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5G新基建是國家的重要發展戰略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當前5G建設的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對解決光通信“空芯化”問題，推進“中國芯”國家重大戰略實施，保障我國通信基礎設施安全具有重要的經濟和社會效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規的DFB激光器面臨嚴重的高溫高帶寬瓶頸。面對5G應用要求的-40~85℃的寬溫應用場景，常規DFB激光器芯片往往是超頻運行，嚴重影響可靠性。因此，研制全國產寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時兼顧低成本高可靠需求對推進“中國芯”國家重大戰略實施具有重要意義。 本成果創新性地提出一種溝中溝脊波導DFB激光器結構，相比較常規DFB激光器，在脊兩側對稱的刻蝕兩個溝槽。此結構可抑制注入載流子的橫向擴散，提高對光場的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實測寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達到商用需求。同時，相比較常規芯片，其制作過程只需多加一步簡單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時的老化試驗，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。 圖1（a）常規DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖 圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應曲線對比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應帶寬對比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線 圖3（a）（b）25℃和85℃下常規芯片與溝中溝脊芯片2000小時老化實驗結果，功率變化小于0.5%

本發明公開了一種高功率光纖激光器包層光濾除裝置，該裝置 包括一段或多段雙包層光纖，其中此雙包層光纖沿激光輸出方向按剝 除面積由小到大而間隔地對保護層和外包層進行部分剝除，使內包層 裸露出來，將濾光材料涂在裸露內包層上，并且將上述濾光裝置固定 在散熱金屬材料及水冷板上。本發明對光纖結構破壞較小，濾光均勻， 避免了非均勻濾除時，某些濾除點溫度過高的現象，提高了系統的穩 定性。

項目背景：DFB 半導體激光器是光通信領域中最為重要 的器件之一，目前已經有工業級溫度（-40°C-85°C）25G 波特率 DFB 大規模量產。但是，從 2000 年至今，DFB 激光器 的 3dB 帶寬在全世界范圍內幾乎沒有明顯提高，傳統的基于 載流子和光子響應的 DFB 激光器在傳統的制造工藝下已經趨 近其速率的物理極限，需要用新的物理本質來實現更高速率 的器件，從而進一步提升 DFB 芯片的調制速率和整個光通信 應用的傳輸速率。本項目研發的 50G 波特率 DFB 半導體激光 器將達到國際領先水平，填補國內空白，打破國外壟斷本項 目的實施，應對美國對中國高端材料和芯片的禁售風險。該 產品可在光通信系統中應用廣泛，可以承擔接入網、數據中 心網絡、無線網絡、傳輸網絡等多個方面的主力傳輸工作。 所需技術需求簡要描述：本項目期望突破當前 DFB 調制 速率的瓶頸，在目前大規模量產的 25G 波特率 DFB 的基礎上， 將速度翻一番，到達 50G 波特率。（1） 兩個背靠背 DFB 激 光器產生的光子-光子諧振效應（PPR）研究。（2） 背靠背 DFB 激光器的高速陶瓷載體設計。（3） 50G 波特率 DFB 芯片 和高速陶瓷載體的測試  對技術提供方的要求:1．光電子器件設計領域國際知名 專家，熟悉 50G 波特率 DFB 激光器基本設計。2．完善的 DFB 器件基礎知識和模擬能力。3．國內 985 高校教授，技術方案成熟可靠穩定有創新思維，不涉及知識產權侵犯。 

本項目利用一種新型結構獨特的兼具準直和選頻功能的混合菲涅爾透鏡衍射光柵光學元件來實現一種小型集成化、窄線寬的半導體激光器。結合混合菲涅爾透鏡衍射光柵光學元件外腔技術，使激光線寬小于50 kHz水平，實現微型化的厘米長度的窄線寬相干激光光源的批量制備。

本發明公開了一種半導體脈沖激光器熱電階梯冷卻方法，包括以下步驟：1)根據半導體脈沖激光器的額定工作溫度 Ts 選擇熱電模塊，將熱電模塊安裝在半導體脈沖激光器內并使用可編程直流電源控制其電壓；2)半導體脈沖激光器在 jt0 時刻釋放熱量 Qc 使半導體脈沖激光器內的溫度上升，可編程直流電源在 jt0 時刻相應地由恒定電壓 Us 調整為階梯電壓并施加在熱電模塊上，以使半導體脈沖激光器的實際工作溫度降低到 Ts±2℃；其中，j 為大于零的正整數。本發明通過給熱電模塊施以合適的階梯電壓，使熱電模塊冷端溫度呈現出衰減振蕩過程，能減小過冷溫度和增益溫度，保證半導體脈沖激光器的溫度要求。

1. 痛點問題 雙頻激光干涉儀以雙頻激光器作光源。國內外，都是在氦氖激光管上加磁場，磁場和原子相互作用（塞曼效應），使氦氖激光器輸出雙頻，這就是激光教科書中的塞曼效應雙頻激光器,常簡稱為雙頻激光器。國內外嘗試用半導體激光器和固體微片激光器的努力都沒有成功。塞曼效應雙頻激光器的缺點是雙頻的間隔（頻差）小，且光子電場振動為圓偏振，前者影響干涉儀測量速度，后者帶來幾納米十幾納米的非線性誤差，這就是塞曼效應雙頻激光器的天花板。本項目課題組曾經嘗試用晶體石英，外加力的應力雙折射使氦氖激光器產生雙頻，但其組裝方式等不夠理想，穩定性需提高，產品化困難。 2. 解決方案 鑒于塞曼效應雙頻激光器性能提高遇到的瓶頸，本項目提供一種用激光內雕技術使激光器輸出頻率差，其賦值精確，裝配不帶來不穩定。本項目雖然是氦氖雙頻激光器制造過程中的一個工藝或物理過程，但在精密測量領域意義重大，影響深遠。 合作需求 尋求本領域合適的合作伙伴，把這種采用新工藝的雙頻激光器裝于干涉儀，并把這種雙頻激光干涉儀推向市場。

1. 痛點問題 激光雷達在自動駕駛等領域有重要應用。基于調頻連續波技術的激光雷達（FMCW Lidar）有著探測距離遠、抗干擾和同時測速等優勢，被認為是最具應用潛力的激光雷達。激光光源是FMCW激光雷達的核心器件之一，FMCW光源的調頻非線性會嚴重影響激光雷達的分辨率，導致有效工作距離縮短，阻礙激光雷達性能的提升。 2. 解決方案 本成果預期解決目前調頻連續波激光雷達（FMCW Lidar）中光源調頻非線性的問題。本成果提出一種基于硅基外腔芯片的窄線寬激光器，通過無源硅基外腔芯片反射波長中心頻率和反射相位的聯合調諧，可以實現高線性的激光輸出頻率調諧，其原理架構與和實驗驗證結果如圖1所示。從而突破了傳統FMCW光源直接通過電流調制進行調頻導致的非線性限制，直接產生高線性連續調頻光信號。 合作需求 1、需要融資1800~2000萬元，完成研發實驗室及一期生產線的建設，以及前期工程樣品的開發； 2、需要800平米左右萬級超凈廠房及配套辦公面積，希望有興趣的地區或者園區能夠提供優惠的政策與支持； 3、歡迎FMCW激光雷達廠家及其它對FMCW光源有需求的客戶合作，聯合測試、共同開發； 4、歡迎在硅光設計、光有源、無源耦合及自動化生產等方面的技術、管理專家加盟，共同打造激光雷達的中國光芯，共創美好未來。

產品詳細介紹 產品名稱： 高功率半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 12281271316產品信息： 產品名稱： LCM-LL-250型 綠光微功率激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 61910274716產品信息： 產品名稱： 375nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118957316產品信息： 產品名稱： 藍光405 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118956016產品信息： 產品名稱： 藍光473 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189545816產品信息： 產品名稱： 綠光523 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118954116產品信息： 產品名稱： 綠光532 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189525516產品信息： 產品名稱： 黃光556nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189511616產品信息： 產品名稱： 黃光561nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189501816產品信息： 產品名稱： 黃光589nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118949416產品信息： 產品名稱： 黃光593nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189474716產品信息： 產品名稱： 紅光635nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189455616產品信息： 產品名稱： 紅光639nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189445316產品信息： 產品名稱： 紅光 671 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189393016產品信息： 產品名稱： 690 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189384116產品信息： 產品名稱： 457 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118937916產品信息： 產品名稱： 445 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189343316產品信息： 產品名稱： 375 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189323116產品信息： 產品名稱： 拉曼780 nm 半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118929816產品信息： 產品名稱： 785 nm 半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118927716產品 產品名稱： 808 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189252716產品信息： 產品名稱： 830nm 半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189233916產品信息： 信息： 【激光系列產品】 光纖激光器  多模泵浦激光器  激光二極管未封裝bar  激光二極管冷卻裝置  激光器電源  氦氖激光器  CO2激光器  半導體泵浦激光器  氬離子激光器  氦鎘激光器  氮分子激光器  皮秒激光器  激光二極管電源  激光光譜測量  激光能量計/功率計  激光雕刻、打標、切割機  激光二極管模塊  深紫外、紫外固體激光器  超快飛秒激光器  熱電制冷產品  激光光束定位系統  激光光束分析儀  視頻顯微鏡測量系統  激光準直器  多通道激光功率計  半導體激光器  激光測距儀  紅外激光顯示卡  調Q激光器  激光護目鏡  光學平臺  光學調整架  光學微調架  可調嵌入式光學調整架  傾斜位移臺  通用調整臺  光學延遲線  手動位移臺  XY位移臺  光學旋轉臺  角位移調整臺  激光器附件  可變光闌  擴束鏡  拉曼激光器  大功率光纖耦合激光器  單模垂直腔面發射激光器  緊湊型氬離子激光器  新型氬離子激光器 

本發明公開了一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方 法，該剝離器包括包層光纖、多段光柵和冷卻管套，其制作方法是在 裸露的光纖內包層外表面上涂覆折射率大于或等于內包層折射率的紫 外光刻膠，然后在紫外光刻膠上刻蝕多段光柵，通過多段光柵的衍射 將內包層內殘余光剝離出來；將制作好的多段光柵套在金屬管中，并 用密封套密封，該金屬管壁鋪滿吸熱材料，將剝離出的內包層光吸收， 通入流通的冷卻水將產生的熱量帶走。本發明通過采用不同

本發明公開了一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方 法，該剝離器包括包層光纖、多段光柵和冷卻管套，其制作方法是在 裸露的光纖內包層外表面上涂覆折射率大于或等于內包層折射率的紫 外光刻膠，然后在紫外光刻膠上刻蝕多段光柵，通過多段光柵的衍射 將內包層內殘余光剝離出來；將制作好的多段光柵套在金屬管中，并 用密封套密封，該金屬管壁鋪滿吸熱材料，將剝離出的內包層光吸收， 通入流通的冷卻水將產生的熱量帶走。本發明通過采用不同結構的光 柵來調整包層光的透過率,達到高效均勻剝離的目的，避免剝離器出現 過熱點，保