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       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

本項(xiàng)目結(jié)合計(jì)算機(jī)視覺(jué)、自然語(yǔ)言處理、內(nèi)鏡影像學(xué)、早期腫瘤診療學(xué)技術(shù)，創(chuàng)建消化道腫瘤內(nèi)鏡下智能早診早篩體系，大幅提高內(nèi)鏡檢查質(zhì)量和消化道腫瘤早診早篩水平。 一、項(xiàng)目分類 顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡(jiǎn)介 消化道腫瘤是嚴(yán)重威脅全球人群健康的重大疾病。早診早治是改善患者生存率的重要策略，然而，項(xiàng)目組多年流行病學(xué)研究揭示，我國(guó)消化道早期腫瘤檢出率低、漏診誤診率高，檢查質(zhì)量參差不齊，嚴(yán)重危害患者生命。 基于此，本項(xiàng)目結(jié)合計(jì)算機(jī)視覺(jué)、自然語(yǔ)言處理、內(nèi)鏡影像學(xué)、早期腫瘤診療學(xué)技術(shù)，創(chuàng)建消化道腫瘤內(nèi)鏡下智能早診早篩體系，大幅提高內(nèi)鏡檢查質(zhì)量和消化道腫瘤早診早篩水平。具體為：1）首創(chuàng)消化內(nèi)鏡全局智能監(jiān)測(cè)與無(wú)盲區(qū)掃查技術(shù)，開(kāi)辟內(nèi)鏡質(zhì)控新路徑。使胃鏡檢查盲區(qū)率降低45%、腸鏡檢查合格率提高1.78倍、腺瘤檢出率提高1.12倍，確立我國(guó)在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；2）發(fā)明“邏輯擬人化”消化道高危病灶動(dòng)態(tài)探查方法，使胃瘤變漏診率降低78%，推動(dòng)智能內(nèi)鏡臨床應(yīng)用；3）創(chuàng)建實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與智能反饋內(nèi)鏡檢查質(zhì)量方法，使醫(yī)生胃癌前狀態(tài)檢出率提高1.33倍，腸腺瘤檢出率提高0.88倍，顯著提高消化內(nèi)鏡檢查質(zhì)量；4）研制消化內(nèi)鏡人工智能輔助診斷主機(jī)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)多模態(tài)預(yù)測(cè)，系統(tǒng)延遲小于 48ms，全面滿足臨床需求。 在消化內(nèi)鏡人工智能領(lǐng)域發(fā)表論文影響因子排名世界第一，引領(lǐng)研究方向，共發(fā)表相關(guān)研究論文52篇，其中中華系列論文25篇，SCI論文27篇，影響因子9分及以上21篇，單篇最高45分。制定專家共識(shí)及行業(yè)指南3項(xiàng)、國(guó)家專業(yè)醫(yī)療質(zhì)量控制指標(biāo)18項(xiàng)。該項(xiàng)目獲批國(guó)家發(fā)明專利34項(xiàng)，成功轉(zhuǎn)化發(fā)明專利14項(xiàng)，所孵化產(chǎn)品獲國(guó)家醫(yī)療器械創(chuàng)新審批，獲中國(guó)、歐盟II類注冊(cè)認(rèn)證共7項(xiàng)。在中德500余家三甲及基層醫(yī)院落地應(yīng)用，覆蓋近2000萬(wàn)人；技術(shù)相關(guān)應(yīng)用直接經(jīng)濟(jì)效益達(dá)5億元，社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益顯著。 獲2021年湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2021年歐洲消化疾病周國(guó)家學(xué)術(shù)獎(jiǎng)、2020年中國(guó)十佳消化道領(lǐng)域臨床研究獎(jiǎng)等。樊代明院士和李兆申院士評(píng)價(jià)該成果極大推動(dòng)我國(guó)消化道早癌防治事業(yè)的發(fā)展。

本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過(guò)激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。