葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

本技術(shù)成果屬于分析化學(xué)樣品前處理領(lǐng)域，研發(fā)了一種動態(tài)液液固印跡微萃取-液相色譜在線聯(lián)用系 統(tǒng)，包括磁力攪拌器、水浴瓶、萃取瓶、引流管、蠕動泵、高壓六通切換閥、分子印跡固相微萃取材料、 高壓六通進樣閥、定量環(huán)、進樣針、液相色譜泵、色譜柱、檢測器和液相色譜等，通過動態(tài)液液固印跡微 萃取裝置和液相色譜的聯(lián)用，實現(xiàn)水相樣品中目標(biāo)分析物預(yù)富集、萃取、解吸、分離和檢測全過程的在 線。本系統(tǒng)結(jié)合了液液萃取的通用性、分子印跡固相微萃取技術(shù)的高選擇性、高富集能力和液相色譜的高 效分離能力和高靈敏度，提高了分析自動化程度，縮短了分析時間，提高了準(zhǔn)確度和精密度，可有效應(yīng)用 于復(fù)雜樣品中痕量有機物的分析檢測。

與其它頁巖氣開發(fā)的壓裂技術(shù)相比，本技術(shù)方案主要具備以下技術(shù)優(yōu)勢及創(chuàng)新性:(1) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣實現(xiàn)了低水耗。據(jù)美國國家環(huán)境保護局(EPA)統(tǒng)計，2010 年單口頁巖氣井平均用水量在 0.76×104~2.39×104t(取 決于井深、水平段長度、壓裂規(guī)模)，采用 CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)國內(nèi)陸相頁巖 氣可有效減少對于水的用量，不浪費水資源，不污染地下水。(2) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣對儲層傷害小。陸相頁巖氣儲層粘土 礦物含量高，水敏性較強，滑溜水壓裂液對儲層滲透率傷害嚴(yán)重，CO2 具有良好 的儲層保護性能，無殘渣，對裂縫壁面和導(dǎo)流床無固相傷害，無水相，消除了水 鎖及水敏傷害。(3) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣實現(xiàn)了快返排，國內(nèi)陸相頁巖氣儲層 壓力一般較低，壓后返排困難，返排時間長，大量壓裂液滯留于井下，CO2 干法 壓裂技術(shù)壓后 CO2 迅速氣化，快速排出，返排時間短，返排效率高。(4) 采用 CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣藏具有提高頁巖氣采收率和減 排的雙重意義。頁巖氣藏中吸附氣含量范圍較寬，CO2 進入頁巖儲層中時，可有 效置換 CH4 分子，極大的提高頁巖氣藏的采收率;同時，CO2 可在頁巖儲層中永 久性封存，對于減少溫室氣體排放有著積極的意義。(5) 適用于陸相頁巖氣儲層的 CO2 干法壓裂液配方的篩選及優(yōu)化。采用溶解 性及增粘實驗篩選 CO2 增粘劑，并對不同工況下的改良的 CO2 干法壓裂液的流變 摩阻、濾失特性進行研究，結(jié)合儲層特征優(yōu)化干法壓裂液配方，最終形成適用于 國內(nèi)典型陸相頁巖氣儲層的 CO2 干法壓裂液配方。(6) 陸相頁巖氣 CO2 干法壓裂工藝設(shè)計。在不加砂、加砂兩種狀況下，針對 國內(nèi)典型陸相頁巖氣儲層，分析施工過程中裂縫延伸及支撐機理，對 CO2 壓裂工 藝的管柱選擇、施工排量、砂比等壓裂施工參數(shù)進行優(yōu)化，最終形成適用于國內(nèi) 典型陸相頁巖氣藏的干法壓裂技術(shù)工藝。(4)合作條件(1) 有獨立承擔(dān)民事責(zé)任能力的企業(yè)法人，具有良好的信譽基礎(chǔ)和積極向上 的事業(yè)激情。(2) 有相應(yīng)的投資能力，并且具備一定的市場開拓能力。(3) 有一定的啟動資金和市場經(jīng)驗，具備較強的品牌經(jīng)營意識。

本實用新型公開了一種電樞各相繞組線圈拆分布置的永磁同步直線電機，包括次級和初級，初級電樞繞組多相供電，相數(shù)為 q，每相采用單一線圈和獨立鐵芯，各鐵芯按其繞組電相位分開布置在次級上，然后用非導(dǎo)磁材料剛性聯(lián)接形成一個整體初級。不同相繞組線圈分開布置，在空間上形成了與旋轉(zhuǎn)電機相似的各相繞組對稱特性，能有效減小邊端磁阻力和電磁脈動等推力波動成分。本實用新型直線電機除具有一般直線電機具有的傳動結(jié)構(gòu)簡單、系統(tǒng)加減速響應(yīng)快、定位精確等優(yōu)點外，還能大幅減少直線電機中各推力波動成分，是一種尺寸小、推力大而波動小的高性

本發(fā)明公開了一種碳氫燃燒火焰中氣相堿金屬濃度的檢測方法， 該方法包括如下步驟：獲取火焰在可見光波長區(qū)域的自發(fā)射光譜強度， 并修正以獲得修正后的自發(fā)射光譜強度；根據(jù)火焰類型以及修正后的 自發(fā)射光譜強度計算獲得火焰溫度和堿金屬發(fā)射譜線強度；根據(jù)火焰 溫度和堿金屬發(fā)射譜線強度計算火焰中基態(tài)堿金屬原子數(shù)濃度，并計 算獲得火焰中總的堿金屬原子數(shù)濃度；根據(jù)碳氫燃燒火焰中總的堿金 屬原子數(shù)濃度計算獲得火焰中氣相堿金屬的質(zhì)量濃度。本發(fā)明無需通 過標(biāo)定來確定模型系數(shù)，易于實現(xiàn)，適用于對高堿碳氫燃料燃燒火焰 中氣相堿金屬濃度的精確檢測。

傳統(tǒng)制備聚合物/層狀無機物納米復(fù)合材料的方法如插層復(fù)合法工藝復(fù)雜，需要加入增容劑或?qū)訝顭o機物進行有機化處理，此外單體插層聚合涉及復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)，而熔體插層則要求聚合物的熔體粘度低。針對傳統(tǒng)插層復(fù)合法存在的問題，本項目將固相力化學(xué)方法引入聚合物/層狀無機物納米復(fù)合材料領(lǐng)域，利用磨盤形力化學(xué)反應(yīng)器獨特的三維剪結(jié)構(gòu)所提供的強大擠壓剪切力場和粉碎、混合、分散及固相力化學(xué)反應(yīng)功能，在磨盤碾磨過程中同時實現(xiàn)層狀無機物的粉碎、片層滑移和剝離，聚合物的粉碎和嵌入，聚合物與無機填料的固相分散和混合，得到聚合物/層狀無機物復(fù)合粉體，再經(jīng)進一步加工成型，可制備用途廣泛的聚合物/層狀無機物納米復(fù)合材料，如具有良好力學(xué)性能的結(jié)構(gòu)材料和具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱、電磁屏蔽、阻隔或隔音降噪的功能材料等。 主要技術(shù)指標(biāo)： 可制備具有良好力學(xué)性能的結(jié)構(gòu)材料及具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱、電磁屏蔽、阻隔或隔音降噪的功能材料等; 所制備的PP導(dǎo)電導(dǎo)熱納米復(fù)合材料的電導(dǎo)率可達5.2×10-4 S×cm-1，導(dǎo)熱率可達0.69 W×m-1×k-1; HDPE導(dǎo)電導(dǎo)熱納米復(fù)合材料的電導(dǎo)率可達10-3 S×cm-1, 導(dǎo)熱系數(shù)可達2.2 W×m-1×k-1 建設(shè)投產(chǎn)條件（投入資金情況、需要的廠房、使用配套設(shè)施狀況等）： 需要帶分級裝置的磨盤形力化學(xué)反應(yīng)器、雙螺桿擠出機及注射/熱壓成型機。

基于對Mn-Bi-Te家族成員MnBi 2

北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴展的能量使裂紋擴展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長時間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項目工藝簡單，燒結(jié)速度快，效率高?？芍谱鲝?fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料?？箯潖姸纫炎龅?88MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。

北京科技大學(xué)液相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀招標(biāo)項目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在華采招標(biāo)集團有限公司電子郵箱獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月11日13點30分（北京時間）前遞交投標(biāo)文件。

本發(fā)明公開了一種液相還原與氫處理制備碲化鎘粉末的方法，其工藝步驟為：按照Cd2+與Te(Ⅳ)的摩爾比為0.9～1.1的配比在酸中溶解鎘和碲的氧化物、氫氧化物或鹽，配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的濃度為0.2～1mol/L的溶液；然后將該溶液置于恒溫水浴鍋中，恒溫溫度為20～90℃；接著滴加入濃度為0.2～1mol/L的還原劑溶液，并不斷攪拌，直至滴加入的還原劑的摩爾質(zhì)量達到Cd2+和Te(Ⅳ)離子物質(zhì)的量和的3～5倍為止；反應(yīng)結(jié)束后，將溶液過濾，濾出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流動氫氣氣氛管式爐中或直接置于通有流動氫氣的管式爐中，再在150℃～450℃下反應(yīng)0.5～4h，冷卻至室溫即得碲化鎘粉末。