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一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發明公開了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個繞組橋臂及一個共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數，2N 個繞組橋臂分為 N 個 A 組繞組橋臂以及 N 個 B 組繞組橋臂，每一個繞組橋臂設置一個可控開關，共用橋臂設置 2 個 可控開關，通過改變可控開關的導通時間控制通過每個繞組的電流， 實現對多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發明的各繞組勵磁電流在 公共接點處相互抵消，改變了以往結構共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過共用橋臂可控開關的電流，降低了開
華中科技大學
2021-04-14
摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構成的鎖模光纖激光器
本實用新型公開了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍在所述基底上的高反射膜以及鍍在所述高反射膜上的摻鐵硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補了本領域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對激光進行調制實現鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學
2017-12-28
類環狀流微膜蒸發板翅式冷凝蒸發技術 新型高效冷凝蒸發器
該項目是在國家自然科學基金委的大力支持下，由西安交通大學吳裕遠教授主持的課題組經過15年的艱苦努力，突破傳統機理，銳意科技創新，所取得的最新成果，榮獲2001年國家技術發明獎二等獎。該項目是西安交通大學，擁有完全的自主知識產權,非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領域推廣應用。
西安交通大學
2021-01-12
一種基于超聲波振動式結晶器的不銹鋼生產方法
（專利號：ZL 201410284167.5） 簡介：本發明公開了一種基于超聲波振動式結晶器的不銹鋼生產方法，屬于鋼鐵冶金技術領域。本發明的步驟為：步驟一、高爐煉鐵；步驟二、轉爐冶煉并進行精煉；步驟三、超聲波連鑄，經過步驟二精煉之后的鋼水在連鑄過程中采用水平連鑄結晶器，在水平連鑄結晶器上產生超聲波振動。本發明中無需依靠結晶器的機械振動，而僅僅依靠超聲波振動力使初生坯殼與結晶器內壁自動“脫?！?，從而消除或減少不銹鋼鑄坯表面缺陷的產生；結晶器
安徽工業大學
2021-01-12
基于人工表面等離激元的微波渦旋波發生器及其實現方法
本發明公開一種基于人工表面等離激元的微波渦旋波發生器。該結構工作在微波頻段，由雙層人工表面等離激元波導實現對于電磁波的傳輸，上層波導和下層波導之間的連接通過一個金屬過孔實現。該微波渦旋波發生器的輻射部分主要由一系列放置在人工表面等離激元波導旁邊的圓形貼片實現，同時這些圓形貼片作為諧振器也提供了產生不同的渦旋波所需的相位。這種微波渦旋波發生器可以在不同頻率處實現具有不同軌道角動量模式的渦旋波，而不需要在結構上做出任何改變。
東南大學
2021-04-14
紅外二氧化碳傳感器C20E（教育行業專用）
產品詳細介紹 紅外二氧化碳傳感器C20E（教育行業專用） C20E二氧化碳傳感器專為教育應用而設計。在0-40℃溫度范圍內有補償。 C20E通過四線連接就可以工作了：+5V、0V、串行輸入、串行輸出。 產品主要參數： 1) 檢測范圍：5% 2) 溫度范圍：0-40℃ 3) 供電電壓：5V 4) 零點誤差：20ppm 5) 預熱時間：120S
深圳市新世聯科技有限公司
2021-08-23
海利普變頻器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
產品詳細介紹
海利普變頻器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
HLPA00D423B,HLPA0D7523B,HLPA01D543C,HLPA02D243CHLPA03D743B,HLPA05D543B,HLPA07D543B,HLPA001143B,HLPA001543B,HLPA18D543B,HLPA002243B
HLP-A高性能通用型:HOLIP變頻器
?功率范圍：0.4KW~22KW（單、三相220V）；
0.75KW~450KW(三相380V)；
型號功率 型號功率HLPA00D423B220V/0.4KWHLPA001143B380V/11KWHLPA0D7523B220V/0.75KWHLPA001543B380V/15KWHLPA01D523B220V/1.5KWHLPA18D543B380V/18.5KWHLPA02D223B220V/2.2KWHLPA002243B380V/22KWHLPA03D723B220V/3.7KWHLPA003043B380V/30KW HLPA003743B380V/37KWHLPA0D7543B380V/0.75KWHLPA004543B380V/45KWHLPA01D543B380V/1.5KWHLPA005543B380V/55KWHLPA02D243B380V/2.2KWHLPA007543B380V/75KWHLPA03D743B380V/3.7KWHLPA009043B380V/90KWHLPA05D543B380V/5.5KWHLPA011043B380V/110KWHLPA07D543B380V/7.5KWHLPA013243B380V/132KWHLP
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東莞市榮達機電設備有限公司
2021-08-23
BC型裸片硅二極管溫度計低溫溫度傳感器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-26
10K閉循環低溫恒溫器低溫真空實驗低溫制冷儀器設備
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-09