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廣泛應(yīng)用于科研院所、醫(yī)療、動植物及海洋研究所、金屬物質(zhì)低溫下的研究等機構(gòu)。適用于DNA、RAN、干細胞、血漿、精液、胚胎、各類組織器官大批量生物樣本的長期保存;適用于對金屬材料進行深冷處理，改變金屬材料的金相組織，顯著提高金屬材料的硬度、強度和耐磨性能。 自動/手動除霧，可視操作； 超長使用壽命，航天級真空絕熱技術(shù)； 超低液氮消耗量，日消耗量低于0.8%； 超長存儲時間，一次加注使用超15天； 穩(wěn)穩(wěn)的超大樣本存儲量21800~125800份； 多級用戶權(quán)限管理，密碼保護，日志管理； 雙路安全閥多級保護技術(shù)，保障液氮存儲安全； 超大12寸安卓UI交互界面，具備數(shù)據(jù)記錄導(dǎo)出； 穩(wěn)定的低溫存儲環(huán)境，罐體頂部溫度始終低于-180℃； 多級報警響應(yīng)：高低溫報警、高低液位報警、液氮供給中斷報警、開蓋超時報警、溫度傳感器故障報警、液位傳感器故障報警、斷電報警等。

微小型液氮機采用中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所深冷混合工質(zhì)節(jié)流制冷專利技術(shù)，撬裝設(shè)計，結(jié)構(gòu)緊湊，能夠持續(xù)便捷的供應(yīng)液氮，可作為區(qū)域內(nèi)小用量液氮的供應(yīng)源。

產(chǎn)品詳細介紹液氮恒溫器通過其液氮槽內(nèi)裝有液氮，調(diào)節(jié)錐型氣塞間隙，改變氣—液界面的沸騰條件，使恒溫塊的漏熱大致穩(wěn)定在一定值上，再通過控溫儀調(diào)節(jié)加熱功率就可以使樣品座在80K-500K之間快速變溫，并準確地平衡在設(shè)定溫度上。液氮恒溫器可用于真空、磁場、顯微鏡、低溫成像、光譜學(xué)等研究，是實現(xiàn)低溫環(huán)境的理想工具。性能和特點  溫區(qū)寬（80K ~ 500K）、效率高、降溫速度快；  樣品在真空中，擁有理想的穩(wěn)定環(huán)境；  真空夾層內(nèi)裝有低溫吸附劑，能長時間保持真空，延長液氮使用時間；  溫度傳感器選用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100鉑電阻；  多種選件，可滿足不同測試需求；  使用、灌注和二次加注液氮方便；  光學(xué)樣品座能快速安裝樣品，電學(xué)樣品座有美觀易用的接線柱

全新設(shè)計的第三代液氮罐，罐體采用食品級304不銹鋼材質(zhì)，外部采用層疊結(jié)構(gòu)提高產(chǎn)品整體“顏值”。 適用于科研所、電子、化工、醫(yī)藥等企業(yè)，也適用于實驗室、血站、醫(yī)院、疾控中心等機構(gòu)，是儲存臍帶血、組織細胞、生物材料等，保持細胞樣本活性的理想儲存裝備。 一體化10英寸液晶觸摸大屏，操作簡單便捷。 圖表、數(shù)字數(shù)據(jù)記錄儲存年限長達30年。 設(shè)計壽命長達30年，內(nèi)部采用特殊材料和結(jié)構(gòu)，保障罐內(nèi)溫度更加穩(wěn)定。 兼具手動、自動補液于一體；自帶熱氣旁路功能，有效降低補液時罐內(nèi)溫度波動，保障樣本儲存溫度安全。 獨特的排氣結(jié)構(gòu)，避免頸口結(jié)霜。全新的排水結(jié)構(gòu)，避免室內(nèi)地面積水產(chǎn)品優(yōu)勢

凌云多店鋪進銷存系統(tǒng)零售版主要針對零售店鋪日常業(yè)務(wù)的商品入庫、采購?fù)素洝N售出庫、銷售退換貨、盤點、財務(wù)管理等工作。全面反映門店的采購、銷售、損耗、財務(wù)情況，為多店鋪的決策提供了正確的支持平臺，幫助門店更有效、更全面地管理商品，是一款適合零售型的服裝、箱包、裝飾品、童裝、內(nèi)衣店等單店鋪或多店鋪使用的零售店鋪進銷存。

450mm×250mm×300mm，八大行星模型，大致區(qū)分大小（直徑），有公轉(zhuǎn)軌道，可手動操作。

一種液氮下樣本打撈裝置，包括抓取裝置和消毒裝置，所述抓取裝置包括用于伸入液態(tài)氮中的長桿、用于抓住樣本的抓手以及用于調(diào)節(jié)抓手抓緊力度的調(diào)節(jié)桿，所述長桿的下端裝有多爪的抓手，且所述抓手自然狀態(tài)下處于張開狀態(tài)；所述長桿的上端配有抓握部；所述調(diào)節(jié)桿上部設(shè)有把手，下部裝有用于圈在抓手外部的套環(huán)，并通過套環(huán)的下降/上升控制抓手的聚攏/松開；所述消毒裝置包括底座、不透光的筒體以及用于消毒抓取裝置的紫外燈，所述筒體底部與所述底座固接，所述筒體上部敞口，所述紫外燈裝在所述筒體內(nèi)部。本實用新型的有益效果是：能夠使實驗室人員能夠不必傾倒轉(zhuǎn)移液氮罐中其余樣本，而直接深入液態(tài)氮下將跌落罐底的樣本打撈出來。

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計算需求。與此同時，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實現(xiàn)計算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經(jīng)典馮·諾依曼計算架構(gòu)下數(shù)據(jù)存儲與處理是分離的，存儲器與處理器之間通過數(shù)據(jù)總線進行數(shù)據(jù)傳輸，在面向大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用場景中，這種計算架構(gòu)已成為高性能低功耗計算系統(tǒng)的主要瓶頸之一：數(shù)據(jù)總線的有限帶寬嚴重制約了處理器的性能與效率，且存儲器與處理器之間存在嚴重性能不匹配問題。憶阻器存算一體系統(tǒng)把傳統(tǒng)以計算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，其直接利用阻變器件進行數(shù)據(jù)存儲與處理，通過將器件組織成為交叉陣列形式，實現(xiàn)存算一體的矩陣向量乘計算。憶阻器存算一體系統(tǒng)可以避免數(shù)據(jù)在存儲和計算中反復(fù)搬移帶來的時間和能量開銷，消除了傳統(tǒng)計算系統(tǒng)中的“存儲墻”與“功耗墻”問題，可以高效、并行的完成基礎(chǔ)的矩陣向量乘計算，未來極有潛力成為支撐人工智能等新興應(yīng)用的核心技術(shù)。 清華大學(xué)吳華強教授團隊實現(xiàn)了材料與器件、電路設(shè)計、架構(gòu)和算法的軟硬件協(xié)同等多方面原始創(chuàng)新，解決了系統(tǒng)精度損失等被廣泛關(guān)注的難題： 材料與器件創(chuàng)新。科研團隊選擇了電學(xué)特性穩(wěn)定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料，提出了通過插入少量氧化鋁層來固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論，提出了引入熱增強層的新原理器件結(jié)構(gòu)，成功抑制了憶阻器非理想特性的產(chǎn)生。 電路設(shè)計創(chuàng)新。開發(fā)了一套憶阻器與晶體管的混合電路設(shè)計方法，提出“差分電阻”設(shè)計思想，采取源線電流鏡限流設(shè)計，抑制了憶阻器電路中可能產(chǎn)生的各種計算誤差。 算法創(chuàng)新。提出了混合訓(xùn)練算法，僅用小數(shù)據(jù)量訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并只更新最后一層網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重，即可將存算一體硬件系統(tǒng)的計算精度達到與軟件理論值相同的水平。 “技術(shù)鏈”創(chuàng)新。從“單點技術(shù)突破”拓展到“技術(shù)鏈突破”，開發(fā)了針對憶阻器存算一體芯片的電子設(shè)計自動化（EDA）工具，打通了從電路模塊設(shè)計到系統(tǒng)綜合再到芯片驗證的設(shè)計全流程。 上述理論和方法發(fā)表于《自然》《自然·納米技術(shù)》《自然·通訊》等國際頂級期刊，以及被譽為“集成電路奧林匹克”的“國際固態(tài)電路大會”等頂級學(xué)術(shù)會議。研究成果被“國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖”和30多部綜述文章長篇幅引用。團隊已在該研究方向申請國內(nèi)外專利72項，其中30項已獲得授權(quán)，知識產(chǎn)權(quán)完全自主可控。 團隊已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統(tǒng)，集成了8個憶阻器陣列和完整的外圍控制電路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計算設(shè)備的算力。全系統(tǒng)的計算能效比當前主流的人工智能計算平臺——圖形處理器（GPU）高兩個數(shù)量級。團隊還設(shè)計了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片，在MNIST數(shù)據(jù)集上計算速度已超過市面上28nm工藝的四核CPU產(chǎn)品近20倍，能效有近千倍的優(yōu)勢。

項目成果/簡介:隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計算需求。與此同時，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實現(xiàn)計算能力的飛躍。