半導體光刻膠成膜樹脂制備技術
1.痛點問題
光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分,已成為國家的戰略資源之一。半導體光刻膠的核心在于成膜樹脂,受限于研發難度大、專利壁壘高、資金投入多、準入門檻高,目前國內企業尚難以突破KrF膠(248nm)或ArF膠(193nm),而EUV膠完全不能自主供給。
2.解決方案
本項技術采用了國際最前沿的納米氧化物團簇材料的工藝路線,可以實現單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料,攻克了材料合成和納米材料提純的難題,可滿足目前半導體3nm制程節點的技術要求,RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項關鍵性能指標優異,其曝光劑量遠低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外,本項技術具有多種半導體光刻膠兼容性,可以生產248nm和193nm光源的半導體光刻膠成膜樹脂,以及電子束半導體掩膜用光刻膠成膜樹脂,具有廣闊的技術替代優勢和市場應用前景。
3.合作需求
本項技術已設立衍生企業,位于江蘇常州的3000m2研發生產中心正在建設中。
1)融資需求:本輪天使輪融資6000萬元。
2)資源對接需求:集成電路芯片制造、掩膜板生產企業,地方政府等。
清華大學
2022-07-12