|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種基于九方形發(fā)射線圈的背包內嵌式無線充電系統(tǒng)
本實用新型公開了一種基于九方形發(fā)射線圈的背包內嵌式無線充電系統(tǒng)，包括發(fā)射單元和接收單元， 發(fā)射單元進一步包括第一 AC-DC 模塊、DC-DC 模塊、高頻逆變模塊、第一控制器、第一檢測電路、第 二檢測電路和發(fā)射機構，發(fā)射機構由第一補償電容和發(fā)射線圈陣列串聯(lián)構成，發(fā)射線圈陣列由布置于同 一平面的九個方形發(fā)射線圈并聯(lián)構成，該九個方形發(fā)射線圈排列成三行三列，且中心發(fā)射線圈和周圍發(fā) 射線圈的電流方向相反；接收單元進一步包括接收機構、第二 AC-DC 模
武漢大學
2021-04-14
一種適用于柔性電子曲面共形轉移的多插針轉印頭
本發(fā)明屬于物料輸送轉移相關設備領域，并公開了一種適用于 柔性電子曲面共形轉移的多插針轉印頭，其包括安裝柱、整體設置于 該安裝柱上的被動變形模塊、電磁制動模塊和彈性薄膜套模塊，以及 配套設置的輔助變形模塊，其中輔助變形模塊用于輸出與目標曲面相 對應的所需曲面形狀，該被動變形模塊通過多個插針的上下移動帶動 彈性薄膜套形成與其呼應的共形曲面，并帶動吸附在彈性薄膜套上的 柔性電子薄膜執(zhí)行轉印過程。
華中科技大學
2021-04-14
深部高瓦斯未采動煤層井下水力壓裂高效增透成套技術 與工程應用
項目成果/簡介:如何快速、有效的提高煤層透氣性，并長時間的保持增透技術產生的大量裂隙，進而有效的、長時間的提高和保持煤層的高透氣性，是目前煤層氣開采領域的主要研究方向之一。實踐已經證明，兩淮礦區(qū)利用地面鉆井的方法預抽未采動煤層瓦斯的嘗試均未達到預期效果。因此，在現(xiàn)有技術條件下，在兩淮礦區(qū)直接從地面開采未采動煤層瓦斯難以實施。
安徽理工大學
2021-04-11
深部高瓦斯未采動煤層井下水力壓裂高效增透成套技術 與工程應用
如何快速、有效的提高煤層透氣性，并長時間的保持增透技術產
生的大量裂隙，進而有效的、長時間的提高和保持煤層的高透氣性，
是目前煤層氣開采領域的主要研究方向之一。實踐已經證明，兩淮礦區(qū)利用地面鉆井的方法預抽未采動煤層瓦斯的嘗試均未達到預期效
果。因此，在現(xiàn)有技術條件下，在兩淮礦區(qū)直接從地面開采未采動煤
層瓦斯難以實施。
安徽理工大學
2021-04-30
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優(yōu)化設計方法
本發(fā)明屬于結構優(yōu)化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優(yōu)化設計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構建基 于參數化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優(yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結構拓撲優(yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優(yōu)化設計方法
本發(fā)明屬于結構優(yōu)化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優(yōu)化設計方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場;(2)構建基 于參數化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優(yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結構
華中科技大學
2021-04-14
自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷
北京科技大學特種陶瓷研究室開發(fā)出一種自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷材料，其應用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應燒結氮化硅多孔陶瓷的強度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結性能差。本項目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當加工時，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉，耗散裂紋擴展的能量使裂紋擴展終止；當載荷繼續(xù)上升時，在下層的弱結合界面處將產生新的臨界裂紋再擴展；如此反復，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結工藝節(jié)約了原料成本。產品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應器中進行，燒結所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結、熱壓燒結、反應燒結）相比較，不需要高溫燒結爐長時間燒結，大大節(jié)省了能源。本項目工藝簡單，燒結速度快，效率高。可制作復雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應燒結Si3N4/BN復相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學
2021-04-11
北京科技大學液相色譜質譜聯(lián)用儀公開招標公告
北京科技大學液相色譜質譜聯(lián)用儀招標項目的潛在投標人應在華采招標集團有限公司電子郵箱獲取招標文件，并于2022年07月11日13點30分（北京時間）前遞交投標文件。
北京科技大學
2022-06-21
一種液相還原與氫處理制備碲化鎘粉末的方法
本發(fā)明公開了一種液相還原與氫處理制備碲化鎘粉末的方法，其工藝步驟為：按照Cd2+與Te(Ⅳ)的摩爾比為0.9～1.1的配比在酸中溶解鎘和碲的氧化物、氫氧化物或鹽，配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的濃度為0.2～1mol/L的溶液；然后將該溶液置于恒溫水浴鍋中，恒溫溫度為20～90℃；接著滴加入濃度為0.2～1mol/L的還原劑溶液，并不斷攪拌，直至滴加入的還原劑的摩爾質量達到Cd2+和Te(Ⅳ)離子物質的量和的3～5倍為止；反應結束后，將溶液過濾，濾出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流動氫氣氣氛管式爐中或直接置于通有流動氫氣的管式爐中，再在150℃～450℃下反應0.5～4h，冷卻至室溫即得碲化鎘粉末。
四川大學
2021-04-11
一種六方相WO3納米管及其制備方法
本發(fā)明公開了一種六方相WO3納米管及其制備方法。稱取3mmoL二水合鎢酸鈉(Na2WO4·2H2O)到50毫升的燒杯中；加入適量草酸胺((NH4)2C2O4)和20毫升蒸餾水，磁力攪拌10-15分鐘；再加入10毫升濃度8mol/L的鹽酸，繼續(xù)攪拌30-50分鐘；將反應混合液轉移至40毫升帶有聚四氟乙烯內襯的不銹鋼反應釜中，設置一定的溫度，反應20-30小時；自然冷卻至室溫，即得本發(fā)明的六方相WO3納米管。六方相WO3納米管產量高，尺寸細小，分布均勻。管外徑為8～12nm之間，管壁厚度為2～4nm之間
安徽建筑大學
2021-01-12