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熒光二氧化硅微球（CDs@mSiO2）負載抗體等生物大分子針對病毒、細菌和疾病體外檢測試劑盒。 技術(shù)指標（創(chuàng)新要點等）： 1、使用性能優(yōu)越的碳量子點取代穩(wěn)定性差、熒光量子產(chǎn)率低的有機熒光染料和毒性大的無機半導體量子點； 2、通過調(diào)節(jié)碳量子點的合成原料，使得碳量子點偶聯(lián)錨定在二氧化硅微球上，且不會引起碳點的熒光猝滅從而有利于連接抗體或生物大分子等，產(chǎn)品具有快速、靈敏度和特異性高等優(yōu)勢。

量子隧穿是微觀世界的基本現(xiàn)象，它是指粒子可以像波一樣地穿過有阻礙的區(qū)域（即勢壘），是微觀粒子的波粒二象性的一個具體表現(xiàn)。如今，量子隧穿的概念已經(jīng)滲透到物理學的方方面面，比如廣泛使用的掃描隧道電子顯微鏡、半導體異質(zhì)結(jié)等。然而，關(guān)于量子隧穿卻有一個基本問題充滿著爭議，那就是隧穿的過程是否需要時間？如果需要時間那又該如何測量呢？自量子力學誕生以來，這個問題一直伴隨著量子力學的發(fā)展而爭論至今。 隨著超短激光脈沖的問世，人們一直努力、希望在強場隧道電離的范疇來解決這個的重要爭議問題。隨即，學術(shù)界提出了可以通過阿秒鐘方案測量隧道電離的發(fā)生時間（即時間延遲），阿秒鐘巧妙地將隧穿時間延遲轉(zhuǎn)化為光電子發(fā)射角的偏移，然而對于實驗結(jié)果，大家一直未取得一致的看法。學術(shù)界通過十多年的研究，基本上形成了兩種對立的觀點，即瞬時隧穿（隧穿幾乎不需要時間）與延時隧穿（隧穿需要百阿秒量級的時間），各自都有相應(yīng)的理論與實驗支持。似乎這兩種觀點充滿矛盾、不可調(diào)和！量子隧穿的示意圖量子隧穿可以看作是微觀粒子的“穿墻術(shù)”增強型阿秒鐘的原理。（a）線偏振的二次諧波打破了圓偏振的基頻光的對稱性，標記了最大值激光電場的方向與時刻。（b）不加二次諧波時測量的光電子動量譜。（c）加入標記光場后測量的光電子動量譜。 傳統(tǒng)的阿秒鐘是采用單個橢圓偏振或近圓偏振的激光脈沖，因此傳統(tǒng)阿秒鐘的校準依賴于少周期激光的載波包絡(luò)相位和橢偏率的確定，它們的噪聲抖動會給阿秒鐘的測量帶來很大的誤差。日前，北京大學物理學院、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室“極端光學創(chuàng)新研究團隊”劉運全教授和龔旗煌院士領(lǐng)導的研究小組，提出并實現(xiàn)了一種全新改進型阿秒鐘，在一束圓偏振飛秒激光場中加入了另一束線偏振的倍頻光來校準阿秒鐘，使得光電子發(fā)射角的偏移量的定標更加精準。這種增強型阿秒鐘使得隧穿時間的測量更加準確可靠。理論上還證明了上述兩種看似對立的隧穿圖像可以被統(tǒng)一在同一個理論框架下進行描述。在強場近似理論框架下，他們分別建立了瞬時隧穿圖像以及基于Wigner表象的延時隧穿圖像，對于增強型阿秒鐘的實驗結(jié)果，這兩種隧穿圖像的理論結(jié)果都與實驗結(jié)果相符合。因此，這是第一次使用同一個理論框架和同一個實驗完美地統(tǒng)一了這個長期的學術(shù)爭議，為隧穿時間研究提供一種思路。

在高晶體質(zhì)量的狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到手征反常導致的負磁電阻效應(yīng)（Nat. Commun. 6, 10137 (2015)）；并借助于納米線比表面積大的優(yōu)勢，測量到起源于拓撲表面態(tài)輸運的π A-B效應(yīng)(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436（2017）)。 最近，他們通過輸運測量首次在狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到連續(xù)體態(tài)和離散表面態(tài)耦合產(chǎn)生的Fano共振現(xiàn)象。研究表明直徑約為60 nm的Cd3As2納米線的表面態(tài)能帶會發(fā)生劈裂，通過柵壓調(diào)制費米能級到一個表面態(tài)子能帶的帶底時，會呈現(xiàn)出零偏壓微分電導峰；在磁場作用下，由于塞曼效應(yīng)，零偏壓電導峰會發(fā)生劈裂，測量得到表面態(tài)的朗德因子為32；Fano共振進一步導致零偏壓微分電導峰隨偏置電壓具有非對稱的線形，并可能對材料中起源于“外爾軌道”的量子振蕩頻率產(chǎn)生修正。這項工作對于深入研究拓撲半金屬的輸運性質(zhì)，以及設(shè)計實現(xiàn)可電學調(diào)控的Fano體系有著重要意義。圖1. Cd3As2納米線中量子限制效應(yīng)引起的電導振蕩；(b)柵壓調(diào)制的微分電導譜。

本發(fā)明屬于量子點 LED 封裝領(lǐng)域，具體涉及一種高發(fā)光效率的量子點白光 LED，其中，LED 芯片固定設(shè)置在基板表面，量子點硅納米球附著在 LED 芯片表面，熒光粉膠將量子點硅納米球和 LED 芯片完全包裹住，所透光殼體直接安裝在基板上或通過一模塑料固定在基板上方，并將熒光粉膠、LED 芯片和量子點硅納米球密封在內(nèi)，透光殼體內(nèi)的空隙處填充有封裝膠。本發(fā)明還公開了一種高發(fā)光效率的量子點白光 LED 的制備方法。本發(fā)明的量子點 LED 能夠顯著提高白光LED 的發(fā)光效率，在生產(chǎn)中能夠更加便捷地控制量子點與熒光粉各自的發(fā)光光譜，從而得到所需的理想型發(fā)光，且可顯著減少量子點的用量，節(jié)約生產(chǎn)成本。

郭光燦院士團隊在基于人工合成維度的量子模擬方面取得重要實驗進展。該團隊李傳鋒、許金時、韓永建等人將攜帶不同軌道角動量的光子（又稱為渦旋光子）束縛在簡并光學諧振腔內(nèi)，通過引入光子的自旋軌道耦合人工合成了一維的拓撲晶格，為拓撲量子模擬開創(chuàng)了一種新的方法。

通過實驗測量和從理論上分析三原子重組在543.3 高斯附近的6Li-6Li的窄波磁Feshbach共振，表明在有限的溫度下，三體重組主要由間接過程支配并在閾值以上的kBT內(nèi)存在窄共振峰。實驗數(shù)據(jù)強有力的顯示連續(xù)的成對過程遵循一個普適行為并由范德華力決定。論文給出了三體重組速率常數(shù)描述的解析公式和對溫度的依賴性，其中三體重組通過連續(xù)的成對相互作用進行?；A(chǔ)物理圖像不僅適用于窄s波共振，還適用于非零分波的共振，不僅適用于超低溫，而且適用于更高的溫度。       這個實驗結(jié)果驗證了量子三體在范德華勢作用下普遍的行為，發(fā)現(xiàn)該普遍行為遠遠超出零溫度范圍，從而揭示出雙體的量子缺陷理論可以通過多尺度方法進一步擴展到非零溫度范圍。這種廣義的三體作用的范德瓦爾普遍行與通用狀態(tài)方程的定義瓦爾斯長度尺度有密切聯(lián)系。通過將量子普遍行為區(qū)域擴展到零以外溫度和s波共振，純理論模型通過超冷原子物理實驗與真實的少體系統(tǒng)和真實化學反應(yīng)建立了緊密聯(lián)系，邁出了量子三體物理研究的關(guān)鍵一步。

主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域：主要應(yīng)用在數(shù)字視頻芯片（DVB，DAB，DMB等數(shù)字視頻廣播標準）和通信網(wǎng)絡(luò)（WLAN，WiFi，WiMAX等）領(lǐng)域。具有極為廣泛的用途和應(yīng)用價值。 特色及先進性：在滿足數(shù)字視頻芯片和通信網(wǎng)絡(luò)要求下，采用了自創(chuàng)的校正方法，實現(xiàn)了更低的功耗、大大節(jié)省了芯片面積、降低了芯片的復雜度、提高了芯片的穩(wěn)定性、不易受外界環(huán)境如溫度、電源電壓和工藝的影響，使性能更加出色。 技術(shù)指標：采樣速率200MSps，分辨率10-Bit，ENOB達到8.7-Bit以上（±10%電源電壓變化和-40~125度溫度變化），總體功耗 < 100mW。 實施后可取得的效果：此類ADC芯片應(yīng)用領(lǐng)域極廣，中高端領(lǐng)域均有大量且穩(wěn)定的需求。一旦形成產(chǎn)品，產(chǎn)量和銷售極其可觀?，F(xiàn)在市場上此類ADC芯片主要掌握在國外大公司手里，定價相對較高，如果能夠?qū)崿F(xiàn)同等性能下更低的定價或者同等價位但是更出色的性能，將有巨大的市場。

項目簡介： 本成果提供了一種以光尋址電位傳感器（LAPS）為核心、基于現(xiàn)代電子學的光電化學型生化分析平臺，具有陣列式、光可尋址、無標 記等優(yōu)點。同時，該成果作為一個測試平臺，可將多種生物化學響應(yīng) 過程移植于其上，具有應(yīng)用靈活的優(yōu)勢，例如，與噬菌體展示技術(shù)結(jié) 合，將特異于轉(zhuǎn)移腫瘤細胞的噬菌體固定于芯片表面，實現(xiàn)了對轉(zhuǎn)移 乳腺癌腫瘤細胞（MDAMB231）無標記檢測，如圖 1 所示；與基于左 旋多巴（L-dopa）的表面仿生活化策略相結(jié)合，對免疫球蛋白（IgG） 探針固定、免疫響應(yīng)進行了全程監(jiān)測，并將其推廣至甲胎蛋白（AFP）、 癌胚抗原（CEA199）、鐵蛋白（Ferritin）等四種原發(fā)性肝癌相關(guān)腫瘤 標志物的聯(lián)合檢測，如圖 2 所示；利用新材料——氧化石墨烯（GO， graphene oxide），構(gòu)建了 GO 功能化光電化學型 DNA 檢測體系，實 現(xiàn)對 ssDNA 探針固定、及其與三種不同長度 ssDNA 雜交的無標記檢 測，如圖 3 所示。 

ADC芯片

CMOS成像芯片廣泛應(yīng)用于手機、相機、安保、工業(yè)、醫(yī)療、科學等眾多應(yīng)用領(lǐng)域。該領(lǐng)域的絕大部分市場和技術(shù)被國外廠商壟斷。成像芯片大量依賴進口存在重大技術(shù)風險和政治風險。該項目通過產(chǎn)學研合作，從器件、電路及工藝等多層次突破了高性能CMOS成像芯片的關(guān)鍵技術(shù)，形成了一批國際、國內(nèi)發(fā)明專利以及集成電路布圖設(shè)計等知識產(chǎn)權(quán)，開發(fā)了國際首款128級TDI型CMOS圖像傳感器芯片，打破了國外在高端成像技術(shù)上的壟斷。本項目技術(shù)成果達到國際領(lǐng)先水平，且相關(guān)成像技術(shù)已在產(chǎn)業(yè)界得到應(yīng)用。