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本發明公開了一種U型集熱管超導液太陽能熱水器。在水箱的一端設有集熱管孔，U型集熱管由集熱內管和集熱外管組成，集熱內管的內置部分通入水箱內浸入水中，集熱內管外置部分套裝有集熱外管，安裝在拋物槽面的聚光線上，集熱內管與集熱外管間留有間隙，并呈真空狀態，集熱內管的內置部分向上傾斜，集熱內管外置部分向下傾斜，集熱內管管內裝有超導液。集熱管內的超導液受陽光照射，轉變為高溫超導液蒸氣，進入集熱內管內置部分，將水箱水加熱，水吸熱后使超導液蒸氣一部分變為超導液再流回集熱內管外置部分，超導液受到陽光照射再次蒸發，如此往復，實現將水加熱。

非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測器結構，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過引線電極與第一基片上對應的讀出電路實現電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護層；敏感元電極讀出電路電極的連接。

本發明提供一種近紅外反應型雙光子熒光探針，該近紅外反應型雙光子熒光探針為一種由1,3,3?三甲基?2?亞甲基吲哚啉?羅丹明酰肼與4?嗎啉基?1,8?萘酰亞胺?苯基異硫氰酸酯反應制得的熒光分子。本發明還提供該近紅外反應型雙光子熒光探針的制備方法和應用。本發明的近紅外反應型雙光子熒光探針，發射近紅外波段紅色熒光，通過汞離子誘導的酰胺基硫脲脫硫?環化反應及1,3,3?三甲基?2?亞甲基吲哚啉?羅丹明內酰胺的開環反應等多步串聯反應可靈敏調控其在近紅外波段的熒光性能，靈敏度高、選擇性強、生物相容性好，在近紅外雙光子熒光成像、雙光子熒光傳感器、生物熒光分析、熒光標記、環境監測等領域具有廣泛應用。

喹啉、異喹啉、二甲基喹啉是醫藥、農藥等工業的重要原料，它100%的來源于煤焦油化 工。依據熔點差節能分離獲得高純度原料后，再研制喹啉酮、喹啉酸、以及喹啉肽等農藥、醫 藥中間體，用途廣，附加值高。 本項目具有安全性高，產品質量好，設備通用性強的優點。擁有的中試設備可以進行不同 原料組成的試驗研究，為產業化生產提供依據。

本發明涉及重組野生型雞半胱氨酸蛋白酶抑制劑及其應用。獲得重組野生型 cC 的方法是：利用 pGAPZ α A 載體構建野生型 cC 的表達系統；重組野生型 cC 在畢赤酵母 X-33 中表達；重組野生型 cC 的分離純化。對重組野生型 cC 對鰱魚魚糜凝膠劣化抑制作用的檢測方法是：魚糜樣品的制作；對所取魚糜樣品進行溫浴處理，加重組野生型 cC 和未加 cC 成為對照組；處理樣品進行 SDS-PAGE ，觀察結果。本發明驗證了重組野生型 cC 可以直接加入魚糜制品中，能明顯抑制魚糜制品的凝膠劣化，在加工過程中能較好的保持其彈性，且其安全、無毒，有著良好的應用前景

本發明公開了一種單邊帶通型多普勒濾波器復雜度降低的方法，首先對單邊帶通型多普勒譜進行頻移，獲取頻率從零頻開始的多普勒譜；接著對頻移后的多普勒譜方根采樣，得到多普勒濾波器的傳輸函數；最后根據多普勒濾波器的傳輸函數對輸入信號濾波后，對濾波器的輸出信號進行時域頻移補償，抵消頻移影響。本發明通過對單邊帶通型多普勒譜進行頻移，使得進行多普勒譜方根采樣時的采樣區間減小，從而減小傳輸函數的階數，并通過對輸出信號進行時域頻移補償，保證濾波器最終輸出為指定單邊帶通型多普勒濾波器輸出。

黃曉軍教授創建并完善的國際原創單倍型相合移植體系--"北京方案"，解決供者來源缺乏問題，為"缺乏相合供者的可靠移植方案"，"實現人人都有造血干細胞移植供者"，"迎來造血干細胞移植快速發展的新時代"。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

4LZZ-1.0 型全喂入小區谷物聯合收割機是青島農業大學與江蘇 宇成動力集團有限公司共同研制開發的一款專門用于小區谷物育種試驗的聯合 收獲裝備。該機能夠完成小區田間試驗谷物的收割、脫粒、清選、清種、輸送、 份量裝袋等功能，能夠有效降低收獲中谷物籽粒損失，避免籽粒在割臺、輸送 裝置中的種粒殘留，并能將小區收獲的種子按小區單位份量快速裝袋、換袋。 機器由靜液壓行走裝置、氣力輔助割臺裝置、脫粒與清選裝置、氣力輸送裝置、 份量裝袋裝置、液壓集成裝置、駕駛操縱裝置和發動機裝置組成。