|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
國家發改委：煤炭產量已恢復至節前水平 電廠存煤超1.65億噸
記者日前從國家發展改革委獲悉，春節假期，各地區和中央企業努力穩定煤炭生產供應，科學安排生產銷售，煤炭日產量、供應量和發運量均高于農歷同期水平，有力保障了節日用煤需求。
人民網
2022-02-08
超分子介孔材料對有機污染物的吸附回收及可控釋放取得
以咔唑為中心，在其2，7，9號為分別進行芳基化，制備了新型的二維、三維的螺旋槳狀芳香性兩親物， 并通過折疊芳香性平面的組裝制備了空心球。與傳統的基于一維芳香性分子的超分子多孔材料相比，二、三維π-共軛組裝體在水溶液中提供了疏水性碳環境，可以吸附回收水中的有機污染物。研究結果表明，制備的介孔球對有機污染物—乙炔雌二醇（Eo）和雙酚A（BPA）的回收率分別為92％和90％。值得注意的是，介孔球可以識別鹽的濃度。隨著鹽的加入，折疊的芳香性分子被觀察到逐漸變得平坦，誘導強的π-π相互作用，使多孔球體融化并相連一起形成實心的纖維。這種多孔向無孔材料的轉變引發被吸附的污染物從多孔結構中自發釋放，而隨后的透析使超分子多孔結構恢復吸附容量。
中山大學
2021-04-13
一種提高超積累植物東南景天對重金屬超積累能力的方法
本發明公開了一種提高超積累植物東南景天對重金屬超積累能力的方法，包括：將離體的東南景天植株切成含有完整腋芽的莖段，浸入無菌秋水仙素溶液中，密封避光，并放入溫度為25℃±1℃的搖床中振蕩；取出處理后的離體帶腋芽莖段經無菌水沖洗后接種于分化培養基上，培養至腋芽處長出叢生芽；將叢生芽接種于生根培養基中，生根培養為完整植株；取完整植株的嫩葉在流式細胞儀上檢測所獲得株系的倍性，選擇變異植株；取變異植株，切成莖段，在生根培養基中培養獲得無菌苗；變異植株與對照株在加鎘的培養基中進行鎘處理，檢測其體內鎘積累量。本發明通過誘導東南景天染色體加倍，再經過檢測獲得加倍材料，提高東南景天對重金屬的超積累能力。
浙江大學
2021-04-13
基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號探測器和制備方法
本發明公開了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號探測器，包括自下而上依次設置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結構的金屬開環共振單元陣列，所述金屬開環共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數，每個圖形對于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環共振單元的結構和尺寸參數可以調控對應的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調控超材料
華中科技大學
2021-04-14
一種深孔加工用超細硬質合金刀具材料的制備方法
本發明公開了一種深孔加工用超細硬質合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結相，并通過超聲分散和pH值調節使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復合粉末實現VC對WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數匹配。
四川大學
2017-12-28
半導體設備超潔凈流控系統及其受制約流控零部件
浙江大學聚焦超潔凈流控系統基礎研究、技術攻關和產品研發，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關鍵核心技術
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、技術分析
如何通過超潔凈流控技術降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產高端半導體制造裝備研制面臨的重大挑戰，直接關乎整機產品的產線應用性能與市場競爭力。此外，作為各類半導體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場被美國、日本等國壟斷，使我國半導體制造裝備產業面臨核心零部件“卡脖子”風險。浙江大學流體動力與機電系統國家重點實驗室啟爾團隊所承擔的高端半導體制造裝備核心分系統之一的超潔凈流控系統，自2004年以來在國家863計劃和國家02專項支持，聚焦超潔凈流控系統基礎研究、技術攻關和產品研發，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關鍵核心技術，完成了超潔凈流控系統九大組件的研制和集成測試，為半導體制造設備掃描速度與產能的提高提供基礎理論與方法依據，同時自主研發的半導體機臺核心超潔凈流控零部件實現了產品化，突破了國外技術的封鎖，為我國半導體制造的發展與自主創新提供了基礎支撐。
浙江大學
2022-07-22
適用于具有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓撲優化方法
本發明屬于超材料設計相關技術領域，其公開了一種適用于具 有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓撲優化方法，其包括以下步驟: (1)采用加權法建立每層的、同時考慮微觀結構拉脹屬性及宏觀結構剛 度屬性的多目標優化模型;(2)控制所述超材料結構整體在一個方向上 的拉脹屬性及剛度屬性呈梯度形式分布;(3)計算每層設計域上的微觀 位移、宏觀位移、以及每層微結構的等效彈性屬性;(4)基于計算獲得 的敏度，采用優化準則法更新設計變量，進而判斷所述目標函數是否 收斂。上述拓撲優化方法采用加權法建立同時考慮微觀結
華中科技大學
2021-04-14
一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。
電子科技大學
2021-02-01
一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩定性和生物相容性，可重復使用，成本低廉，有望投入大規模臨床應用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優點。
浙江大學
2021-04-11
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11