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碳化硅的工業生產，國內外一直沿用 100 多年前 Acheson 發明的單爐芯技術，該法能耗高、產品品質差、環境污染大、生產不安全、單爐產量小，因而生產效率低，產品市場競爭力差。高品質 SiC 新材料市場奇缺，嚴重制約了其在諸多高新技術領域的應用。 1995 年以來，課題組對以往國內外 SiC 生產爐的結構、生產技術和工藝進行了全面深入的調查、經多年潛心研究，創立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產碳化硅的方法 ” 新技術。該技術獲國家發明專利授權 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優秀發明創新成果金獎。已在國內陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產線 10 余條，占據我國 SiC 產能的 1/4 ，創產值 30 億余元，有力地推動了行業技術進步。

項目背景：目前國內市場上生產的實心胎硫化機均采用 手動取胎結構，自動的設備現剛剛處于開發初級階段。目前 實心胎硫化機生產過程需要大量勞動力，其工作環境惡劣， 手動操作效率低下，勞動強度大，產品質量差，招工困難。 所需技術需求簡要描述：1.實心胎取放時輪胎機械手與 模具中心定位問題，機械手與模具中心定位差不應超過 3mm。 2.實心胎胎坯形狀不規則，抓取定位問題。實心胎內徑范圍 300-600mm，且在成型時內徑不光滑，重量在 50-260KG，機 械手許抓取牢靠與足夠大的支撐范圍。3.熟胎抓取機械手需 要抓取實心胎外徑，外徑范圍 600-1000mm，輪胎重量在 50-260KG。4.硫化好的胎型芯回拉時有 10000KG 會拉力，需 要熟胎抓取機械手承受力量。輪胎頂出需要有 15000KG 頂出 力。5.硫化好的輪胎擺放問題，多條輪胎擺放要穩定。6.一 臺輔機多臺實心胎硫化機共用，輔機與硫化機定位問題。輔 機與主機對齊誤差不應超過 1mm，否則模具推拉會錯位，造 成模具不出拉出硫化機。7.模具規格在 600-1150mm 范圍內， 模具拉出至輔機時需要模具中心與輔機頂出機構同心，誤差 不能超過 1mm，否則輪胎無法順利頂出。8.模具推拉裝置與 模具結合定位，誤差不能超過 1mm，否則無法順利掛住模具 進行下一步動作。 對技術提供方的要求:擬與高校聯合開發，要求團隊具有類似經驗，具備液壓與控制技術相結合的實施案例。 

實心胎硫化機：開發出齊全系列產品，包括半自動、全自動控制共計4個系列。為輪胎（ATG）公司一次裝備24臺，越南公司一次裝備26臺，臺灣捷泰公司一次裝備32臺。 實心胎硫化機特點：采用PLC控制，觸摸屏設定，自動化程度高，操作方便，安全可靠。分段排氣，可任意設定排氣次數、時間、壓力等；每層配有進出模軌道，輔機可上升下降，校具可手動進出，上模與輪胎制品可液壓頂出，勞動強度低。

產品應用：半導體硅片和藍寶石晶體的線切割光學濾波片、石英鏡片的粗研磨工藝優勢：我們提供的每一種研磨粉/砂都是經過嚴格的粒徑控制和專業的加工工藝，在高切削力條件下保證加工表面具有較好的研磨效果，具有粒度均勻、純度高、可根據客戶個性要求單獨提供高精度微粉。碳化硅線切割產品特點：1、高純度、大結晶的碳化硅原材料，保證了碳化硅切割微粉的優良切割性能和穩定的物理狀態；2、粒度形狀為等積且刃鋒，保證了碳化硅微粉作為切割刃料的均衡性，從而保證被切割材料TTV的最小化；3、粒度分布集中并且均勻；4、有高熱震穩定性和荷重軟化溫度，確保了在荷重切割時小線膨脹系數，保證切割的穩定,并且同切割機有很好的適配性；5、表面經過特殊處理，微粉具備大比表面積和清潔外表，與聚乙二醇等切削液有很好的適配性。碳化硅精磨產品特點：1、嚴格的粒度控制，降低了碳化硅微粒精磨過程的劃痕。2、按照歐洲標準和日本標準檢測，保證了產品的穩定供應。

                    粉末二氧化硅 LK925 補強性好、耐摩擦   橡膠用傳統二氧化硅，主要應用于日常生活中橡塑補強劑、鞋業制品、家用電動車輪胎、電線外皮層等領域 LK955-1 分散性高、絕緣性好 LK955-2 絕緣性優異、補強性好 LK975 摩擦性好、補強性優異 LK955-1A 分散性優異、摩擦系數低 造紙、皮革等領域 LK965A 消光性優異、分散性優異、摩擦系數低 高端涂料等領域 LK965B 消光性好、易分散 木器、塑料、皮革等領域 LK955GXJ 透明度高、強度大 硅橡膠專用二氧化硅，可增強其韌性與強度 LK958GXJ 分散性優異、強度大 LKSILM10 流動性好、耐酸、耐堿   抗結塊劑專用二氧化硅，主要防止粉末涂料結塊、涂層及塑料薄膜粘連，也可在農藥可濕性粉劑里的運用，可防止結塊及擴散增溶 LKSILM90 摩擦系數低、流動性好 LSILP245 流動性優異、容易擴散、具有一定吸附性 LKSILP300 流動性優異、摩擦系數低、吸附性能優異 LK25 可根據客戶需求定制 其它特殊用途二氧化硅

本發明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領域，具體為碳化硅/二氧化硅（內芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領域。本發明中碳化硅/二氧化硅（內芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時后自然降到室溫。利用本發明所說的方法生成產物均為碳化硅/二氧化硅（內芯/ 外層）同軸納米電纜，且長度比現有的方法制備的提高了 2 個量級，是迄今為止報道的 最長的納米電纜，且制備方法簡單，原料便宜易得，設備要求簡化，成本低，產率高。

（專利號：ZL 201410557601.2） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的硫化銅(CuS)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為CuS納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述CuS納米顆粒內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將銅粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

（專利號：ZL 201410557604.6） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鎢(WS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為WS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述WS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鎢粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極材料，

上海交通大學生命科學技術學院、微生物代謝國家重點實驗室吳更教授與武漢大學王連榮、陳實教授團隊合作，揭示了細菌DNA硫化修飾中催化第一步反應的半胱氨酸脫硫酶發生構象變化，使其活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動5.5埃以發起攻擊的催化機制。最新研究成果以“Structural Analysis of an L-Cysteine Desulfurase from an Ssp DNA Phosphorothioation System”為題發表在《mBio》雜志上。劉立瓊等為第一作者，吳更、王連榮為通訊作者，上海交通大學生命科學技術學院、微生物代謝國家重點實驗室為第一單位。本文是團隊自2018年Nature Communications上發表的細菌采用SBD結構域識別硫化修飾DNA的結構機理及2020年Nature Microbiology上發表的II型DNA硫化修飾系統的SspB、SspE晶體結構的延續和擴展。在細菌的DNA硫化修飾（不管是早先發現的Dnd修飾系統還是新近發現的Ssp修飾系統）途徑中，都由一個半胱氨酸脫硫酶催化第一步的反應，即半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸對底物半胱氨酸上的硫原子發起親核攻擊反應，將活化的硫原子轉移到半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸上，以進行后續的將硫原子加進DNA的反應。2020年4月初團隊在Nature Microbiology上發表的文章“SspABCD-SspE is a phosphorothioation-sensing bacterial defense system with broad antiphage activities”，從探索海洋弧菌的高頻單鏈磷硫酰化修飾入手，通過比較基因組學和分子遺傳學手段，鑒定出以SspABCD為修飾元、SspE為限制元的單鏈磷硫酰化限制-修飾系統。該系統與之前發現的磷硫酰化（以DndABCDE為修飾元以產生雙鏈DNA磷硫酰化、DndFGH為限制元）的Dnd系統均迥然不同，并首次闡明了細菌磷硫酰化限制-修飾系統賦予宿主抑制噬菌體入侵的能力。同時，通過結構生物學和生物化學手段，解析了SspB蛋白的晶體結構，揭示其兩個保守motif的關鍵殘基對其DNA缺刻酶活性非常重要；解析了SspE蛋白的晶體結構，發現其N端結構域有依賴于DNA磷硫酰化修飾的NTP水解酶活性，而其C端結構域有DNA缺刻酶活性，從而闡明了該系統DNA磷硫酰化修飾與限制兩部分功能耦合的分子機理。研究還發現SspABCD作為修飾蛋白在宿主基因組DNA上產生磷硫酰化修飾，SspE作為限制元能夠感應基因組DNA上的磷硫酰化修飾從而區別宿主自身與外源的遺傳物質，并利用其核酸酶活性對入侵噬菌體的DNA進行大范圍的缺刻，從而抑制噬菌體DNA的復制。本研究解析了新發現的II型DNA硫化修飾系統中的半胱氨酸脫硫酶SspA（來源于弧菌）與底物半胱氨酸的復合物晶體結構，分辨率為1.8埃。結構揭示SspA通過其天冬酰胺N150和精氨酸R340殘基來識別底物半胱氨酸，如果將這兩個殘基突變則會嚴重破壞細菌的DNA硫化修飾。在結構中，SspA的活性位點半胱氨酸C314與底物半胱氨酸的距離長達8.9埃，這就產生了一個有趣的問題——SspA是怎么催化脫硫反應的？通過計算機分子動力學模擬，作者發現SspA的活性位點半胱氨酸C314在催化過程中向底物半胱氨酸移動了5.5埃，從而把它們之間的距離縮短到便于發生反應的范圍內。本研究通過簡正模式分析，發現弧菌的SspA、大腸桿菌的IscS、鏈霉菌的DndA（這兩個都是I型DNA硫化修飾系統的）的活性位點半胱氨酸雖然處在不同的相對位置和不同的二級結構上，但都有著向各自的底物半胱氨酸的運動。本研究進一步通過在上海光源BL19U2生物小角X射線散射（簡稱SAXS）線站收集的數據，從頭搭建了SspA在溶液中結構的分子模型。發現SspA在溶液中的結構與分子動力學模擬后SspA的結構更為接近，它們之間的SAXS數據的χ2偏差只有1.04埃，遠低于從SspA的晶體結構推算出的SAXS數據之間的χ2偏差3.70埃。這從實驗上證實了前述的計算機分子動力學模擬和簡正模式分析的結果。弧菌SspA的活性位點半胱氨酸在催化過程中，活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動了5.5埃的距離（A）分子動力學模擬  （B）簡正模式分析  （C）小角X射線散射實驗數據與晶體結構經過分子動力學模擬后的結果和晶體結構的比較  本研究通過X射線晶體結構解析、分子動力學模擬、小角X射線散射等多種研究手段的結合，揭示了細菌DNA硫化修飾這一神奇現象中催化關鍵的第一步半胱氨酸底物脫硫反應的酶的催化機理，解答了半胱氨酸脫硫酶家族是如何克服活性位點半胱氨酸與底物半胱氨酸之間很長的距離這一長期懸而未決的問題，使人們對于細菌DNA硫化修飾的認識和理解又前進了一步。該研究獲國家自然科學基金（31872627、31670106）的支持。????

產品詳細介紹 硫化氫氣體檢測管 比長式氣體檢測管原理及使用方法原理CO、CO2、H2S、O2、SO2、NH3等檢測管的基本測定原理為線性比色法，即被測氣體通過檢定管與指示膠發生有色反應，形成變色層（變色柱），變色層的長度與被測氣體的濃度成正比。2、主要技術參數（見附表）3、附件（每盒）①膠管一段；Φ3×5，長度20cm②小砂輪一片4、貯運條件本品應避光保存于陰涼干燥處，嚴禁日光照射，保存溫度不超過40℃，玻璃制品，小心輕放。5、使用方法各種檢定管均可與氣體檢定管用圓筒型正壓式采樣器等配套使用。于測定現場用空氣沖洗采樣器后，取一定體積的現場空氣，把檢定管兩端切開，用短膠管將檢定管的下端（濃度標尺有“0”的一端）連接在采樣器（檢定器）的出氣口上，按規定時間勻速通過檢定管，然后按檢定管變色柱（或變色環）上端指示的數字，直接讀取被測氣體的百分濃度。  各種氣體檢測管主要技術參數表