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本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測量 裝置，包括光源、分光光路、測量對準(zhǔn)組件、探測組件和微流控芯片。 結(jié)合 Mie 散射理論計算的理論散射曲線參照，完成單粒子圓周范圍內(nèi) 大角度范圍散射場的測量；同時由于結(jié)合了微流控芯片技術(shù)，解決了 單粒子的捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建問題。 

本發(fā)明公開了一種基于激光沖擊波力學(xué)效應(yīng)的無閥微泵，該微泵包括泵體、流體入口、流體出口和犧牲層元件，其中泵體包括泵膜、泵腔以及擴(kuò)張管和收縮管，所述擴(kuò)張管和收縮管分別呈錐形管結(jié)構(gòu)，所述犧牲層元件設(shè)置在泵腔上部泵膜處并由對激光輻射敏感的材料制成。當(dāng)犧牲層表面受到激光輻射時，其吸收激光能量并瞬間氣化，發(fā)生膨脹并產(chǎn)生等離子體爆炸氣團(tuán)以對泵膜起到?jīng)_擊波的作用，相應(yīng)使得泵腔體積交替改變由此執(zhí)行流體的輸送操作。本發(fā)明還公開了相應(yīng)的制造方法。通過本發(fā)明，能夠通過對微泵結(jié)構(gòu)上的設(shè)計，有效利用激光沖擊波力學(xué)效應(yīng)來實現(xiàn)泵送

本發(fā)明公開了一種微流控芯片及其在單分散納米顆粒制備中的 應(yīng)用。所述芯片包括內(nèi)管、外管和外管進(jìn)樣頭；所述內(nèi)管與外管共中 心軸套接；所述內(nèi)管一端為尖端出樣口，深入外管內(nèi)部，內(nèi)管另一端 為進(jìn)樣口，伸出外管外部；所述外管進(jìn)樣頭嵌合在外管管壁上。本發(fā) 明提供的微流控芯片結(jié)構(gòu)簡單，使用壽命較長，具備各向均一性，制 備的納米顆粒單分散性好，粒徑一致。 

海洋微藻生物固定燃煤煙氣中 CO2 的性能與機(jī)理研究，該研究的 2 篇論 文入選 ESI 高被引論文，受到世界范圍內(nèi)相關(guān)研究領(lǐng)域科研工作者的關(guān)注。

本發(fā)明公開了一種UV固化電紡的彩色微納米纖維絞線及其制備方法，纏繞成所述絞線的微納米纖維帶有色彩，所述微納米纖維含有光固化高分子材料和彩色光療膠，所述微納米纖維通過無溶劑電紡紡絲前驅(qū)液制得，電紡過程在少氧紫外光照環(huán)境下進(jìn)行，所述紡絲前驅(qū)液含有光固化材料的液體預(yù)聚物、光引發(fā)劑和光療膠，不含有機(jī)溶劑。該絞線具有豐富飽滿的色彩，且牢色度好，不易掉色，具有較好的力學(xué)拉伸性能，同時在靜電紡絲制備過程中無需添加有機(jī)溶劑，制備過程更加安全環(huán)保，適宜大規(guī)模生產(chǎn)。該裝置在靜電紡絲領(lǐng)域有一定的應(yīng)用潛能價值，而且在制備過程中無需添加有機(jī)溶劑，安全環(huán)保，適宜大規(guī)模生產(chǎn)，具有很好的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開了一種具有電磁性能的柔性微納米纖維絞線及其制備方法，纏繞成所述柔性微納米纖維絞線的微納米纖維含有光固化高分子材料、導(dǎo)電物質(zhì)和磁性納米顆粒，所述微納米纖維通過無溶劑電紡紡絲前驅(qū)液制得，電紡過程在少氧紫外光照環(huán)境下進(jìn)行，所述紡絲前驅(qū)液含有光固化材料的液體預(yù)聚物、光引發(fā)劑、導(dǎo)電物質(zhì)和磁性納米顆粒，不含有機(jī)溶劑。該微納米纖維絞線具有優(yōu)異的力學(xué)性能，且具有良好的電磁性能，同時在靜電紡絲制備過程中無需添加有機(jī)溶劑，制備過程更加安全環(huán)保，適宜大規(guī)模生產(chǎn)。

本發(fā)明公開了一種硫酸頭孢喹諾的肺靶向PLGA微球制劑及其制備方法。所述靶向微球制劑是以硫酸頭孢喹諾為原料藥，以PLGA為載體，按原料藥與載體的重量比為1：5~20制得，本發(fā)明還提供了靶向微球制劑的制備方法。本發(fā)明的有益效果是：所制備的微球包封率在60%以上，85%以上的微球粒徑分布在7~35um范圍內(nèi)，因此微球制劑可靶向富集到肺部，有效提高藥物的療效，降低藥物的毒副作用；同時可延長藥物在肺部的滯留時間，維持血藥濃度平穩(wěn)，起到長效的作用。

在傳統(tǒng)貴金屬（金、銀等）之外發(fā)掘出具有高性能等離激元效應(yīng)的非金屬新材料，是當(dāng)前等離激元學(xué)基礎(chǔ)研究及應(yīng)用研發(fā)的一個熱點與難點。金屬氧化物半導(dǎo)體材料具有豐富可調(diào)的光、電、熱、磁等性質(zhì)，對其采取氫化處理可有效修飾其電子結(jié)構(gòu)，從而獲得豐富可調(diào)的等離激元效應(yīng)；此處的一個關(guān)鍵性挑戰(zhàn)在于如何顯著提高金屬氧化物半導(dǎo)體材料內(nèi)稟的低自由載流子濃度。基于該研究團(tuán)隊新近發(fā)展的、理論模擬計算指導(dǎo)下的電子-質(zhì)子協(xié)同摻氫策略，在本工作中研究人員采用簡便易行的金屬-酸溶液原位聯(lián)合處理方法實現(xiàn)了金屬氧化物MoO3半導(dǎo)體材料在溫和條件下的可控加氫（即實現(xiàn)了“本征半導(dǎo)體→準(zhǔn)金屬”的可控相變），從而突破性地大幅提升了該材料中的自由載流子濃度。研究表明，氫化后的MoO3材料中自由電子濃度與貴金屬相當(dāng)（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），這使得該材料的等離激元共振響應(yīng)從近紅外區(qū)移至可見光區(qū)，且兼具強(qiáng)增益及可調(diào)性。結(jié)合第一性原理模擬計算和以超快光譜為主的多種物性表征，研究人員進(jìn)一步揭示出該協(xié)同摻氫所導(dǎo)致的準(zhǔn)金屬能帶結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的等離激元動力學(xué)性質(zhì)。作為效果驗證，研究人員在一系列表面增強(qiáng)拉曼光譜（SERS）實驗中證實該材料表面等離激元局域強(qiáng)場可使吸附的羅丹明6G染料分子的SERS增強(qiáng)因子高達(dá)1.1×107（相較于一般半導(dǎo)體的104?5和貴金屬的107?8），檢測靈敏限低至納摩量級（1×10-9mol L-1）。 這項工作創(chuàng)新性地發(fā)展出一種調(diào)控非金屬半導(dǎo)體材料系統(tǒng)中自由載流子濃度的一般性策略，不僅低成本地實現(xiàn)了具有強(qiáng)且可調(diào)的等離激元效應(yīng)的準(zhǔn)金屬相材料，而且顯著地拓寬了半導(dǎo)體材料物化性質(zhì)的可變范圍，為新型金屬氧化物功能材料的設(shè)計提供了嶄新的思路和指導(dǎo)。

項目成果/簡介:在傳統(tǒng)貴金屬（金、銀等）之外發(fā)掘出具有高性能等離激元效應(yīng)的非金屬新材料，是當(dāng)前等離激元學(xué)基礎(chǔ)研究及應(yīng)用研發(fā)的一個熱點與難點。金屬氧化物半導(dǎo)體材料具有豐富可調(diào)的光、電、熱、磁等性質(zhì)，對其采取氫化處理可有效修飾其電子結(jié)構(gòu)，從而獲得豐富可調(diào)的等離激元效應(yīng)；此處的一個關(guān)鍵性挑戰(zhàn)在于如何顯著提高金屬氧化物半導(dǎo)體材料內(nèi)稟的低自由載流子濃度。基于該研究團(tuán)隊新近發(fā)展的、理論模擬計算指導(dǎo)下的電子-質(zhì)子協(xié)同摻氫策略，在本工作中研究人員采用簡便易行的金屬-酸溶液原位聯(lián)合處理方法實現(xiàn)了金屬氧化物MoO3半導(dǎo)體材料在溫和條件下的可控加氫（即實現(xiàn)了“本征半導(dǎo)體→準(zhǔn)金屬”的可控相變），從而突破性地大幅提升了該材料中的自由載流子濃度。研究表明，氫化后的MoO3材料中自由電子濃度與貴金屬相當(dāng)（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），這使得該材料的等離激元共振響應(yīng)從近紅外區(qū)移至可見光區(qū)，且兼具強(qiáng)增益及可調(diào)性。結(jié)合第一性原理模擬計算和以超快光譜為主的多種物性表征，研究人員進(jìn)一步揭示出該協(xié)同摻氫所導(dǎo)致的準(zhǔn)金屬能帶結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的等離激元動力學(xué)性質(zhì)。作為效果驗證，研究人員在一系列表面增強(qiáng)拉曼光譜（SERS）實驗中證實該材料表面等離激元局域強(qiáng)場可使吸附的羅丹明6G染料分子的SERS增強(qiáng)因子高達(dá)1.1×107（相較于一般半導(dǎo)體的104?5和貴金屬的107?8），檢測靈敏限低至納摩量級（1×10-9mol L-1）。 這項工作創(chuàng)新性地發(fā)展出一種調(diào)控非金屬半導(dǎo)體材料系統(tǒng)中自由載流子濃度的一般性策略，不僅低成本地實現(xiàn)了具有強(qiáng)且可調(diào)的等離激元效應(yīng)的準(zhǔn)金屬相材料，而且顯著地拓寬了半導(dǎo)體材料物化性質(zhì)的可變范圍，為新型金屬氧化物功能材料的設(shè)計提供了嶄新的思路和指導(dǎo)。

本發(fā)明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域，具體為碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明中碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護(hù)，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時后自然降到室溫。利用本發(fā)明所說的方法生成產(chǎn)物均為碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/ 外層）同軸納米電纜，且長度比現(xiàn)有的方法制備的提高了 2 個量級，是迄今為止報道的 最長的納米電纜，且制備方法簡單，原料便宜易得，設(shè)備要求簡化，成本低，產(chǎn)率高。