InP?基?2?微米波段半導(dǎo)體激光器
可以量產(chǎn)/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制備及器件工藝制作方面具有諸多優(yōu)勢(shì)。除了具 有高質(zhì)量,低成本的襯底材料,InP基激光器因其兼容傳統(tǒng)通訊用激光器的成熟工 藝,且易與其它器件實(shí)現(xiàn)集成等優(yōu)勢(shì)而具有更好的工業(yè)應(yīng)用前景。我們擁有采用 MOCVD制備大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半導(dǎo)體激光器工藝制作以及 器件測(cè)試封裝的全套技術(shù)。我們制備的激光器外延芯片波長(zhǎng)可精確調(diào)控,其面內(nèi)波 長(zhǎng)不均勻性低至±3nm,相應(yīng)的激光器件性能指達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 目前市場(chǎng)對(duì)2微米激光器的應(yīng)用需求主要
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12