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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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一種抗鹽脅迫基因 CbCRT1、制備方法以及其編碼產(chǎn)物 的氨基酸序列
西北地區(qū)的 70%的土地為貧瘠土壤，其中高鹽堿土壤又占了近一半，這導(dǎo)致大多數(shù)植物很難生存，這就進一步限制了農(nóng)民的可用耕地面積 （于法穩(wěn)，2001）。因此，選育具有抗鹽特性的作物就變得非常 重要。但是，由于缺乏合理的篩選手段和技術(shù)，且隨機選育所需的人力物力都十分巨大，目前篩選得到的具有抗鹽特性的作物數(shù)量很少，且抗性不強。 近些年來，科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一些能在高鹽堿土壤上生長的抗鹽脅迫植株，并將該植株中抗鹽脅迫相關(guān)的基因進行克隆獲得具有抗鹽脅迫能力的轉(zhuǎn)基因作物
蘭州大學(xué)
2021-04-14
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一種智能手機上下文感知服務(wù)的低功耗傳感器輪詢方法
本發(fā)明在智能手機中傳感器應(yīng)用為上下文感知服務(wù)基礎(chǔ)上，提出了一種為上下文感知應(yīng)用程序使用的低功耗傳感器輪詢方法。該方法可以動態(tài)清除不必要的傳感器活動，從而使得這些傳感器可以更長時間地保持睡眠狀態(tài)。同時也提出了一種尋找應(yīng)用請求與傳感器活動間關(guān)系的方法。采用這種方法，輪詢調(diào)度器總能計算并匹配用戶調(diào)用的多種應(yīng)用程序組合探測頻率來引導(dǎo)低功耗輪詢以避免非必須活動。使用不同上下文應(yīng)用程序?qū)Υ朔椒ㄟM行評估，結(jié)果表明中間件中低功耗輪詢響應(yīng)時間極小(97ms)，與傳統(tǒng)窮舉輪詢操作相比，大約可以節(jié)約70％的能耗，該上下文感知服務(wù)實現(xiàn)可以減少智能手機的傳感器能耗并延長其電池使用時間。
四川大學(xué)
2016-10-25
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一種高精度的航空發(fā)動機葉片自動三維測量方法和系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種高精度的航空發(fā)動機葉片自動三維測量方法， 包括以下步驟：1)配準(zhǔn)：將設(shè)計模型所處的設(shè)計坐標(biāo)系與工件實體所 處的測量坐標(biāo)系進行配準(zhǔn)；2)路徑規(guī)劃：通過數(shù)據(jù)處理裝置規(guī)劃距離 傳感器在測量過程中的運動路徑，以使工件實體上的被測區(qū)域一直處 于距離傳感器的測量范圍內(nèi)；3)自動測量：距離傳感器對工件實體的 正面區(qū)域和反面區(qū)域進行采樣，得到工件實體的完整表面輪廓。本發(fā) 明使用距離傳感器作為測量終端，可以獲得被測區(qū)域
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種含雙饋風(fēng)電機組的電力系統(tǒng)故障電流計算方法
本發(fā)明公開了一種考慮雙饋風(fēng)電機組勵磁調(diào)節(jié)特性的電力系統(tǒng) 故障電流值計算方法，包括 S1 建立雙饋風(fēng)電機組受勵磁調(diào)節(jié)特性影響 的等效受控電流源模型；S2 建立電力系統(tǒng)的正序阻抗矩陣、負(fù)序阻抗 矩陣和零序阻抗矩陣； S3建立不同故障類型下的故障點邊界條件方程； S4 進行迭代計算獲得雙饋風(fēng)電機組的受控電流源值； S5 根據(jù)雙饋風(fēng)電 機組的受控電流源值、以阻抗矩陣表征的電網(wǎng)節(jié)點電壓方程以及故障 點邊界條件方程獲得當(dāng)前迭代計算時各節(jié)點的各序電壓值，并計算實 際節(jié)點的電壓值；S6 獲得當(dāng)前迭代計算的節(jié)點實際電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)的優(yōu)選方法
本發(fā)明公開了一種水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)優(yōu)選方法，用于在水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng)中對 PID 控制參數(shù)進行優(yōu)選。根據(jù)水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng)建立仿真模型，然后依據(jù)該仿真系統(tǒng)建立以水輪發(fā)電機機端電壓和參考電壓為狀態(tài)量的目標(biāo)函數(shù)，運用本發(fā)明設(shè)計的優(yōu)選方法求解目標(biāo)函數(shù)得到最優(yōu) PID 控制參數(shù)。本發(fā)明設(shè)計的水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)的優(yōu)選方法，采用一種新型啟發(fā)式優(yōu)化算法優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)，能搜索到更小的目標(biāo)函數(shù)值，得到的解代表更優(yōu)的 PID 控制參數(shù)。更優(yōu)的 PID 控制參數(shù)能使水輪發(fā)電機組勵
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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含有二硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法
本發(fā)明公開了一種含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法。甲基丙烯酸羥乙酯經(jīng) N,N’-羰基二咪唑(CDI)活化后與胱胺反應(yīng)，得到一端雙鍵一端氨基的中間產(chǎn)物，繼續(xù)用 CDI 活化氨基， 再與金剛烷胺反應(yīng)得到含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體。該單體容易發(fā)生自由基聚合得到大分 子聚合物，也可以與其它的含有雙鍵的單體共聚得到功能性聚合物。所得到的聚合物含有雙硫鍵，在還 原劑存在的條件下能夠斷鏈降解，可用于制備氧化還原敏感功能高分子材料。
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器的柵電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結(jié)構(gòu)，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側(cè)壁構(gòu) 成；所述連通電極的上表面用于連接?xùn)艑樱卤砻嬗糜谶B接字線。本 發(fā)明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接?xùn)艑拥碾姌O結(jié)構(gòu)。此電 極結(jié)構(gòu)呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應(yīng)的柵層，對疊層中非相對應(yīng) 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構(gòu)成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 H.264/AVC 中 4x4 子宏塊的并行幀內(nèi)預(yù)測方法
本發(fā)明公開了一種 H.264/AVC 中 4x4 子宏塊的并行幀內(nèi)預(yù)測方 法，包括以下步驟：統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)測公式、參考值數(shù)組、參考位置表和 并行幀內(nèi)預(yù)測的具體執(zhí)行步驟，統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)測公式是根據(jù) CUDA 和幀 內(nèi)預(yù)測計算公式的特性改進而成的，通過將 9 種預(yù)測模式對應(yīng)的預(yù)測 公式變換成一個計算公式，滿足了 CUDA 多線程單指令多數(shù)據(jù)流的需 求，實現(xiàn)了幀內(nèi)預(yù)測子宏塊中細(xì)粒度并行，參考值數(shù)組及參考位置表 是為了配合統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方法
本發(fā)明公開了一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方 法，包括以下步驟：（1）將丙烯酸酯單體與液晶均勻混合，制得液晶 -丙烯酸酯溶液；加入去離子水，調(diào)節(jié) pH 值在 1 至 2 之間；然后加入 表面活性劑，均勻混合后形成乳濁液；（2）向其中添加二氧化鈦前驅(qū) 體，通過水解縮合反應(yīng)，生成納米二氧化鈦顆粒，均勻分散于混合液 中；（3）向其中加入硅烷偶聯(lián)劑，進行硅烷偶聯(lián)改性，制得含表面改 性納米二氧化鈦的液晶-丙烯酸酯
華中科技大學(xué)
2021-04-14