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光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實現設計圖形轉移的載體，是決定其微細結構和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導體掩膜版的國產化率10%左右，90%需要進口，高端掩膜版國產化率3%，miniLED和microLED產業升級也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場需求的持續提升，掩膜版產能嚴重不足。并且中國半導體掩膜版的產業起步較晚，技術滯后，核心技術和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設備、材料領域眾多技術處于“卡脖子”狀態，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機、檢測機、測量機、修復機和貼膜機等都依賴進口，嚴重制約中國半導體產業的發展。華中科技大學徐智謀教授團隊致力于全套高端半導體光掩膜版的關鍵核心技術研發與量產，為“卡脖子”技術研究而努力。 具有建立180 nm技術節點半導體掩膜版量產線相關核心技術；具備130 nm至28 nm半導體掩膜版研發、設計及驗證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團隊掌握了掩膜版MEMS微納加工量產核心技術，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術參數的搭配和優化，以及大數據量軟件快速處理、補償等。 2） 裝備國產化 A. 超高精度二維測量裝備 尺寸測量是驗證掩膜版技術指標的核心，主要包括關鍵尺寸測量(CD)和長尺寸測量(TP)。團隊已掌握掩膜版的關鍵測量技術，達到國內先進水平，具有整套設備的整機制造能力。 TP測量是掩膜版制作的核心指標，直接影響到客戶的套合精度，該測量設備一直由國外極少數廠商壟斷，且價格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對中國出口。團隊目前正在攻克該項技術，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復裝備 掩膜版修補技術是提升良品率的關鍵手段，該技術一直為國外壟斷。團隊已熟練掌握UV、DUV激光化學沉積技術及皮秒飛秒激光金屬處理技術，具備整機制造能力，可降低設備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動貼膜裝備 隨著產品精度的提升和應用領域的高端化，掩膜版貼膜是個不可缺少的重要環節。在IC制造領域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領域90%以上需貼膜，在LED領域80%以上需貼膜。該貼膜設備一直國外公司壟斷，國內廠家沒有提供，國外采購全自動貼膜設備需100萬美元左右。團隊具備研發制造該設備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設備正式在產線運營，制造成本可節約90%以上。 3） 廠房建設關鍵技術 團隊對MEMS及其掩膜工廠工藝設備廠務設計有豐富經驗，掌握高等級防微震廠房結構和設備平臺的設計施工，可達到VC-D級技術標準，滿足納米級生產技術要求。 【技術優勢】 （1）掌握了高性價比掩膜版量產的關鍵核心技術，包括部分裝備的國產化，解決“卡脖子”技術難題，量產線建設成本節約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術節點掩膜版設計開發能力和驗證平臺，驗證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產、研發和銷售經驗的隊伍，成熟的企業管理經驗，保證企業穩步成長，確保投資風險可控。 【合作方式】 股權投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發明公開了一種摩擦制備柔性透明導電膜的方法，該方法將 聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平鋪在基板上，再將納米石墨粉按 0.005～ 0.02 毫克/平方厘米均勻鋪在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后將納米石 墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板進行摩擦，使納米石墨粉 在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微導電溝道，得到柔性、透明 的導電膜。本發明具有工藝周期短，實施便捷的特點。產品與目前市 場上的透明導電 ITO 玻璃相比，表現出

成果簡介在本項目中運用流體力學理論和動力學方程提出了一種單流體多組元模型，它包含了一個可以適用于多組元的模型框架， 可以處理不同生物膜菌種相互之間的動力學作用、 內部的相互轉化、 群體的消散和混合， 整個材料系統近似為不可壓縮， 因此當一個種群的體積分數增長時， 一個或多個其他的種群必須相應的以體積分數的形式轉化為增長的種群。 我們還把這個二元模型變為更細致的三元模型， 除包含等效溶劑， 還將包含 EPS 和細菌兩種組分， 抗菌劑濃度和營養素也被更細致地建模。 并且使用二元和三元模型研

本發明公開了一種擠壓涂布機膜厚控制方法，包括以下步驟： 在擠壓涂布機更換新的漿料正式生產之前，進行一次預生產過程，測 量記錄有關參數；根據獲得的一系列濕料、干料厚度、及涂布間隙寬 度的樣本數據，采用降噪自編碼的方法訓練建立兩個神經網絡模型； 根據獲得的神經網絡模型，由目標干料厚度預測所需濕料的厚度和涂 布間隙的控制寬度；生產過程中實時監控濕料的厚度，采用神經網絡 模型預測方法，及時調整涂布間隙的控制寬度，以保證濕料厚

本發明屬于柔性膜收卷工藝相關領域，并公開了一種柔性膜收 卷質量視覺檢測方法，包括:針對收卷裝置來布置相應的視覺檢測裝 置及檢測驅動裝置;在收卷過程中對料卷端面執行成像檢測，并獲取 不同焦距下的端面圖像，直至收卷完畢;在收卷完成時構建適當算法 求得料卷端面的特征點深度方差，并利用該深度方差來作為量化指標 評價成卷質量。本發明還公開了相應的實時糾偏處理方式。通過本發 明，不僅實現了柔性膜收卷的高精度質量檢測，還提出了一種柔性膜 成卷效果量化評價指標，并適用于各類成卷設備的應用場合。

項目背景：1.在我國食品行業中塑料膜作為包裝材料的主要 形態之一被廣泛應用。對于食品包裝防止食品變質，提出了更高 的要求“如何減少防腐劑和脫氧劑的加入并有效增加食品的架貨 期、保持食品的新鮮度，在不脫膜的情況下耐高溫蒸煮”成為當 下包裝行業研究的熱點。2.傳統的聚丙烯 PP 類材料雖然耐蒸煮， 但強度不高，柔韌性不足，傳統的 PE 類材料在耐蒸煮性、透氧 阻隔性又處劣勢；通過工藝技術的研發，尋找合適的配方生產膜 材料，尤其在高阻隔防腐方面改進復合膜結構，解決高端市場對 食品、藥品等包裝材料的需求。 所需技術需求簡要描述：1.實現產品經 121℃和 135℃高溫 蒸煮，蒸煮過后阻氧系數可達到 1 以下；2.包裝材料耐壓、耐拉 伸和耐褶皺，內容物兩年內不變色。  對技術提供方的要求:具有相關研究成果，國內領先的院校 或科研單位。 

XM-855A螺旋器及膜性蝸管模型（帶數字標識） ? XM-855A帶數字標識螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，可拆分為5部件，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細結構，模型的內側端為骨性螺旋板，相當于螺旋緣處的斷面，可見其中的骨質，表面肥厚的骨膜及穿通骨質的聽神經纖維束，模型的另一端為螺旋韌帶，內含多數血管，由側面看可見前庭膜起于螺旋緣上面的骨膜，止于螺旋韌帶的上方。將前庭膜取下觀察，可見它由上面的間皮，中間的結締組織及下面的上皮所成，膜性蝸管的外壁為螺旋韌帶，內面附有單層立方上皮。 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm 材質：PVC材料

XM-855螺旋器及膜性蝸管模型 ? 功能特點： ■ XM-855螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，由3部件組成，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細結構。 ■ 模型內側端為骨性螺旋板，相當于螺旋緣外的斷面，可見其中的骨質、表面肥厚的骨膜及穿通骨質的聽神經纖維束。 ■ 另一端為螺旋韌帶，內含多數血管。 ■ 前庭膜起于骨膜，止于螺旋韌帶上方，由間皮、結締組織和上皮組成。 ■ 膜性蝸管外壁為螺旋韌帶，韌帶下部向內凸起為螺旋凸，向內側的尖銳突起為螺旋嵴，與膜性螺旋板相連，凸與嵴間的溝為外螺旋溝。 ■ 膜性蝸管下壁示骨性螺旋板骨膜肥厚形成螺旋緣，它突入膜性蝸管中，分別形成前庭唇和鼓室唇，二唇間有內螺旋溝。 ■ 鼓室唇的外方為膜性螺旋板的固有膜，它止于螺旋韌帶嵴，此處有聽弦（深紅色）呈放射狀進入螺旋韌帶中，在近骨性螺旋板處示多處穿孔帶，內有聽神經穿過。 ■ 螺旋器位于外內螺旋溝之間，固有膜之上，由各種細胞構成，示螺旋器的內隧道由內外柱細胞圍成。 ■ 內柱細胞（淺蘭色）上端長方形頭板與外柱細胞（深綠色）的凸形頭端相嵌合，內柱細胞內側有內指細胞（淺綠色）。 ■ 內指細胞內側有邊緣細胞（黃色），它內方變低為內螺旋溝上皮細胞，在內柱及邊緣細胞之間內指細胞之上，有呈長頸瓶形的內毛細胞（白色），上端表面有纖毛。 ■ 外柱細胞（白色）外側有外指細胞，外毛細胞位于其上，再向外為外螺旋溝上皮細胞。 ■ 蓋膜（黃褐色）由細纖維和膠樣基質所成。 ■ 前庭唇上有多數齒間細胞（蘭色），它下部埋于螺旋緣結締組織中，細胞上面合在一起形成蓋膜。 ■ 耳蝸神經的樹突和軸突穿過骨性螺旋板，再經穿孔帶進入邊緣和內指細胞間，一部終于內毛細胞上，大部纖維橫越內隧道分布于外毛細胞上。 ■ 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm ■ 材質：玻璃鋼材料

1、 一種具有高度可見光透過率與隔熱特性的陶瓷基玻璃涂層或玻璃貼膜。 玻璃改造后可見光透過率高于 70%，屏蔽 99%以上的致癌性紫外線，且有 效阻止通過玻璃的熱能交換過程，可用于建筑或汽車玻璃的節能改造， 提升建筑的適居度與節能效果。 2、 該項目各技術環節環保無毒，產品成本遠低于市面現有技術，性能優于 現有技術，設備投入與實施成本低。

1、主要功能及應用領域 透明電極在太陽能電池、有機發光二極管、觸摸屏等光電器件中具有重要的應用價值，目前應用最多的用氧化銦錫（ITO）為制造的透明電極，但ITO存在脆性大，無法彎曲，近年來隨著光電器件對透明電極需求的增加，銦的價格也大幅提高。由于石墨烯產業化后的預期成本低，成為柔性透明電極的主要材料之一，但在實際中由于大面積石墨烯總會存在一定的缺陷，影響了其導電率，本項目結合石墨烯和納米金屬網孔的優勢制備出石墨烯和金屬網孔復合膜柔性透明電極。 2、特色與先進性技術指標 特色：利用低成本、無污染的溶膠在透明基底形成網狀模板，利用模板制作金屬網格；通過轉移石墨烯在金屬網格上制作一種石墨烯/金屬網格復合電極。其復合電極表現出優異的光電特性。通過結合單層石墨烯的高透光性和金屬網格的導電性，有效地彌補了化學氣相沉積法（CVD）-石墨烯多晶結構的缺陷和金屬網格不利于制作依賴垂直電流傳輸器件的的缺點，從而提高透明復合電極的光電特性。 圖1 制備的石墨烯及拉曼圖，可以看到非常清楚的2D峰，右圖為金屬網孔的顯微圖。 3.技術指標 復合電極：面電阻為 21.2 、透光率為92%（在550nm波長測得），下圖表明其寬帶的透射光譜特性。 圖2 復合電極的透過率 將復合電極制作在PET基底上，使其可以表現出優異的機械柔軟性。在將透明電極從正向到反向彎曲，其彎曲角度從-150o達到150o時，其電導率也只下降3.4%，反復彎折100次，電導率幾乎沒有什么變化。 4、產業化的關鍵性問題 高性能的透明電極在許多光電器件是必不可少的，例如觸摸屏、光伏電池、有機發光二極管等。目前商業上，由于氧化銦錫（ITO）薄膜的高光學透過率、低面電阻和成熟的制造工藝，在作為透明電極方面已廣泛地應用在各種光電器件中。但銦是稀有金屬，在地殼中的分布量比較小且分散，主要以微量存在于錫石和閃鋅礦中，且隨著液晶顯示器和觸摸屏等產品的普及，因此銦的價格在急劇上漲。此外，氧化銦錫透明電極缺乏柔韌性，不易彎曲，化學穩定性差，不適合應用于柔性透明電極。 傳統上制備金屬網采用光刻法及蝕刻工藝。但是，通過采用光刻法制備的金屬網格不僅成本較大、工藝復雜、效率低，而且在制備的工藝條件、設備要求也較高。 本實驗采用了低成本高效率的方法制備金屬網格，再通過CVD法生長大面積石墨烯并轉移在金屬網格上。實驗過程中工藝簡單、成本低、效率高，并可制備大面積-高質量的透明電極。