光電器件中的薄膜電導率提高機理技術(shù)研究
本成果通過有機光電器件中有機薄膜的缺陷態(tài)來揭示： 1. 有機半導體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級排布或者出現(xiàn)的界面能級釘扎的機理； 3. 缺陷態(tài)的存在對器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機、無機材料摻雜來極大的提高有機半導體薄膜的電導率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機光電器件的性能。
揚州大學
2021-04-14
一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極，并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對彎曲運動機械能的捕獲效果。
華中科技大學
2021-04-14
東北師范大學在憶阻材料與器件領(lǐng)域取得重要進展
憶阻器具有運行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優(yōu)勢，在信息存儲、邏輯運算、類腦計算等領(lǐng)域有重要應用，被視為推進信息技術(shù)發(fā)展的一種變革性技術(shù)。
東北師范大學
2022-06-08
一種可調(diào)控的空間電磁感應透明超材料器件
本發(fā)明公開了一種可調(diào)控的空間電磁感應透明超材料器件。該 器件包括基板和位于基板上的能產(chǎn)生電磁感應透明現(xiàn)象的金屬單元陣 列；所述金屬單元陣列包括多個陣列分布的金屬單元，所述金屬單元 包括第一金屬微結(jié)構(gòu)和第二金屬微結(jié)構(gòu)，所述第一金屬微結(jié)構(gòu)包括第 一金屬圖形，所述第二金屬微結(jié)構(gòu)包括第二金屬圖形，所述第一金屬 微結(jié)構(gòu)和/或所述第二金屬微結(jié)構(gòu)還包括半導體元件。本發(fā)明能有效解 決現(xiàn)有技術(shù)中不能簡單快速地對電磁感應透明超材料的工作
華中科技大學
2021-04-14
基于同質(zhì)器件架構(gòu)的感算存一體化神經(jīng)形態(tài)硬件
該成果創(chuàng)新性地基于二維半導體的硅基同質(zhì)器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計算-存儲一體化”神經(jīng)形態(tài)芯片架構(gòu)，實現(xiàn)了光電傳感、放大運算、信息存儲功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實現(xiàn)類腦智能提供了一種全新思路。
繆向水教授團隊，長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實驗室，推動存儲器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎1項。
同質(zhì)晶體管-存儲器架構(gòu)的原理及器件結(jié)構(gòu)
繆向水團隊長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實驗室，推動存儲器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎1項。
華中科技大學
2022-08-12