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產品詳細介紹可噴印五行單行速度可達185米每分鐘可選點陣 5X5 5X 7 9X 7 12X 9 16X 11  32X 24字符高度：可根據字體點陣在2-16MM之間選擇噴印距離2-20MM之間顯示屏：320X240液晶顯示屏噴頭：直徑35MM  長度：260MM電氣要求：200-240VAC 50/60HZ 120W 重量：未包凈重：27KG

Vivitek(麗訊)4K激光工程投影機DK10000Z采用激光光源設計，適用于大型場館和博物館應用，搭載原生4K超高清分辨率，亮度為10,000流明，僅重29公斤，體積小巧便于安裝部署。

CO2激光打標機是融合先進的激光振鏡打標技術、進口射頻激勵封離型CO2激光器于一體，將激光束通過擴束、振鏡、聚焦，最后通過控制振鏡的偏轉實現標刻的高性能激光設備。   

可以用來設計優化光學諧振腔。不僅可以模擬諧振腔特性，而且軟件可以計算熱透鏡效應、失調、色散、Gouy 相移、簡并度等對光束半徑和光腔模式的影響。軟件同時可以用于設計給定要求的激光腔,比如給定在特定位置的模式大小,最小靈敏度，熱透鏡效應和失調、最小畸變的光束質量等。 ABCDEF矩陣算法： RP Resonator 的計算是基于一個擴展的 ABCDEF 矩陣算法。與通常使用的 ABCD 矩陣算法相比，它不僅可以進行模式半徑的計算，也能計算由于腔鏡失調所造成的光束位置改變。 另外，它也可以處理與波長相關的折射，比如在棱鏡中的折射，在鎖模激光器的諧振腔里，其色散補償是通過一個棱鏡來完成。該軟件可以計算不同波長的光程和由此而產生的色散。 直線腔和環形腔也可以和從激光諧振腔里輸出的光束一樣被當作單程傳播來處理。對于環形腔，光束的路徑可以自動閉合，也就是說，第一個和最后一個鏡子的取向及它們之間的路徑長度可以自動計算。由此產生的設置可以圖形化地顯示，以立即識別可能的錯誤輸入。 具體功能與應用： ——分析已有的諧振腔設計，如檢查其穩定區域、準直特性、色散效應等。 ——使復雜的諧振腔設計優化工作變得容易，如優化激光器性能。 精煉研究人員對諧振腔的理解。如通過數值模擬演示各種參數。 ——軟件帶有非常強大的腳本語言并伴隨有腳本向導功能，很容易的通過填表格的形式（簡單的輸入數字或數學公式）生成大段的腳本代碼。 ——腳本語言的強大意味著更豐富的靈活性。例如，用戶可以定義含有多個激光晶體的光腔模型等。 ——與其它類似的軟件相比，RP Resonator 允許用戶將諧振腔特性參數化。這意味著用戶可以使用數學表達式定義，而不是僅僅只能定義簡單的參數如腔長、反射鏡曲率半徑等。在生成的圖像中，用戶也可以觀察不同位置的光腔特性。與腳本語言相結合，用戶開發過程中會擁有極大的靈活性。而這功能是在其它類似軟件中很難找到的。   非常適合以下機構: ——開發激光器、參量振蕩器，或包含無源光學諧振腔的器件的工業公司 ——詳細具體研究這些設備各個方面功能原理的研究實驗室 ——教導人們對此類設備形成牢固技術理解的教育機構     在任何情況下，RP Resonator 都將為您提供實質性的競爭優勢，因為您的工作將更加有效和高效：您將能夠快速可靠的知道諧振腔的功能特性以及改進它們的方式。

ALPD®激光熒光粉放映解決方案，采用ALPD®3.0多色激光熒光粉技術，其亮度跨越性的提升到了55,000流明，代表了中影光峰除定制款產品以外最高的亮度水平，專為大型銀幕量身打造。

霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6?！案呷埸c高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。

主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。