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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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硫化物超級電容器的產(chǎn)業(yè)化開發(fā)
小試階段/n超級電容器以其大容量、高功率、長壽命、成本低廉、環(huán)境友好等優(yōu) 越的性能，可以部分或全部替代傳統(tǒng)的化學(xué)電池，并且具有比傳統(tǒng)的化 學(xué)電池更加廣泛的用途。該項目研制的硫化物超級電容器，其比容量可 達 1200-1400F/g，遠高于目前市面上和研究報道的同類材料，同時具備 極好的循環(huán)性能、熱穩(wěn)定性和導(dǎo)電性。該技術(shù)的先進性主要體現(xiàn)在以下 幾個方面：（1）制備出了中空結(jié)構(gòu)的大比表面積硫化物電極材料，具備 較高的比容量。（2）設(shè)計和構(gòu)造了基于過渡金屬硫化物中空納米結(jié)構(gòu)的 復(fù)合陣列，顯著提高了電容器的
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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一種微米實心硫化銅球的制備方法
本發(fā)明公開了一種微米實心硫化銅球的制備方法，采用如下的步驟：在盛水的容器底部放入導(dǎo)電玻璃片，導(dǎo)電面向上；在容器中配制30ml濃度為1.0~1.3mol/L的硫代硫酸鈉溶液；加入10ml濃度為1.0~1.3mol/L的氯化銅溶液；再把氯化銅溶液與相應(yīng)摩爾濃度硫代硫酸鈉溶液按照1:3的比例混合，然后把混合溶液倒入放有導(dǎo)電玻璃片的容器中；再經(jīng)靜止放置、烘干得到干燥的尺寸為0.3~3.0um的實心硫化銅微球目標產(chǎn)物。本發(fā)明方法設(shè)備簡單，能耗低，合成步驟少，操作簡單，室溫下(25℃左右)即可反應(yīng)，適合大規(guī)模生產(chǎn)，而且制得硫化物的性能優(yōu)良。
西南交通大學(xué)
2016-10-24
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燃燒合成氮化硅基陶瓷的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)
在高技術(shù)陶瓷領(lǐng)域，先進陶瓷占有極其重要的地位，在諸多的先進陶瓷中，氮化硅基先進陶瓷以其高強度、高韌性、高的抗熱震性、高的化學(xué)穩(wěn)定性在先進陶瓷中占有獨特的地位，是公認的未來陶瓷發(fā)動機中最重要的侯選材料。并且在國際上氮化硅陶瓷刀具和氮化硅基陶瓷軸承已經(jīng)形成相當規(guī)模的產(chǎn)業(yè)。任何一個跨國刀具公司都有氮化硅基陶瓷刀具的系列產(chǎn)品，足見其在機加工行業(yè)中具有不可替代的地位。 但是，影響氮化硅陶瓷推廣的一個主要因素，是氮化硅粉末價格昂貴，這是由于傳統(tǒng)的制取氮化硅粉末的方法耗能高，生產(chǎn)周期長，生產(chǎn)成本高。本項目采用具有自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新的燃燒合成技術(shù)，制取氮化硅陶瓷粉末和氮化硅復(fù)合粉末，具有耗能低，生產(chǎn)周期短，雜質(zhì)含量低，生產(chǎn)成本低等特點，具有廣泛的應(yīng)用前景。 燃燒合成（Combustion Synthesis，CS）又名自蔓延高溫合成（Self- Propagating High-Temperature Synthesis，SHS），是利用化學(xué)反應(yīng)自身放熱合成材料的新技術(shù)，基本上（或部分）不需要外部熱源，通過設(shè)計和控制燃燒波自維持反應(yīng)的諸多因素獲得所需成分和結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物。 自1990年以來，本項目負責人等針對燃燒合成氮化硅陶瓷產(chǎn)業(yè)化的一系列關(guān)鍵問題，在氣-固體系氮化硅基陶瓷的燃燒合成熱力學(xué)、動力學(xué)和形成機制等方面進行了深入研究后得到的創(chuàng)新成果。 采用本項目的技術(shù)，可以生產(chǎn)符合制作先進陶瓷要求的從全α-Si3N4相到高β- Si3N4相，及不同配比的氮化硅粉末，還可根據(jù)用戶要求，用此技術(shù)生產(chǎn)α-Sialon，β-Sialon和其它各種氮化硅基的復(fù)合粉末。粉末的質(zhì)量優(yōu)良而穩(wěn)定。 應(yīng)用于航天、航空及機械行業(yè)等，用于制作氮化硅陶瓷刀具、氮化硅基陶瓷軸承、耐磨耐腐陶瓷涂料等。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
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新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法
（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發(fā)明公開一種新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法，屬于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構(gòu)成，在所述襯底的硅面上有一層導(dǎo)電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導(dǎo)電類型的摻雜層，從內(nèi)到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側(cè)設(shè)置有開關(guān)的陽極
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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油田硫化氫(H2S)治理工程技術(shù)
本技術(shù)適用領(lǐng)域：油田油氣開采及集輸過程中，伴生氣、天然氣及儲油罐內(nèi)產(chǎn)生大量的硫化氫氣體，引起設(shè)備和管路的腐蝕和催化劑中毒，含有硫化氫的天然氣逸出，對人的身體造成危害，對環(huán)境造成影響。因此.油田必須對罐內(nèi)的硫化氫進行脫除和對逸出的含有硫化氫的天然氣進行整治。 本技術(shù)特色：采用生物法脫除伴生氣、天然氣及儲油罐硫化氫氣體的技術(shù)，生物脫除H2S的總體工藝為生物加濕和生物過濾兩段組成
西安交通大學(xué)
2021-04-11
1800X12600-8000織物芯輸送帶硫化機
鋼絲繩/織物芯輸送帶生產(chǎn)線是目前公司的主要產(chǎn)品之一，其中2項榮獲國家發(fā)明專利。先后有4種產(chǎn)品獲得了青島市經(jīng)信委2017年度/2018年度青島市企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新重點項目計劃的立項。公司幾年來已經(jīng)為國內(nèi)外客戶生產(chǎn)各種輸送帶生產(chǎn)線達100多條，其中：為青島環(huán)球公司生產(chǎn)了15條輸送帶生產(chǎn)線；為浙江三維公司生產(chǎn)了9條生產(chǎn)線；為山東隆源公司生產(chǎn)了6條生產(chǎn)線；并已經(jīng)出口到國外生產(chǎn)線達11條。
2017年，公司研發(fā)生產(chǎn)的XLB-Q3200*12600/182MN鋼絲繩輸送帶生產(chǎn)線，通過全面研究創(chuàng)新，使得生產(chǎn)工藝能夠滿足ST10000新強度標準要求，突破了目前國內(nèi)高標準ST7500的水平。該項目經(jīng)專家評定。
用途/性能特點：
全條生產(chǎn)線：錠子架、張力站、固定分梳、成型車、前夾持、主機、多功能拉帶機組、切帶機、卷曲包裝機等裝置。
青島祥杰橡膠機械制造有限公司
2021-09-13
出口土耳其4100X750-1500噸側(cè)板式硫化機
與青島科技大學(xué)聯(lián)合研發(fā)的側(cè)板式硫化機，也是公司的主導(dǎo)產(chǎn)品之一，共獲得了3項國家專利。產(chǎn)品生產(chǎn)規(guī)模及研發(fā)技術(shù)水平穩(wěn)居同行業(yè)前茅。近幾年來，先后為河北泰威公司一次生產(chǎn)33臺各種規(guī)格的側(cè)板硫化機；為卡摩拉--速立達公司一次生產(chǎn)20多臺側(cè)板式實芯胎硫化機為美國幾家公司生產(chǎn)20多臺大噸位的側(cè)板硫化機。
技術(shù)參數(shù)：
1.壓力 (T)：1500
2.板面 ( mm )：5000×400×70
3.間距 ( mm )：150
4.層數(shù)：4
5.行程 ( mm )：450
6.液壓缸直徑 ( mm )：285
7.數(shù)量：8
8.電機功率 ( Kw )：11+5.5
9.重量 ( KG )：4500
青島祥杰橡膠機械制造有限公司
2021-09-13
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寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計與研制方案。目前基于國內(nèi)工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學(xué)
2021-04-10
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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一種有機功能介孔氧化硅的合成方法
本發(fā)明涉及一種有機功能介孔氧化硅的合成方法。該方法以三乙氧基硅烷與三烷氧基有機硅烷偶聯(lián)劑作為硅源，以聚環(huán)氧乙烷?聚環(huán)氧丙烷?聚環(huán)氧乙烷三嵌段共聚物（Ｐ１２３）作為表面活性劑，在酸性條件下通過共聚法一步將有機功能基團耦合到有序介孔氧化硅中，得到了功能化程度遠遠大于傳統(tǒng)共聚法接枝率的有機功能化介孔氧化硅。在反應(yīng)過程中，通過控制有機硅烷偶聯(lián)劑與三乙氧基硅烷的加入量比例可調(diào)控介孔氧化硅的功能化程度及孔道的有序度。
東南大學(xué)
2021-04-14