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一種鋁合金周期性點(diǎn)陣多孔結(jié)構(gòu)的快速成形制造方法
本發(fā)明公開了一種鋁合金周期性點(diǎn)陣多孔結(jié)構(gòu)的快速成形制造 方法。通過 CAD 軟件構(gòu)建基于點(diǎn)陣單元的周期性點(diǎn)陣多孔結(jié)構(gòu)的三維 模型，將模型以 STL 格式輸出，導(dǎo)入到 SLM 成形設(shè)備中，激光束根 據(jù)切片層的數(shù)據(jù)選擇性地熔化區(qū)域內(nèi)的鋁合金粉末得到二維的金屬結(jié) 構(gòu)，經(jīng)層層堆積最終可以得到與 CAD 模型一致的三維鋁合金多孔結(jié) 構(gòu)，再經(jīng)過熱處理、分離、噴砂等后續(xù)處理即可得到表面光潔、性能 良好的鋁合金周期性點(diǎn)陣多孔結(jié)構(gòu)。本
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法與設(shè)備
本發(fā)明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設(shè)備。方法根據(jù)待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀確定成型缸的內(nèi)部 結(jié)構(gòu)，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形 狀對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)成型缸，該成型缸的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與待成 形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀相匹配。本發(fā)明通過使用鑲塊以及與金屬構(gòu) 件切片輪廓形狀相適應(yīng)的異形基板，實(shí)現(xiàn)了針對(duì)不同金屬構(gòu)件
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于高能束增材制造的溫度場主動(dòng)調(diào)控系統(tǒng)及其控制方法
本發(fā)明公開了一種梯度溫度場主動(dòng)調(diào)控系統(tǒng)及其控制方法，系 統(tǒng)由溫度場監(jiān)控系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)和控制系統(tǒng)；溫度場監(jiān)控系統(tǒng)用于測 量成形區(qū)域 XOY 平面及四周的溫度場信息，將獲得的溫度場信息進(jìn)行 量化處理后反饋給控制系統(tǒng)，加熱系統(tǒng)根據(jù)控制系統(tǒng)指令對(duì)成型缸的 底部和四周進(jìn)行溫度場的分區(qū)獨(dú)立實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)在加工過程中整 個(gè)加工區(qū)域的溫度場恒定，保證已加工區(qū)域與未加工區(qū)域處于合理的 溫度梯度，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致構(gòu)件翹曲、變形、開裂。本
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種光電化學(xué)太陽能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工藝
本發(fā)明公開了一種光電化學(xué)太陽能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO<sub>2</sub>，將光刻的圖形轉(zhuǎn)移到 SiO<sub>2</sub>層、4)鍍Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微
華中科技大學(xué)
2021-04-14
制造有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法、實(shí)現(xiàn)該方法的噴嘴及裝置
本發(fā)明公開了應(yīng)用混合型噴嘴噴印制造有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導(dǎo)電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導(dǎo)電單元及覆在導(dǎo)電單 元上的油層；4)轉(zhuǎn)印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發(fā)明工藝簡 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實(shí)現(xiàn)簡單，對(duì)環(huán) 境要求也較低；成本低，設(shè)備成本低，同時(shí)制造過程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復(fù)定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿足電路要求；
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種光電化學(xué)太陽能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工藝
本發(fā)明公開了一種光電化學(xué)太陽能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工 藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO2，將光刻的圖 形轉(zhuǎn)移到 SiO2 層、4)鍍 Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微米線表面鍍一層 ZnO 膜、8)在 Si 微米線表面生長 ZnO 納米線、9)在 ZnO 納米線表面制備一層 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 結(jié) 構(gòu) 表 面
華中科技大學(xué)
2021-04-14
我國制造業(yè)增加值連續(xù)12年世界第一（新數(shù)據(jù) 新看點(diǎn)）
2021年，我國制造業(yè)增加值規(guī)模達(dá)31.4萬億元，占GDP比重達(dá)27.4%。自2010年以來，我國制造業(yè)增加值已連續(xù)12年世界第一。
人民日?qǐng)?bào)
2022-03-11
工信部等五部門聯(lián)合印發(fā)《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見》
到2025年，重點(diǎn)行業(yè)關(guān)鍵核心產(chǎn)品的可靠性水平明顯提升，可靠性標(biāo)準(zhǔn)體系基本建立，企業(yè)質(zhì)量與可靠性管理能力不斷增強(qiáng)，可靠性試驗(yàn)驗(yàn)證能力大幅提升，專業(yè)人才隊(duì)伍持續(xù)壯大。
工業(yè)和信息化部科技司
2023-07-03
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實(shí)體材 料的密度分布，同時(shí)得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對(duì)不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實(shí)體材 料的密度分布，同時(shí)得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場;(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對(duì)不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)
華中科技大學(xué)
2021-04-14