|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由其上布有 m×n
華中科技大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科大在InGaAs單光子探測(cè)芯片設(shè)計(jì)制造領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)設(shè)計(jì)金屬—分布式布拉格反射器優(yōu)化單光子探測(cè)器芯片的光學(xué)性能，完成低本征暗計(jì)數(shù)的單光子探測(cè)器芯片的全自主化設(shè)計(jì)與制備，實(shí)現(xiàn)了單光子探測(cè)器芯片的全國(guó)產(chǎn)化，為解決國(guó)家亟需的前沿科技問(wèn)題邁進(jìn)了重要一步。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
.jpg){kind=logo}
一種強(qiáng)穩(wěn)定性樹(shù)枝盒狀溴化物鈣鈦礦量子點(diǎn)制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種強(qiáng)穩(wěn)定性樹(shù)枝盒狀溴化物鈣鈦礦量子點(diǎn)制備方法，該量子點(diǎn)材料為聚酰胺胺樹(shù)狀分子(PAMAM)包裹的CH3NH3PbBr3，結(jié)構(gòu)式為PAMAM?CH3NH3PbBr3。其制備方法包括如下步驟：(1)以官能團(tuán)為羧基的PAMAM和正辛胺作為配體輔助制備PAMAM?CH3NH3PbBr3前驅(qū)體溶液；(2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)換到甲苯中，搖勻形成PAMAM?CH3NH3PbBr3量子點(diǎn)。本發(fā)明使用一鍋法制備鈣鈦礦量子點(diǎn)，簡(jiǎn)單易操作，原料供給方便，在一般實(shí)驗(yàn)室均能完成，易于推廣。
東南大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍(lán)寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點(diǎn)層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設(shè)有側(cè)面電極，在石墨烯層上設(shè)有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實(shí)用新型的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點(diǎn)表面等離子體增強(qiáng)發(fā)光，同時(shí)結(jié)合石墨烯材料的高透光性、高導(dǎo)電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡(jiǎn)單，成本低。
浙江大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法
本發(fā)明為一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法，公開(kāi)了一種可在室溫、常壓條件下，大規(guī)模制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法。此方法以烷基吡啶鹽為碳源和保護(hù)劑，在其溶液中加入強(qiáng)堿，常溫常壓條件下靜置，即可生成具有綠色熒光的疏水性碳量子點(diǎn)。整個(gè)制備過(guò)程在室溫及常壓條件下完成，操作簡(jiǎn)單，成本低，且具有較高的產(chǎn)率，可用于大規(guī)模合成疏水性碳量子點(diǎn)。制備的碳量子點(diǎn)具有低毒、較強(qiáng)的熒光和較高的光穩(wěn)定性，因此在制備熒光油漆、熒光涂料及熒光纖維生產(chǎn)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
四川大學(xué)
2016-09-12
.jpg){kind=logo}
發(fā)現(xiàn)全無(wú)機(jī)鹵化物鈣鈦礦CsPbBr3量子點(diǎn)具有出色的鐵電性
合成了立方相CsPbBr3量子點(diǎn)，屬于空間群，其結(jié)構(gòu)中心對(duì)稱，不具有鐵電性。當(dāng)溫度降低到低于263 K時(shí)，量子點(diǎn)發(fā)生相轉(zhuǎn)變。該相轉(zhuǎn)變是可逆的，升高溫度超過(guò)298 K時(shí)，重新轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较唷Ｍㄟ^(guò)X-射線衍射圖譜精修和高分辨透射電鏡分析發(fā)現(xiàn)，低溫處理使鈣鈦礦由立方相轉(zhuǎn)變?yōu)榉侵行膶?duì)稱的正交相，屬于Pna21空間群。結(jié)構(gòu)分析表明，正交相CsPbBr3中，[PbBr6]4-八面體發(fā)生畸變，Cs+偏離中心位置，使得正電荷和負(fù)電荷的中心不重合，預(yù)
南方科技大學(xué)
2021-04-14
一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開(kāi)了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
量子谷Berry Phase的拓?fù)渎曌討B(tài)在二維六角晶格材料
徐虎課題組發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry Phase的拓?fù)渎曌討B(tài)在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓?fù)洳牧系姆诸愒絹?lái)越豐富和多樣化。到目前為止，拓?fù)洳牧系难芯恐饕性谫M(fèi)米子相關(guān)的系統(tǒng)。隨著研究水平的進(jìn)一步發(fā)展，拓?fù)涞牟Ｉ酉到y(tǒng)也越來(lái)越引起人們的關(guān)注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓?fù)洮F(xiàn)象等。但是，固體中的THz頻率段的拓?fù)渎曌拥难芯肯鄬?duì)緩慢。理論研究表明，拓?fù)渎曌訉?duì)研究量子聲子霍爾效應(yīng)、拓?fù)渎曌訜崞骷染哂兄匾饔谩Ｒ虼耍诂F(xiàn)實(shí)材料中尋找拓?fù)渎曌討B(tài)是相關(guān)領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動(dòng)力學(xué)計(jì)算，根據(jù)二階力常數(shù)矩陣構(gòu)造類似于電子系統(tǒng)的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統(tǒng)的Berry 相和拓?fù)溥吘墤B(tài)。在此基礎(chǔ)上，他們結(jié)合高通量計(jì)算，發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry相的Dirac聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結(jié)果對(duì)進(jìn)一步研究拓?fù)渎曌討B(tài)以及其實(shí)際應(yīng)用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓?fù)洳牧系睦碚擃A(yù)測(cè)和設(shè)計(jì)方面的研究工作，以南方科技大學(xué)物理系為第一單位發(fā)表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
農(nóng)業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
動(dòng)物源食品致病菌鑒定及其耐藥和毒力基因檢測(cè)復(fù)合芯片
本發(fā)明提供了動(dòng)物源食品致病菌鑒定及其耐藥和毒力基因檢測(cè)復(fù)合芯片。本發(fā)明提供了用于鑒定動(dòng)物源食品致病菌、致病菌耐藥基因和/或致病菌毒力基因的探針，由序列1?序列171所示的單鏈DNA分子組成。本發(fā)明實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：本發(fā)明的動(dòng)物源食品中致病菌鑒定及其耐藥和毒力基因檢測(cè)復(fù)合芯片，能夠有效的達(dá)到同時(shí)鑒定細(xì)菌及其毒力和耐藥基因的綜合目的。
中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
用于鼻咽癌發(fā)病風(fēng)險(xiǎn)預(yù)測(cè)的試劑盒及基因芯片
鼻咽癌是鼻咽上皮來(lái)源的惡性腫瘤，多發(fā)于鼻咽頂部和咽隱窩，是一種多因素影響的復(fù)雜性疾病，其 發(fā)生與發(fā)展與遺傳因素、EB病毒感染及環(huán)境因素密切相關(guān)。本研究成果提供了一種用于鼻咽癌的發(fā)病風(fēng) 險(xiǎn)預(yù)測(cè)的試劑盒以及相應(yīng)的基因芯片，可同時(shí)檢測(cè)多個(gè)鼻咽癌易感基因SNP位點(diǎn)，為個(gè)體罹患鼻咽癌風(fēng)險(xiǎn) 程度、鼻咽癌高發(fā)區(qū)人群普查，篩查鼻咽癌發(fā)病高危人群以及進(jìn)行相應(yīng)預(yù)防措施提供參考。本研究成果涵 蓋了11個(gè)鼻咽癌易感基因SNP位點(diǎn)及EB病毒分型，運(yùn)用本研究成果設(shè)計(jì)的Taqman探針及引物，采集受試者 的生物樣本進(jìn)行核酸提取及熒光定量PCR最終獲得其基因分型。本研究成果對(duì)于鼻咽癌發(fā)病風(fēng)險(xiǎn)預(yù)測(cè)的效 果良好，曲線下面積可達(dá)0.737，95%置信區(qū)間為0.672-0.802；p值達(dá)到了5.06E-10。此預(yù)測(cè)模型預(yù)測(cè)鼻咽 癌發(fā)病風(fēng)險(xiǎn)的靈敏度和特異度分別為87.41%和53.00%。
中山大學(xué)
2021-04-10