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一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法
"本發(fā)明公開了一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法，采用在懸浮電磁鐵線圈閉環(huán)控制電壓中摻雜具有一定特征的交變電壓，施加在懸浮電磁鐵線圈，在線圈中得到含有相同特征的分量的電流，根據(jù)輸入摻雜的特征交變電壓和線圈電流中具有相同特征的電流分量辨識出懸浮電磁鐵線圈電感，通過電感得到懸浮電磁鐵氣隙，使用此氣隙值進行閉環(huán)控制。由于不采用氣隙傳感器，可以大大簡化系統(tǒng)，通過附加線圈得到的電感可以反映真實的懸浮氣隙，本發(fā)明可以降低磁浮列車系統(tǒng)軌道精度要求，也不會由于氣隙傳感器的測量不準確導致系統(tǒng)控制不穩(wěn)定，可以比較好的解決磁浮列車過軌縫、齒槽效應等問題，具有可靠性高、成本低，安全可靠等優(yōu)點。 "
西南交通大學
2016-07-05
一種利用縱橫波波阻抗增量比識別天然氣水合物的方法，
眾所周知，BSR是識別水合物的主要標志。但世界各地鉆探結果表明，沒有BSR的地方也可能有水合物。BSR不是識別水合物的充分必要標志。高速特征也是人們用來識別水合物的標志。但很多非水合物的地質因素也能夠使地層的速度增大。本專利成果提出了一種排他的識別水合物的有效方法。該方法能夠區(qū)分水合物和非水合物因素引起的高速特征。從而，大大提高水合物識別的可靠性。
中國地質大學（北京）
2021-04-14
原位懸浮聚合一步法合成的彩色聚苯乙烯粒子制備方法
1、成果簡介： 可發(fā)性聚苯乙烯（EPS）因其優(yōu)異特性以及質輕價廉等優(yōu)點，在許多領域得到了廣泛使用。功能性EPS在建筑保溫、包裝、電子電器產(chǎn)品和車輛裝飾等領域更備受青睞。特別是國家提倡節(jié)能減排、要求建筑節(jié)能50%-65%以來，以及各地的"暖房子"工程相繼實施，低導熱系數(shù)EPS的制備成為EPS行業(yè)研究的熱點。 德國巴斯夫和韓國錦湖相繼推出了低導熱系數(shù)黑色石墨EPS（G-EPS），但其合成工藝對外保密，以此控制低導熱系數(shù)G-EPS市場。而我國G-EPS的制備還是空白，因此在該技
吉林大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程并行計算方法
本發(fā)明公開了一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程 并行計算方法：將基于 XOR 的 RAID-6 編碼的校驗規(guī)則用校驗方程組 表示，把每個校驗方程在編解碼過程中的求解分解為兩個階段——“預 計算階段”以及“遞歸求解階段”；每個校驗方程由一個獨立的線程 實施求解，多個校驗方程的預計算階段被并行執(zhí)行；使用一個全局共 享的數(shù)據(jù)塊狀態(tài)表記錄數(shù)據(jù)塊的狀態(tài)以協(xié)調所有線程的執(zhí)行。本發(fā)明 方法利用編碼的潛在并行能
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結構拓撲優(yōu)化設計方法
本發(fā)明屬于結構優(yōu)化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結構拓撲優(yōu)化設計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優(yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結構拓撲優(yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種基于真空吸鑄的非晶合金微細零件的制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種非晶合金微細零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內；準備用于制備非晶合金微細零件的硅模具，將該硅模具置于內部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護氣，對非晶合金原材料進行熔煉，并通過降低銅模具內的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內；脫模即可得到非晶合金微細零件。本發(fā)明還公開一種非晶合金微細零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非
華中科技大學
2021-04-14
獨立無刷雙饋感應發(fā)電機無速度傳感器直接電壓控制方法
本發(fā)明公開了一種獨立無刷雙饋感應發(fā)電機無速度傳感器直接 電壓控制方法，將無刷雙饋感應發(fā)電機的功率繞組 PW 電壓矢量分解 為同步旋轉坐標系中的 d 軸和 q 軸分量，調節(jié)控制繞組 CW 電流幅值 使 PW 電壓的 d 軸分量收斂至 PW 電壓的參考幅值，調節(jié) CW 電流頻 率使 PW 電壓的 q 軸分量收斂至 0，當系統(tǒng)穩(wěn)定時 PW 電壓矢量與同 步旋轉坐標系的 d 軸重合，于是同時實現(xiàn)了對 PW 電壓幅值和頻率的 控制。該控制方法省去了速度傳感器，降低了發(fā)電系統(tǒng)的硬件成本， 提高了運行可靠性，并增
華中科技大學
2021-04-14
利用 Xeon Phi 協(xié)處理器提升布隆濾波器處理性能的系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種利用 Xeon-Phi 協(xié)處理器提升布隆濾波器處理 性能的系統(tǒng)及方法，包括：性能采樣模塊、任務調度模塊、通信模塊 和任務處理模塊。性能采樣模塊用于獲取宿主端和協(xié)處理器端的處理 能力，決定兩端分配的任務比例；任務調度模塊控制宿主端和協(xié)處理 器端之間整體的任務調度；通信模塊管理宿主端和協(xié)處理器端的通訊； 任務處理模塊負責任務的查詢與計算。系統(tǒng)將每個任務分配給相應的 線程，每個線程在一個私有的子向量進行處理
華中科技大學
2021-04-14