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強雌性，第一雌花著生節位為 2-3 節，早熟性好， 15 節內有雌花 11 個，生長勢強，葉片大而厚，結果率近 100%， 從播種到采收 60 天左右，畝產量超過 7000kg，果實長度23 厘米，果把 4 厘米，果實表面為細刺、密刺，質地脆嫩、香味濃；對白粉病抗性為中抗，對霜霉病和病毒病的抗性為抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養分供應必須充分及時，否則，須適當疏果。

側蔓較少，強雌性， 15 節內雌花數達到 9 個，第一雌花節位 4 節，生長勢強，結果力強，從播種到采收 62 天左右，畝產量超過 7000kg，果實長度偏短， 23 厘米左右，果把長度 4.1 厘米，果實表面為粗刺瘤，皮肉均較厚， 香味濃；對白粉、霜霉和病毒病的抗性均達到抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養分供應必須充分及時，否則，須適當疏果。

產品詳細介紹  本公司作為PHILIPS飛利浦公司和OSRAM歐司朗公司的投影燈泡指定代理商,投影燈泡規格齊全,品質有保證;尤其是DLP大屏幕背投拼接系統中的UHP燈泡和P-VIP燈泡耗材系列,長期備貨,公司為廣大客戶提供上門安裝服務,質保一律按PHILIPS飛利浦公司和OSRAM歐司朗公司原廠質保六個月,在質量和服務上消除客戶的疑慮.歡迎來電咨詢，最新規格列舉如下:PHILIPS飛利浦DLP大屏幕燈泡系列:TOP UHP 100W 1.3;(適用于巴可BARCO光機系統中)TOP UHP 120/100W 1.3(適用于科視CHRTSTIE、巴可BARCO光機、東芝TOSHIBA系統中)TOP UHP 120/100W 1.0；(適用于臺達DELTA、LUMENS、揚明、三花科特光機系統中)TOP UHP 132/120W 1.0方燈；(適用于LUMENS光機系統中)OSRAM歐司朗DLP大屏幕燈泡系列:TOP P-VIP 100-120/1.3 E23h;(適用于臺達DELTA、LUMENS、揚明、三花科特光機系統中)TOP P-VIP 100-120/1.3 P23;(適用于三菱MITSUVISHI、東芝TOSHIBA系統中)    以上原裝燈泡適用于科視CHRTSTIE、巴可BARCO、三菱MITSUVISHI、東芝TOSHIBA、日立TOSHIBA、平達PLANAR、中達電通（臺達）DELTA、威創VTRON、GQY、環宇藍博LANBO、彩訊Triolion、清華紫光Unis、能為NONVIA、三花科特COET、上廣電SVA、展視，浙江大華、長虹、遠大可為、富視、菲麗特、中光學、盛泉、中電視訊、蘭星光、大道、豐信達、巨洋、華特恒信等DLP大屏幕背投顯示拼接系統、DLP拼接墻系統、DLP電視墻系統及DLP背投電視系統中.生產廠家：PHILIPS 產地：比利時額定功率：120-100W 點燈電壓：25KV 燈杯光形：E型（弧行光）電極間距：1。0/1。3 燈杯直徑：95MM 重量：0.43貨運方式:快遞/空運，北京市可送貨上門或自取貨保修服務:六個月質量控制:為了使我們的合作更加順暢愉快,我們已經對所有燈泡進行了嚴格測試,以確保燈泡的工作穩定性。所有燈泡都有進貨證明我公司出售的大屏幕燈泡屬原裝,請勿拿國產代用燈或其他燈泡比較。

一、概述 TDL-5型低速臺式大容量離心機具有運行平穩、噪聲低、造型美觀、配有安全門鎖裝置，自動調節平穩，控制精度高等特點，可廣泛應用于生物科學、農業科學、醫藥學等科研單位。 本儀器可在環境溫度為5℃-40℃，相對濕度不超過80%，周圍無導電塵埃，爆炸性氣體和腐蝕性氣體的條件下安全地使用。 二、技術參數 最高轉速：4000r/min 最大相對離心力 2810g 容 量：100ml×4、50ml×8、15ml×32 定時范圍 0-99min 電源 220V 50Hz 外型尺寸 390×470×365 （L×W×H） 輸入功率 250VA 電機：無刷電機"

大司空云計價，主要用于編制建筑工程項目預算、招標控制價、投標報價、項目審計審核、竣工結算。大司空云計價軟件深得頂尖工程造價師的喜愛，是建筑行業不可缺少的優質產品。 大司空云計價軟件可用于政府行政機關、行業主管部門、項目投資業主、設計、施工、建設、管理、審計、審核、財審、監理、咨詢、學校等相關單位。

湖南湘儀實驗室儀器開發有限公司是以生產制造離心機及實驗室儀器的高新技術企業，專業生產離心機已有五十多年，我國超高速冷凍離心機（55000r/min）和高速冷凍離心機(20000r/min)都誕生于湘儀。 湖南湘儀實驗室儀器開發有限公司專業生產離心機已有五十多年，主營生產冷凍離心機、低溫離心機、高速離心機、醫用離心機、大容量離心機、實驗室離心機、低速離心機、臺式離心機、離心瓶、離心管、離心機等。湘儀已成為中國實驗室儀器的制造基地。 湘儀先后通過英國SGS公司ISO9001: 2008國際質量體系認證，德國TUV公司ISO13485:2003+AC:2007醫療器械質量體系認證和國際CE產品認證。質量體系經歷15年的有效運行進一步保證了產品質量的穩定性和可靠性。 湘儀在上個世紀80、90年代先后與日本托彌（TOMY）公司，美國貝克曼（BECKMAN）公司技術合作，使湘儀離心機技術水平始終處于國際水平。湘儀生產的6*1000ml大容量角轉子和6*2400ml超大容量水平轉子2009年已通過美國權威機構的壽命測試，超過了美國標準的壽命周期。使湘儀成為全球著名的離心機制造廠家。

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來自湖南大學的張定校團隊，聯合羅斯威爾帕克癌癥研究所的唐定國和劉松團隊在Nature Communications上發表了題為Intron retention is a hallmark and spliceosome represents a therapeutic vulnerability in aggressive prostate cancer的文章【4】。該研究首次報道了人前前列腺癌PCa在其發生發展（包括臨床治療前后）過程中RNA選擇性剪接的異常圖譜；并揭示剪接體（Spliceosome）小分子抑制劑E7107可以有效地阻礙CRPC的耐藥復發和惡性進展；提示靶向癌細胞的剪接體活性是一個新的治療惡性PCa的臨床策略。值得注意的是，E7107的一個減毒衍生物H3B-8800目前已經開始了在血液癌中臨床實驗（NCT02841540）。基于人臨床PCa的轉錄組大數據，作者評估了不同惡性程度PCa組織（包括正常組織、原位癌、復發CRPC和終端致死性神經內分泌性前列腺癌（NEPC））中選擇性剪接變異的整體情況，首次發現該剪接變異的異常程度與PCa的惡性程度密切相關。結合生信分析和功能試驗，作者發現癌癥的剪接異常主要通過影響相關基因的轉錄本轉換（Isoform switch）來調控PCa的發生發展。由于內含子保留（IR）在不同的PCa發生和發展時期中呈現一致的上調變化，且是研究較少的一類AS事件，因此作者針對IR開展了進一步分析。結果顯示IR是一個新的PCa惡性進展標志物，與PCa的侵襲轉移能力和耐藥性密切相關。另外，IR事件在正常胚胎干細胞和癌癥干細胞中都明顯增多，表明IR可能調控PCa的干性。隨后，作者分析了IR的剪接機制，發現侵襲性PCa中IR的大幅度增多更可能受反式作用因子的調控。進一步分析發現，IR并不會導致相關基因的表達表達水平由于NMD(Nonsense-mediated mRNA Decay)而下調，且被保留的內含子可能還具有一定的編碼能力，暗示了內含子保留IR在PCa中有一定的調控功能。作為一個控制雄性器官發育的關鍵轉錄因子，雄激素受體（Androgen receptor, AR）是PCa的driver基因。通過生信分析和細胞學試驗，作者均發現AR可以顯著影響PCa的AS圖譜。結合受AR調控的AS相關基因和AR的轉錄靶基因，發現二者之間并沒有明顯聯系，表明受AR影響的AS調控機制和轉錄調控機制是相對獨立的。AS主要受剪接體的調控，作者分析了274個編碼剪接調控因子的基因（Splicing regulatory genes, SRGs）在PCa中的突變情況。結果發現，絕大多數SRGs（~90%）的突變頻率處于較低水平（<5%）；SRGs在早期PCa中主要發生基因缺失，而在CRPC中主要發生基因擴增。大約68%的SRGs在PCa不同時期存在異常表達現象，且在CRPC中相對較多，表明侵襲性PCa對剪接體的異常活性有偏好依賴性。進一步分析發現SRGs可以作為PCa的獨立預后因子。以上發現的臨床價值在于靶向抑制剪接體的活性可能會抑制PCa的惡性進展。為此，作者利用剪接體的小分子抑制劑發現，癌細胞比正常細胞對E7107更加敏感；且E7107能重編程PCa的AS圖譜，并激活一些抑癌基因的表達。在轉錄水平上，E7107可將CRPC的轉錄組逆轉到惡性程度較低的原位癌狀態。最后，通過體內移植瘤和MYC-driven PCa小鼠模型試驗證實，E7107可以抑制PCa的整體AS水平，并通過促進細胞分化和抑增癌基因相關通路活性等，最終阻礙目前無藥可愈CRPC的生長。

本項目屬于電子信息功能材料技術領域。 特色及先進性：為了實現同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結合離子替代規律和多離子摻雜技術，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關對材料磁光性能的驗證。 技術指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。